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21. 发明专利

TWI465858B 在微影系統中的射束同步測量有权
简体标题：在微影系统中的射束同步测量
公开(公告)号：TWI465858B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW098137733
申请日：2009-11-06
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：路易傑艾爾寇 , LOOIJE, ALCO
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00

22. 发明专利

TW201401330A 帶電粒子微影系統和射束產生器审中-公开
简体标题：带电粒子微影系统和射束产生器
公开(公告)号：TW201401330A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102117161
申请日：2013-05-14
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：凡賓艾利克山德亨卓克文森 , VAN VEEN, ALEXANDER HENDRIK VINCENT
IPC分类号： H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/09 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/147 , H01J37/3007 , H01J37/302 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/002 , H01J2237/026 , H01J2237/0262 , H01J2237/0264 , H01J2237/16 , H01J2237/182 , H01J2237/188
摘要：本發明關於一種帶電粒子微影系統。該系統具有：一小射束產生器，其包含一用於產生一帶電粒子射束的射束產生器以及一用於從該帶電粒子射束處形成複數道小射束的孔徑陣列；以及一小射束投射器，用以將該小射束投射在一標靶表面上。該帶電粒子射束產生器包含：一帶電粒子源頭(3)，用以產生一發散的帶電粒子射束；一準直器系統(5a、5b、5c)；一或多個唧筒(220)；一高電壓屏障配置(201)，用以遮擋保護該高電壓屏障配置外面的器件，避免受到該高電壓屏障配置裡面的高電壓影響；以及一冷卻配置(203)，用以移除熱度。該一或多個唧筒被放置在該高電壓屏障配置與該冷卻配置之間。
简体摘要：本发明关于一种带电粒子微影系统。该系统具有：一小射束产生器，其包含一用于产生一带电粒子射束的射束产生器以及一用于从该带电粒子射束处形成复数道小射束的孔径数组；以及一小射束投射器，用以将该小射束投射在一标靶表面上。该带电粒子射束产生器包含：一带电粒子源头(3)，用以产生一发散的带电粒子射束；一准直器系统(5a、5b、5c)；一或多个唧筒(220)；一高电压屏障配置(201)，用以遮挡保护该高电压屏障配置外面的器件，避免受到该高电压屏障配置里面的高电压影响；以及一冷却配置(203)，用以移除热度。该一或多个唧筒被放置在该高电压屏障配置与该冷却配置之间。

23. 发明专利

TW201346984A 處理諸如晶圓的靶材之微影系統和方法审中-公开
简体标题：处理诸如晶圆的靶材之微影系统和方法
公开(公告)号：TW201346984A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102108400
申请日：2013-03-08
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：菲格尼爾斯 , VERGEER, NIELS
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F9/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F9/7088 , H01J37/3045 , H01J37/3177 , H01J2237/30438
摘要：本發明提供一種操作用以處理夾盤(13)上之靶材(23)的靶材處理系統的方法，該方法包括：在該夾盤(13)上提供至少一第一夾盤位置標記(27)和一第二夾盤位置標記(28)；提供一對準感測系統(17)，其被排列成用以偵測該等第一和第二夾盤位置標記(27，28)，該對準感測系統(17)包括至少一第一對準感測器(61)和一第二對準感測器(62)；以該對準感測系統(17)之至少一測量值為基礎將該夾盤(13)移動至第一位置；以及測量和該夾盤之該第一位置有關的至少一數值。
简体摘要：本发明提供一种操作用以处理夹盘(13)上之靶材(23)的靶材处理系统的方法，该方法包括：在该夹盘(13)上提供至少一第一夹盘位置标记(27)和一第二夹盘位置标记(28)；提供一对准传感系统(17)，其被排列成用以侦测该等第一和第二夹盘位置标记(27，28)，该对准传感系统(17)包括至少一第一对准传感器(61)和一第二对准传感器(62)；以该对准传感系统(17)之至少一测量值为基础将该夹盘(13)移动至第一位置；以及测量和该夹盘之该第一位置有关的至少一数值。

