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1. 发明专利

TW201703093A 以適應性次級帶電粒子光學元件對次級帶電粒子束成像的系統及方法审中-公开
简体标题：以适应性次级带电粒子光学组件对次级带电粒子束成像的系统及方法
公开(公告)号：TW201703093A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105113138
申请日：2016-04-27
申请人： ICT積體電路測試股份有限公司 , ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUR HALBLEITERPRUFTECHNIK MBH
发明人：費恩克斯馬蒂亞斯 , FIRNKES, MATTHIAS , 拉尼歐史帝芬 , LANIO, STEFAN , 溫克勒迪特 , WINKLER, DIETER
IPC分类号： H01J37/26
CPC分类号： H01J37/244 , G01N2223/418 , G01N2223/6116 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/145 , H01J37/222 , H01J37/26 , H01J2237/0453 , H01J2237/1202 , H01J2237/2448 , H01J2237/2449 , H01J2237/24495 , H01J2237/24592
摘要：本發明提供一種藉由初級帶電粒子束的撞擊對從樣品發出的次級帶電粒子束成像的方法。該方法包括以下步驟：將第一操作參數設定為第一值。第一操作參數係從下列一群組選出，包括：樣品上的初級帶電粒子束的降落能量、用於樣品上的次級帶電粒子束的提取場強度、將初級帶電粒子束聚焦於樣品上的物鏡的磁場強度，及物鏡離樣品的工作距離。該方法進一步包括以下步驟：在第一操作參數設定為第一值時，控制第一透鏡與第二透鏡的激發，以將次級帶電粒子束映射到孔徑板的第一區域上。第一區域重疊孔徑板的第一開口與孔徑板的第二開口。該方法進一步包括以下步驟：將第一操作參數設定為第二值，第二值與第一值不同。該方法進一步包括以下步驟：在第一操作參數設定為第二值時，控制第一透鏡與第二透鏡的激發，以將次級帶電粒子束映射到孔徑板的第一區域上。
简体摘要：本发明提供一种借由初级带电粒子束的撞击对从样品发出的次级带电粒子束成像的方法。该方法包括以下步骤：将第一操作参数设置为第一值。第一操作参数系从下列一群组选出，包括：样品上的初级带电粒子束的降落能量、用于样品上的次级带电粒子束的提取场强度、将初级带电粒子束聚焦于样品上的物镜的磁场强度，及物镜离样品的工作距离。该方法进一步包括以下步骤：在第一操作参数设置为第一值时，控制第一透镜与第二透镜的激发，以将次级带电粒子束映射到孔径板的第一区域上。第一区域重叠孔径板的第一开口与孔径板的第二开口。该方法进一步包括以下步骤：将第一操作参数设置为第二值，第二值与第一值不同。该方法进一步包括以下步骤：在第一操作参数设置为第二值时，控制第一透镜与第二透镜的激发，以将次级带电粒子束映射到孔径板的第一区域上。

2. 发明专利

TWI546840B 包括操縱一或多個帶電荷粒子射束的操縱器裝置之帶電荷粒子系統有权
简体标题：包括操纵一或多个带电荷粒子射束的操纵器设备之带电荷粒子系统
公开(公告)号：TWI546840B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW101115112
申请日：2012-04-27
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：威蘭德瑪寇傑加寇 , WIELAND, MARCO JAN-JACO , 凡賓艾利克山德亨卓克文森 , VAN VEEN, ALEXANDER HENDRIK VINCENT , 史丁柏齡克史丁威稜賀曼卡羅 , STEENBRINK, STIJN WILLEM HERMAN KAREL , 凡登布朗艾爾瑞克 , VAN DEN BROM, ALRIK
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/10 , H01J37/07
CPC分类号： G03F7/70 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/3177 , H01J2237/1205

