专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI679245B 硬化性聚矽氧烷橡膠組成物及聚矽氧烷橡膠構件有权
简体标题：硬化性聚硅氧烷橡胶组成物及聚硅氧烷橡胶构件
公开(公告)号：TWI679245B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW104121493
申请日：2015-07-02
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：石原夕佳 , ISHIHARA, YUKA
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/14 , C08K3/36 , C08G77/54 , G06F3/02

2. 发明专利

TWI671362B 混成材料之用途、其塗布方法及光電元件有权
简体标题：混成材料之用途、其涂布方法及光电组件
公开(公告)号：TWI671362B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104124526
申请日：2015-07-29
申请人：盧森堡商AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：葛羅坦慕勒拉夫 , GROTTENMUELLER, RALF , 卡路那南丹羅莎琳 , KARUNANANDAN, ROSALIN , 北文雄 , KITA, FUMIO , 蘭玆赫姆特 , LENZ, HELMUT , 瓦格納迪特 , WAGNER, DIETER , 德勒塞安德烈斯 , DRESEL, ANDREAS
IPC分类号： C08L83/14 , C08G77/54 , C08K9/06 , C09D183/14 , C09D7/40 , H01L33/44

3. 发明专利

TW201833192A 矽氧氮烷化合物、及含其之組成物、以及使用其之二氧化矽質膜之形成方法审中-公开
简体标题：硅氧氮烷化合物、及含其之组成物、以及使用其之二氧化硅质膜之形成方法
公开(公告)号：TW201833192A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140770
申请日：2017-11-23
申请人：盧森堡商AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：岡村聰也 , OKAMURA, TOSHIYA , 中段直孝 , NAKADAN, NAOTAKA , 巴尼可貝特朗 , BARNICKEL, BERTRAM , 小崎力生 , KOZAKI, RIKIO , 中本奈緒子 , NAKAMOTO, NAOKO
IPC分类号： C08G77/54 , C08L83/14 , C09D183/14 , C09D5/25 , H01L21/02
摘要：本發明之課題係提供一種可使二氧化矽質膜成膜製程之時間縮短的矽氧氮烷化合物、與含其之組成物。本發明之解決手段為一種矽氧氮烷化合物、及含其之組成物，該矽氧氮烷化合物為具有特定之構造的矽氧氮烷化合物，其中O原子相對於O原子與N原子之總數的比率為5%以上25%以下，且在將前述矽氧氮烷化合物藉由基於逆門解偶(inverse gate decoupling)法之29Si-NMR所得到的光譜中，在-75ppm~-90ppm所測出之峰之面積相對於在-25ppm~-55ppm所測出之峰之面積的比率為4.0%以下。
简体摘要：本发明之课题系提供一种可使二氧化硅质膜成膜制程之时间缩短的硅氧氮烷化合物、与含其之组成物。本发明之解决手段为一种硅氧氮烷化合物、及含其之组成物，该硅氧氮烷化合物为具有特定之构造的硅氧氮烷化合物，其中O原子相对于O原子与N原子之总数的比率为5%以上25%以下，且在将前述硅氧氮烷化合物借由基于逆门解偶(inverse gate decoupling)法之29Si-NMR所得到的光谱中，在-75ppm~-90ppm所测出之峰之面积相对于在-25ppm~-55ppm所测出之峰之面积的比率为4.0%以下。

4. 发明专利

TW201627163A 聚醯亞胺基板及包含該聚醯亞胺基板的顯示基板模組审中-公开
简体标题：聚酰亚胺基板及包含该聚酰亚胺基板的显示基板模块
公开(公告)号：TW201627163A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104144514
申请日：2015-12-30
申请人：可隆股份有限公司 , KOLON INDUSTRIES, INC.
发明人：禹學龍 , WOO, HAK YONG , 安祥鉉 , AHN, SANG HYUN , 鄭鶴基 , JUNG, HAK GEE
IPC分类号： B32B27/34 , C09D183/14 , C08G77/54 , C09D5/00 , G09F9/00
摘要：本發明係關於一種聚醯亞胺基板及包含該聚醯亞胺基板的顯示基板模組。該聚醯亞胺基板包含聚醯亞胺層、以及在該聚醯亞胺層的至少一面上包含矽氮烷-矽氧烷化合物的光學底漆(primer)層。
简体摘要：本发明系关于一种聚酰亚胺基板及包含该聚酰亚胺基板的显示基板模块。该聚酰亚胺基板包含聚酰亚胺层、以及在该聚酰亚胺层的至少一面上包含硅氮烷-硅氧烷化合物的光学底漆(primer)层。