24. 发明专利

TW201346461A 微影系統，感測器及測量方法审中-公开
简体标题：微影系统，传感器及测量方法
公开(公告)号：TW201346461A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102126869
申请日：2006-09-04
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：克路特彼得 , KRUIT, PIETER , 史羅特歐文 , SLOT, ERWIN , 亭潘提斯法蘭斯 , TEEPEN, TIJS FRANS , 威蘭德瑪寇傑加寇 , WIELAND, MARCO JAN-JACO , 史提賓克史提恩威廉卡瑞爾赫曼 , STEENBRINK, STIJN WILLEM KAREL HERMAN
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/304 , H01J37/30
摘要：用以測量一帶電粒子束系統(尤指一直接寫入微影系統)之大量帶電粒子束之特性的微影系統、感測器、以及方法，其中：會使用一轉換元件將該等帶電粒子束轉換成光束；使用一由複數個光敏偵測器(如二極體、CCD或是CMOS裝置)所組成之陣列來偵測該等光束，其中該等光敏偵測器會和該轉換元件成直線排列；於該等光束對該等偵測器進行曝光之後以電子方式從該等偵測器中讀出生成信號；運用該等信號來決定一或多項粒子束特性的數值，從而使用一自動電子計算器；依據該等經算出的特性數值，以電子方式來調整該帶電粒子系統，用以修正該等帶電粒子束中全部或是其中數道帶電粒子束超出規格範圍的一或多項特性的數值。
简体摘要：用以测量一带电粒子束系统(尤指一直接写入微影系统)之大量带电粒子束之特性的微影系统、传感器、以及方法，其中：会使用一转换组件将该等带电粒子束转换成光束；使用一由复数个光敏侦测器(如二极管、CCD或是CMOS设备)所组成之数组来侦测该等光束，其中该等光敏侦测器会和该转换组件成直线排列；于该等光束对该等侦测器进行曝光之后以电子方式从该等侦测器中读出生成信号；运用该等信号来决定一或多项粒子束特性的数值，从而使用一自动电子计算器；依据该等经算出的特性数值，以电子方式来调整该带电粒子系统，用以修正该等带电粒子束中全部或是其中数道带电粒子束超出规格范围的一或多项特性的数值。

25. 发明专利

TWI412053B 多束充電粒子光學系統以及具有至少兩個電極的透鏡結構失效
简体标题：多束充电粒子光学系统以及具有至少两个电极的透镜结构
公开(公告)号：TWI412053B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW096127014
申请日：2007-07-25
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：彼得克路特 , KRUIT, PIETER , 張艷霞 , ZHANG, YANXIA , 馬汀J 梵布魯根 , VAN BRUGGEN, MARTIJN J. , 史提恩威廉卡瑞爾赫曼史提賓克 , STEENBRINK, STIJN WILLEM HERMAN KAREL
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/063
CPC分类号： H01J37/12 , H01J2237/0453 , H01J2237/04924 , H01J2237/1205 , H01J2237/121 , H01J2237/153 , H01J2237/26 , H01J2237/3175

26. 发明专利

TW201331974A 利用刀緣測量晶圓級點尺寸之裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：利用刀缘测量晶圆级点尺寸之设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201331974A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101145845
申请日：2012-12-06
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：邁耶珍安德里斯 , MEIJER, JAN ANDRIES , 舍費斯保羅意吉默特 , SCHEFFERS, PAUL IJMERT , 薩阿卜杜 , SARR, ABDOU
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/252 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/244 , H01J37/3002 , H01J37/3005 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/2001 , H01J2237/24521 , H01J2237/2802 , H01J2237/30477 , H01J2237/31793
摘要：本發明係有關於一種測量晶圓級點尺寸之裝置，用於一多帶電粒子束微影系統。該裝置包括在閃爍材料(如YAG材料)的頂部有一刀緣結構。該刀緣結構設置在矽晶圓上，矽晶圓於矽的(1 1 0)平面上夾銳角處具有一頂面。在一實施例中，該角度在2°到4°的範圍內，較佳在2.9°-3.1°的範圍內。本發明更有關於一種製造測量晶圓級點尺寸裝置之方法，用於一多帶電粒子束微影系統。
简体摘要：本发明系有关于一种测量晶圆级点尺寸之设备，用于一多带电粒子束微影系统。该设备包括在闪烁材料(如YAG材料)的顶部有一刀缘结构。该刀缘结构设置在硅晶圆上，硅晶圆于硅的(1 1 0)平面上夹锐角处具有一顶面。在一实施例中，该角度在2°到4°的范围内，较佳在2.9°-3.1°的范围内。本发明更有关于一种制造测量晶圆级点尺寸设备之方法，用于一多带电粒子束微影系统。