3. 发明专利

TW201523685A 離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TW201523685A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103140643
申请日：2014-11-24
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/21 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/1415 , H01J2237/303 , H01J2237/30477
摘要：本發明提供一種能夠廣泛使用之離子植入裝置及離子植入方法。該離子植入裝置的多段四極透鏡(900)具備第1四極透鏡(904)及第3四極透鏡(908)。第1四極透鏡(904)的第1孔半徑(R1)亦可小於第3四極透鏡(908)的第3孔半徑(R3)。多段四極透鏡(900)亦可在第1四極透鏡(904)與第3四極透鏡(908)之間具備第2四極透鏡(906)。第2四極透鏡(906)的第2孔半徑(R2)亦可在第1四極透鏡(904)的第1孔半徑(R1)與第3四極透鏡(908)的第3孔半徑(R3)之間。
简体摘要：本发明提供一种能够广泛使用之离子植入设备及离子植入方法。该离子植入设备的多段四极透镜(900)具备第1四极透镜(904)及第3四极透镜(908)。第1四极透镜(904)的第1孔半径(R1)亦可小于第3四极透镜(908)的第3孔半径(R3)。多段四极透镜(900)亦可在第1四极透镜(904)与第3四极透镜(908)之间具备第2四极透镜(906)。第2四极透镜(906)的第2孔半径(R2)亦可在第1四极透镜(904)的第1孔半径(R1)与第3四极透镜(908)的第3孔半径(R3)之间。

4. 发明专利

TWI479530B 靜電透鏡結構、靜電透鏡陣列、帶電粒子的子束微影系統以及製造絕緣結構的方法有权
简体标题：静电透镜结构、静电透镜数组、带电粒子的子束微影系统以及制造绝缘结构的方法
公开(公告)号：TWI479530B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW098133357
申请日：2009-10-01
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：史提賓克史提恩威廉卡瑞爾赫曼 , STEENBRINK, STIJN WILLEM HERMAN KAREL , 寇尼約漢胡斯特 , KONING, JOHAN JOOST , 維爾特曼彼得 , VELTMAN, PETER
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/12
CPC分类号： H01J37/12 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/004 , H01J2237/0203 , H01J2237/03 , H01J2237/04924 , Y10T29/49

5. 发明专利

TW201407656A 複合式靜電桿與靜電透鏡审中-公开
简体标题：复合式静电杆与静电透镜
公开(公告)号：TW201407656A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102125323
申请日：2013-07-16
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：那莫佛斯奇奧利佛V , NAUMOVSKI, OLIVER V. , 佩特爾沙杜 , PATEL, SHARDUL , 泰歐多爾赤克查理斯A , TEODORCZYK, CHARLES A.
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/1472 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J49/062 , H01J2237/0216 , H01J2237/151 , H01Q9/04 , Y10T428/2918 , Y10T428/292
摘要：一種複合式靜電桿可包括具有長度L及截面積A的本體。所述本體可包括具有第一材料的外部部分以及具有不同於第一材料的第二材料的核心部分，且所述核心部分被所述外部部分包圍，其中複合式靜電桿的自然頻率大於具有長度L及截面積A的石墨桿的自然頻率。
简体摘要：一种复合式静电杆可包括具有长度L及截面积A的本体。所述本体可包括具有第一材料的外部部分以及具有不同于第一材料的第二材料的内核部分，且所述内核部分被所述外部部分包围，其中复合式静电杆的自然频率大于具有长度L及截面积A的石墨杆的自然频率。

6. 发明专利

TW201330043A 試料觀察裝置及試料觀察方法审中-公开
简体标题：试料观察设备及试料观察方法
公开(公告)号：TW201330043A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101138877
申请日：2012-10-22
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：狩侯努 , KARIMATA, TSUTOMU , 小濱達也 , KOHAMA, TATSUYA , 吉川省二 , YOSHIKAWA, SHOJI , 白田山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/261 , H01J37/073 , H01J37/12 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/036 , H01J2237/062 , H01J2237/06333 , H01J2237/1205 , H01J2237/1518 , H01J2237/186 , H01J2237/2443 , H01J2237/2817
摘要：本發明之課題在於提供一種在掃描電子束來觀察試料時，具有高分解能並且可縮短電子束的掃描所需時間之試料觀察裝置。本發明之解決手段如下：藉由將電子束照射至承載台110上所載置之試料並偵測出來自試料的電子束以觀察試料之電子束檢查裝置1000，係具備有用以將電子束照射至試料並偵測出來自試料的電子束之1個電子管柱907。於該1個電子管柱中，構成有：形成讓照射至各個試料之電子束以及來自試料的電子束通過之電子束路徑之複數個電子束照射偵測系統。電子束檢查裝置1000，藉由同時使用複數個電子束照射偵測系統，可同時將複數條電子束照射至試料以檢查試料。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种在扫描电子束来观察试料时，具有高分解能并且可缩短电子束的扫描所需时间之试料观察设备。本发明之解决手段如下：借由将电子束照射至承载台110上所载置之试料并侦测出来自试料的电子束以观察试料之电子束检查设备1000，系具备有用以将电子束照射至试料并侦测出来自试料的电子束之1个电子管柱907。于该1个电子管柱中，构成有：形成让照射至各个试料之电子束以及来自试料的电子束通过之电子束路径之复数个电子束照射侦测系统。电子束检查设备1000，借由同时使用复数个电子束照射侦测系统，可同时将复数条电子束照射至试料以检查试料。