5. 发明专利

TWI465487B 光半導體密封用樹脂組成物有权
简体标题：光半导体密封用树脂组成物
公开(公告)号：TWI465487B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW099118393
申请日：2010-06-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：上野學 , UENO, MANABU , 田中隼人 , TANAKA, HAYATO , 柏木努 , KASHIWAGI, TSUTOMU
IPC分类号： C08G77/54 , C08G77/388 , C08L63/00 , C09K3/10 , H01L33/56

6. 发明专利

TW201420640A 有機聚矽氧烷、有機聚矽氧烷之製造方法、交聯有機聚矽氧烷、及塗佈用組成物审中-公开
简体标题：有机聚硅氧烷、有机聚硅氧烷之制造方法、交联有机聚硅氧烷、及涂布用组成物
公开(公告)号：TW201420640A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102134761
申请日：2013-09-26
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：松井絢 , MATSUI, AYA , 閔庚薰 , MIN, KYON HUN , 內田大輔 , UCHIDA, DAISUKE , 角田純一 , KAKUTA, JUNICHI
IPC分类号： C08G77/20 , C08G77/54 , C08G77/52 , C09D5/20 , B32B17/10 , B32B7/06
CPC分类号： C09D183/14 , C08G77/52 , Y02P20/582
摘要：本發明係有關於一種有機聚矽氧烷，含有預定之以式(1)表示之矽氧烷單元(A)及預定之以式(2)表示之矽氧烷單元(B)，並且，相對於上述矽氧烷單元(A)與上述矽氧烷單元(B)之合計，上述矽氧烷單元(A)之比率為30~60莫耳%，相對於總矽氧烷單元，上述矽氧烷單元(A)與上述矽氧烷單元(B)之合計比率為90~100莫耳%；上述矽氧烷單元(B)係由預定之矽氧烷單元(B-1)及預定之矽氧烷單元(B-2)所構成，且[矽氧烷單元(B-1)]×100/[矽氧烷單元(B-1)+矽氧烷單元(B-2)]為25~90莫耳%。
简体摘要：本发明系有关于一种有机聚硅氧烷，含有预定之以式(1)表示之硅氧烷单元(A)及预定之以式(2)表示之硅氧烷单元(B)，并且，相对于上述硅氧烷单元(A)与上述硅氧烷单元(B)之合计，上述硅氧烷单元(A)之比率为30~60莫耳%，相对于总硅氧烷单元，上述硅氧烷单元(A)与上述硅氧烷单元(B)之合计比率为90~100莫耳%；上述硅氧烷单元(B)系由预定之硅氧烷单元(B-1)及预定之硅氧烷单元(B-2)所构成，且[硅氧烷单元(B-1)]×100/[硅氧烷单元(B-1)+硅氧烷单元(B-2)]为25~90莫耳%。

7. 发明专利

TW202005014A 電源模組审中-公开
简体标题：电源模块
公开(公告)号：TW202005014A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108105542
申请日：2019-02-20
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：服部初彦 , HATTORI, HATSUHIKO , 堀信篤司 , HORINOBU, ATSUSHI , 桑島健輔 , KUWAJIMA, KENSUKE
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , C08G73/10 , C08G77/54
摘要：一種電源模組，其為具有接合電源半導體裝置的基盤，與封裝該基盤的封裝體，且該基盤與封裝體為介由例如含有下述(A)~(E)成份的聚矽氧改質之聚醯亞胺樹脂組成物的硬化物所形成的底漆層接著，其可抑制高溫條件下環氧封裝樹脂的剝離，而具有高度信賴性。 (A)式(1)的聚矽氧改質之聚醯亞胺樹脂 E為式(2)；F為式(3)；G為由二胺產生的2價之基；f+e+g=100mol%，f/(e+g)之mol比為0.9~1.1，e與g之總和為100時，e為1~90 RA為2價之烴基；R1、R2為烷基；R3、R4為1價之脂肪族烴基；R5、R6為芳基等；m為0~20，n為1~20，o為0~20，且滿足m+n+o=1~30之整數 (Im為包含環狀醯亞胺結構的環狀基；X為單鍵等) (Bc)熱分解性自由基起始劑 (C)溶劑 (D)抗氧化劑 (E)氣相二氧化矽
简体摘要：一种电源模块，其为具有接合电源半导体设备的基盘，与封装该基盘的封装体，且该基盘与封装体为介由例如含有下述(A)~(E)成份的聚硅氧改质之聚酰亚胺树脂组成物的硬化物所形成的底漆层接着，其可抑制高温条件下环氧封装树脂的剥离，而具有高度信赖性。 (A)式(1)的聚硅氧改质之聚酰亚胺树脂 E为式(2)；F为式(3)；G为由二胺产生的2价之基；f+e+g=100mol%，f/(e+g)之mol比为0.9~1.1，e与g之总和为100时，e为1~90 RA为2价之烃基；R1、R2为烷基；R3、R4为1价之脂肪族烃基；R5、R6为芳基等；m为0~20，n为1~20，o为0~20，且满足m+n+o=1~30之整数 (Im为包含环状酰亚胺结构的环状基；X为单键等) (Bc)热分解性自由基起始剂 (C)溶剂 (D)抗氧化剂 (E)气相二氧化硅