27. 发明专利

TW201314382A 用於目標物處理工具之導引裝置审中-公开
简体标题：用于目标物处理工具之导引设备
公开(公告)号：TW201314382A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101133277
申请日：2012-09-12
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：佩斯特傑瑞約翰內斯馬丁努斯 , PEIJSTER, JERRY JOHANNES MARTINUS
IPC分类号： G03F7/20 , G03B27/53
CPC分类号： F16C29/002 , F16C29/04 , F16C29/123 , F16C2370/00 , G03F7/2014 , G03F7/70816
摘要：本發明係有關於一種目標物處理工具，包括一目標物承載器導引組件，此目標物承載器導引組件包括：一導引面，具有於一第一方向之一長軸；一目標物承載座，用以沿著此第一方向承載以及移動一目標物；一軸承支持部，經由一可撓式裝置而組設於該目標物承載座；一軸承，係安排於該導引面與該軸承支持部之間；以及一偏壓元件，係與此目標物承載座以及此軸承支持部連接，且係用於沿著一第二方向且對著此軸承而偏壓此軸承支持部，其中此第二方向較佳地係垂直於此第一方向。
简体摘要：本发明系有关于一种目标物处理工具，包括一目标物承载器导引组件，此目标物承载器导引组件包括：一导引面，具有于一第一方向之一长轴；一目标物承载座，用以沿着此第一方向承载以及移动一目标物；一轴承支持部，经由一可挠式设备而组设于该目标物承载座；一轴承，系安排于该导引面与该轴承支持部之间；以及一偏压组件，系与此目标物承载座以及此轴承支持部连接，且系用于沿着一第二方向且对着此轴承而偏压此轴承支持部，其中此第二方向较佳地系垂直于此第一方向。

28. 发明专利

TW201307804A 用於電容測量系統之主動遮蔽审中-公开
简体标题：用于电容测量系统之主动屏蔽
公开(公告)号：TW201307804A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101123857
申请日：2012-07-02
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：菲柏格寇兒 , VERBURG, COR , 穆賽羅伯 , MOSSEL, ROBERT , 巴丁考斯杜巴 , PADHYE, KAUSTUBH , 迪寇克艾瑞克 , DE KOK, ERIC , 菲斯塔溫 , VIS, WIM
IPC分类号： G01B7/02 , G01D5/24 , G01D3/036 , G03F9/00
CPC分类号： G01D5/24 , G03F9/7053
摘要：一種用以產生表示對一目標的所測得位置或距離之測量信號的電容測量系統。該系統具有第一電路，此者含有薄膜電容感測器(1a)，該感測器係經排置以提供依照所測得位置或距離而定的感測器電容；電纜(30a)，此者含有感測器接線(31a)及同軸遮蔽導體(32a)，該電纜具有遠方末端及本地末端，該感測器接線係在該電纜的本地末端處電性連接於該電容感測器；電壓來源(24a)，此者具有在該電纜之遠方末端處連接至該感測器接線的輸出終端，同時係經排置以供給該電容感測器能量並以與該感測器接線大致相同的電壓供給該遮蔽導體能量；以及電流測量電路(21a)，此者具有第一及第二輸入終端和一輸出終端，該電流測量電路係經串聯於連接至該電壓來源之輸出終端的第一輸入終端以及在該電纜之遠方末端處連接至該感測器接線的第二輸入終端，該電流測量電路係經排置以測量在該感測器接線之內所行流的電流並且在該輸出終端處產生該測量信號。
简体摘要：一种用以产生表示对一目标的所测得位置或距离之测量信号的电容测量系统。该系统具有第一电路，此者含有薄膜电容传感器(1a)，该传感器系经排置以提供依照所测得位置或距离而定的传感器电容；电缆(30a)，此者含有传感器接线(31a)及同轴屏蔽导体(32a)，该电缆具有远方末端及本地末端，该传感器接线系在该电缆的本地末端处电性连接于该电容传感器；电压来源(24a)，此者具有在该电缆之远方末端处连接至该传感器接线的输出终端，同时系经排置以供给该电容传感器能量并以与该传感器接线大致相同的电压供给该屏蔽导体能量；以及电流测量电路(21a)，此者具有第一及第二输入终端和一输出终端，该电流测量电路系经串联于连接至该电压来源之输出终端的第一输入终端以及在该电缆之远方末端处连接至该传感器接线的第二输入终端，该电流测量电路系经排置以测量在该传感器接线之内所行流的电流并且在该输出终端处产生该测量信号。