7. 发明专利

TW200733819A 緞帶狀離子束的成形方法 TECHNIQUE FOR SHAPING A RIBBON-SHAPED ION BEAM 审中-公开
简体标题：缎带状离子束的成形方法 TECHNIQUE FOR SHAPING A RIBBON-SHAPED ION BEAM
公开(公告)号：TW200733819A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095142241
申请日：2006-11-15
申请人：瓦里安半導體設備公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：瑞都凡諾史費特那B. RADOVANOV, SVETLANA B. , 凱勒曼彼德L. KELLERMAN, PETER L. , 本夫尼斯特維克多M. BENVENISTE, VICTOR M. , 林德柏格羅伯特C. LINDBERG, ROBERT C. , 波什肯尼士H. PURSER, KENNETH H. , 洛克威爾泰勒B. ROCKWELL, TYLER B. , 貝福詹姆士史帝夫 BUFF, JAMES STEVE , 雷諾安東尼 RENAU, ANTHONY
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/12 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/083 , H01J2237/121
摘要：本發明揭示一種緞帶狀離子束之成形技術。在一特定例示性實施例中,可將該技術實現為用於緞帶狀離子束之成形裝置。裝置可包含具有實質上為矩形之用於使緞帶狀離子束穿過之孔徑的靜電透鏡,其中多個聚焦元件沿孔徑之短邊緣而定位,且其中每一聚焦元件經各別地偏壓且定向以成形緞帶狀離子束。
简体摘要：本发明揭示一种缎带状离子束之成形技术。在一特定例示性实施例中,可将该技术实现为用于缎带状离子束之成形设备。设备可包含具有实质上为矩形之用于使缎带状离子束穿过之孔径的静电透镜,其中多个聚焦组件沿孔径之短边缘而定位,且其中每一聚焦组件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。

8. 发明专利

TW200520011A 離子佈植機之電極 ION IMPLANTER ELECTRODES 审中-公开
简体标题：离子布植机之电极 ION IMPLANTER ELECTRODES
公开(公告)号：TW200520011A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093131456
申请日：2004-10-15
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柏格李察大衛 GOLDBERG, RICHARD DAVID , 亞摩大衛喬治 ARMOUR, DAVID GEORGE , 布吉斯克里斯托弗 BURGESS, CHRISTOPHER , 繆瑞爾愛德利恩J. MURRELL, ADRIAN J.
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/12 , H01J2237/04756 , H01J2237/121 , H01J2237/31701
摘要：本發明提供一種離子佈植機，其具有一減速透鏡組件，該減速透鏡組件包含複數個電極，該等減速電極的一或多個孔洞以一種可改善該離子佈植機的方式被形成在該等電極中。在一實施例中，一電極孔洞的形狀大致為橢圓形且大體順應通過該孔洞的光束的形狀。在另一態樣中，一軸段從該孔洞中心向該軸段的端部的一中間點延伸該孔洞長度的40％。在每一點，從該中心到該中間點所測量之該孔洞的平均寬度大致小於該孔洞的最大寬度。
简体摘要：本发明提供一种离子布植机，其具有一减速透镜组件，该减速透镜组件包含复数个电极，该等减速电极的一或多个孔洞以一种可改善该离子布植机的方式被形成在该等电极中。在一实施例中，一电极孔洞的形状大致为椭圆形且大体顺应通过该孔洞的光束的形状。在另一态样中，一轴段从该孔洞中心向该轴段的端部的一中间点延伸该孔洞长度的40％。在每一点，从该中心到该中间点所测量之该孔洞的平均宽度大致小于该孔洞的最大宽度。