8. 发明专利

TWI667313B 暫時貼合用接著劑、接著劑層、晶圓加工物及使用其之半導體裝置之製造方法、聚醯亞胺共聚物、聚醯亞胺混合樹脂、及樹脂組成物有权
简体标题：暂时贴合用接着剂、接着剂层、晶圆加工物及使用其之半导体设备之制造方法、聚酰亚胺共聚物、聚酰亚胺混合树脂、及树脂组成物
公开(公告)号：TWI667313B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104125528
申请日：2015-08-06
申请人：日商東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：有本真治 , ARIMOTO, SHINJI , 藤原健典 , FUJIWARA, TAKENORI , 富川真佐夫 , TOMIKAWA, MASAO
IPC分类号： C09J179/08 , C09J183/04 , H01L21/50 , H01L21/683 , C08G73/10 , C08G77/54

9. 发明专利

TWI585127B 用於形成以二氧化矽為主的絕緣層之組合物及其製造方法、以二氧化矽為主的絕緣層及其製造方法有权
简体标题：用于形成以二氧化硅为主的绝缘层之组合物及其制造方法、以二氧化硅为主的绝缘层及其制造方法
公开(公告)号：TWI585127B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW100148874
申请日：2011-12-27
申请人：第一毛織股份有限公司 , CHEIL INDUSTRIES INC.
发明人：林相學 , LIM, SANG HAK , 金奉煥 , KIM, BONG HWAN , 吳正堈 , OH, JUNG KANG , 郭澤秀 , KWAK, TAEK SOO , 裵鎮希 , BAE, JIN HEE , 尹熙燦 , YUN, HUI CHAN , 韓東一 , HAN, DONG IL , 金相均 , KIM, SANG KYUN , 李真旭 , LEE, JIN WOOK
IPC分类号： C08G77/54 , C08G77/04 , C08L83/14 , C08L83/04 , H01L21/316
CPC分类号： C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40

10. 发明专利

TW201533098A 聚烷氧基矽氮烷及其製造方法，及，塗佈組成物及由其所得之矽系陶瓷被膜审中-公开
简体标题：聚烷氧基硅氮烷及其制造方法，及，涂布组成物及由其所得之硅系陶瓷被膜
公开(公告)号：TW201533098A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103140802
申请日：2014-11-25
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：堀江洋慈 , HORIE, YOJI , 岩瀬賢明 , IWASE, YOSHIAKI , 鈴木浩 , SUZUKI, HIROSHI
IPC分类号： C08G77/54 , C08L83/14 , C09D183/14 , C04B41/83
CPC分类号： C09D183/16 , C08G77/62
摘要：本發明之聚烷氧基矽氮烷，具有：以下述一般式(i)所示之構成單位、以及以下述一般式(ii)所示之構成單位中的至少一方。 [R1O-Si-(NH)3/2] (i) (式中，R1表示烷基) [(R2O)2-Si-(NH)2/2] (ii) (式中，R2表示烷基；2個R2可互為相同或相異)
简体摘要：本发明之聚烷氧基硅氮烷，具有：以下述一般式(i)所示之构成单位、以及以下述一般式(ii)所示之构成单位中的至少一方。 [R1O-Si-(NH)3/2] (i) (式中，R1表示烷基) [(R2O)2-Si-(NH)2/2] (ii) (式中，R2表示烷基；2个R2可互为相同或相异)

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式