29. 发明专利

TW201303524A 用於多子束微影設備的分裂圖案的方法审中-公开
简体标题：用于多子束微影设备的分裂图案的方法
公开(公告)号：TW201303524A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101117746
申请日：2012-05-18
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：威蘭德瑪寇傑加寇 , WIELAND, MARCO JAN-JACO , 凡尼烏史塔德特喬瑞斯安亨利 , VAN NIEUWSTADT, JORIS ANNE HENRI , 凡戴佩特特意尼斯 , VAN DE PEUT, TEUNIS
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/30
CPC分类号： G03B27/80 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G06F17/5081 , H01J37/3177 , H01J2237/31764 , H01J2237/31774
摘要：本發明係關於一種用於多子束微影設備的分裂圖案的方法。該方法包含提供一輸入圖案，其藉由多子束微影設備之複數子束的手段而暴露到目標表面上。在該輸入圖案內，第一與第二區域會被識別。第一區域係為藉由複數子束的第一子束而被專門暴露的區域。第二區域係為藉由複數子束之超過一子束而被暴露的區域。依據第一與第二區域的評估，決定哪部份圖案欲藉由每一子束來暴露。
简体摘要：本发明系关于一种用于多子束微影设备的分裂图案的方法。该方法包含提供一输入图案，其借由多子束微影设备之复数子束的手段而暴露到目标表面上。在该输入图案内，第一与第二区域会被识别。第一区域系为借由复数子束的第一子束而被专门暴露的区域。第二区域系为借由复数子束之超过一子束而被暴露的区域。依据第一与第二区域的评估，决定哪部份图案欲借由每一子束来暴露。

30. 发明专利

TW201250401A 用於微影蝕刻機器群聚的網路架構和協定 NETWORK ARCHITECTURE AND PROTOCOL FOR CLUSTER OF LITHOGRAPHY MACHINES 审中-公开
简体标题：用于微影蚀刻机器群聚的网络架构和协定 NETWORK ARCHITECTURE AND PROTOCOL FOR CLUSTER OF LITHOGRAPHY MACHINES
公开(公告)号：TW201250401A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101114467
申请日：2012-04-23
申请人：瑪波微影IP公司
发明人：凡克芬尼克馬賽尼可拉斯賈考柏斯 , 迪包爾古伊杜
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G06F9/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70483 , G03F7/70508 , G03F7/70525 , G03F7/70991 , G05B19/41865 , G06F9/4881 , H01J37/3177
摘要：在一特色之中，本發明提出一種包含一或多個微影蝕刻元件的群聚式基板處理系統，每一微影蝕刻元件均被配置成用於依據圖案資料進行基板的獨立曝光。每一微影蝕刻元件均包含複數微影蝕刻次系統及一控制網路，該控制網路被配置成用於該複數微影蝕刻次系統與至少一元件控制單元之間的控制資訊通信，該元件控制單元被配置成傳送指令至該複數微影蝕刻次系統且該複數微影蝕刻次系統被配置成傳送回應至該元件控制單元。每一微影蝕刻元件亦包含一群聚前端以做為通往一操作者或主控系統之介面，該群聚前端被配置成用於配發控制資訊至該至少一元件控制單元以控制該一或多個微影蝕刻次系統對於一或多個晶圓之曝光的地之運作。該前端被配置成用於配發一製程程式至該元件控制單元，該製程程式包含一組預先定義之指令和相關參數，每一指令均對應至預定被該等微影蝕刻次系統中一或多者所執行之一預先定義之動作或連串動作，且該等參數另外定義該動作或連串動作如何被執行。
简体摘要：在一特色之中，本发明提出一种包含一或多个微影蚀刻组件的群聚式基板处理系统，每一微影蚀刻组件均被配置成用于依据图案数据进行基板的独立曝光。每一微影蚀刻组件均包含复数微影蚀刻次系统及一控制网络，该控制网络被配置成用于该复数微影蚀刻次系统与至少一组件控制单元之间的控制信息通信，该组件控制单元被配置成发送指令至该复数微影蚀刻次系统且该复数微影蚀刻次系统被配置成发送回应至该组件控制单元。每一微影蚀刻组件亦包含一群聚前端以做为通往一操作者或主控系统之界面，该群聚前端被配置成用于配发控制信息至该至少一组件控制单元以控制该一或多个微影蚀刻次系统对于一或多个晶圆之曝光的地之运作。该前端被配置成用于配发一制程进程至该组件控制单元，该制程进程包含一组预先定义之指令和相关参数，每一指令均对应至预定被该等微影蚀刻次系统中一或多者所运行之一预先定义之动作或连串动作，且该等参数另外定义该动作或连串动作如何被运行。

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