9. 发明专利

TW591703B 將一微粒束與一光束同時聚焦之管柱失效
简体标题：将一微粒束与一光束同时聚焦之管柱
公开(公告)号：TW591703B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW090106480
申请日：2001-03-20
申请人：史蘭寶科技公司 SCHLUMBERGER TECHNOLOGIES, INC. , 歐莎菲瑞斯公司 ORSAY PHYSICS S.A.
发明人：卡賓安東尼 CORBIN ANTOINE , 布奇特帕翠克 BOUCHET PATRICK , 賓納莎亞吉瑞得 BENASSAYAG GERARD , 蘇瑞德皮耶瑞 SUDRAUD PIERRE
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01J37/228 , G02B17/082 , H01J37/12 , H01J37/304 , H01J37/3056 , H01J2237/121 , H01J2237/2482 , H01J2237/31749
摘要：本發明係有關於一種用以產生聚焦微粒束的管柱，包括：
一微粒聚焦裝置(100)，包括一含有可讓微粒束(A)通過的輸出洞孔(131)的輸出電極(130)；
一光學聚焦裝置(200)，用於同時聚焦一光束(F)，包括一輸出孔徑(230)，本發明的特徵為，該輸出孔徑(230)對於該光束(F)而言是透明的，而該輸出電極(130)是製作成金屬嵌入件，承支在該孔徑(230)內並具有一成為該輸出洞孔的中心孔(131)。
简体摘要：本发明系有关于一种用以产生聚焦微粒束的管柱，包括：一微粒聚焦设备(100)，包括一含有可让微粒束(A)通过的输出洞孔(131)的输出电极(130)；一光学聚焦设备(200)，用于同时聚焦一光束(F)，包括一输出孔径(230)，本发明的特征为，该输出孔径(230)对于该光束(F)而言是透明的，而该输出电极(130)是制作成金属嵌入件，承支在该孔径(230)内并具有一成为该输出洞孔的中心孔(131)。

10. 发明专利

TW201630032A 用於離子植入的組合靜電透鏡系統审中-公开
简体标题：用于离子植入的组合静电透镜系统
公开(公告)号：TW201630032A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104143757
申请日：2015-12-25
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：艾斯能愛德華 , EISNER, EDWARD , 梵德伯格寶 , VANDERBERG, BO
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/12
CPC分类号： H01J37/12 , H01J37/05 , H01J37/1472 , H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/3171 , H01J2237/31705
摘要：本發明提供一種用於在低能量處將離子植入至一工作件之中的系統及方法。一被配置成用以產生一離子束的離子源會被提供，其中，一質量解析磁鐵會被配置成用以質量解析該離子束。該離子束可以為一帶狀射束或是一被掃描的點狀離子束。一被定位在該質量解析磁鐵下游處的質量解析孔徑會過濾該離子束中的非所希望的粒種。一組合靜電透鏡系統會被定位在該質量分析器的下游處，其中，當同時減速與平行化該離子束時，該離子束的一路徑會被偏折並且該離子束中的污染物通常會被濾除。一工作件掃描系統會進一步被定位在該組合靜電透鏡系統的下游處，並且被配置成用以在一或更多個方向中選擇性地平移一工作件通過該離子束，於其中會將離子植入至該工作件之中。
简体摘要：本发明提供一种用于在低能量处将离子植入至一工作件之中的系统及方法。一被配置成用以产生一离子束的离子源会被提供，其中，一质量解析磁铁会被配置成用以质量解析该离子束。该离子束可以为一带状射束或是一被扫描的点状离子束。一被定位在该质量解析磁铁下游处的质量解析孔径会过滤该离子束中的非所希望的粒种。一组合静电透镜系统会被定位在该质量分析器的下游处，其中，当同时减速与平行化该离子束时，该离子束的一路径会被偏折并且该离子束中的污染物通常会被滤除。一工作件扫描系统会进一步被定位在该组合静电透镜系统的下游处，并且被配置成用以在一或更多个方向中选择性地平移一工作件通过该离子束，于其中会将离子植入至该工作件之中。

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