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21. 发明专利

TWI651365B 組成物、底部塡料用積層體、積層體、半導體裝置之製造方法、及半導體裝置有权
简体标题：组成物、底部填料用积层体、积层体、半导体设备之制造方法、及半导体设备
公开(公告)号：TWI651365B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104108889
申请日：2015-03-20
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 吉田健太 , YOSHIDA, KENTA
IPC分类号： C08L69/00 , C08F290/06 , C09J169/00 , C09J4/00 , C09J7/20 , B32B27/36 , C09J5/00 , H01L21/52 , H01L23/52 , H01L25/065

22. 发明专利

TWI611923B 半導體裝置製造用暫時接合用積層體、及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备制造用暂时接合用积层体、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI611923B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW103110646
申请日：2014-03-21
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 吉田昌史 , YOSHIDA, MASAFUMI
IPC分类号： B32B27/06 , B32B7/04 , B32B33/00 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6835 , C09J7/40 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386

23. 发明专利

TW201704297A 前驅體組成物、感光性樹脂組成物、前驅體組成物的製造方法、硬化膜、硬化膜的製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：前驱体组成物、感光性树脂组成物、前驱体组成物的制造方法、硬化膜、硬化膜的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201704297A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105120423
申请日：2016-06-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：渋谷明規 , SHIBUYA, AKINORI , 岩井悠 , IWAI, YU , 川端健志 , KAWABATA, TAKESHI , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO
IPC分类号： C08G73/10 , C08G73/22 , G03F7/032 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , H01L21/312
CPC分类号： C08G73/10 , C08F2/44 , C08F110/02 , C08F136/00 , C08F283/04 , C08F290/14 , C08F290/145 , C08F2500/06 , C08G73/22 , G03F7/023 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/0387 , G03F7/20 , H01L21/02118
摘要：本發明提供一種曝光寬容度廣的感光性樹脂組成物、用以提供該感光性樹脂組成物的前驅體組成物、前驅體組成物的製造方法、硬化膜、硬化膜的製造方法、及半導體裝置。一種前驅體組成物，其包含含有雜環的聚合物前驅體的至少一種，所述含有雜環的聚合物前驅體選自聚醯亞胺前驅體及聚苯并噁唑前驅體中，所述含有雜環的聚合物前驅體的重量平均分子量/數量平均分子量即分散度為2.5以上。
简体摘要：本发明提供一种曝光宽容度广的感光性树脂组成物、用以提供该感光性树脂组成物的前驱体组成物、前驱体组成物的制造方法、硬化膜、硬化膜的制造方法、及半导体设备。一种前驱体组成物，其包含含有杂环的聚合物前驱体的至少一种，所述含有杂环的聚合物前驱体选自聚酰亚胺前驱体及聚苯并恶唑前驱体中，所述含有杂环的聚合物前驱体的重量平均分子量/数量平均分子量即分散度为2.5以上。

24. 发明专利

TW201617423A 假接著膜的製造方法、假接著膜、積層體、帶元件晶圓的積層體、假接著用組成物审中-公开
简体标题：假接着膜的制造方法、假接着膜、积层体、带组件晶圆的积层体、假接着用组成物
公开(公告)号：TW201617423A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104136943
申请日：2015-11-10
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：岩井悠 , IWAI, YU , 加持義貴 , KAMOCHI, YOSHITAKA , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 中村敦 , NAKAMURA, ATSUSHI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J11/08 , C09J11/06 , C09J153/00 , C09J4/02 , H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304 , C09J7/20 , C09J121/00 , C09J201/04
摘要：本發明提供一種剝離性優異且可控制剝離界面的假接著膜的製造方法、假接著膜、積層體、帶元件晶圓的積層體及假接著用組成物。一種假接著膜的製造方法，其包括於支撐體上將假接著用組成物塗佈為層狀並進行乾燥的步驟，假接著用組成物含有具有氟原子的化合物，關於假接著膜11，於假接著膜表面的使用X射線光電子分光法而得的氟原子的存在比率中，假接著膜的與支撐體為相反側的表面a中的氟原子的存在比率A、與假接著膜的支撐體側的表面中的氟原子的存在比率B滿足式（1）的關係，且氟原子的存在比率A為5%～40%。式（1）：A/B≧1.3
简体摘要：本发明提供一种剥离性优异且可控制剥离界面的假接着膜的制造方法、假接着膜、积层体、带组件晶圆的积层体及假接着用组成物。一种假接着膜的制造方法，其包括于支撑体上将假接着用组成物涂布为层状并进行干燥的步骤，假接着用组成物含有具有氟原子的化合物，关于假接着膜11，于假接着膜表面的使用X射线光电子分光法而得的氟原子的存在比率中，假接着膜的与支撑体为相反侧的表面a中的氟原子的存在比率A、与假接着膜的支撑体侧的表面中的氟原子的存在比率B满足式（1）的关系，且氟原子的存在比率A为5%～40%。式（1）：A/B≧1.3

25. 发明专利

TW201613989A 組成物、片的製造方法、片、積層體及帶有元件晶圓的積層體审中-公开
简体标题：组成物、片的制造方法、片、积层体及带有组件晶圆的积层体
公开(公告)号：TW201613989A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104131521
申请日：2015-09-24
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：加持義貴 , KAMOCHI, YOSHITAKA , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 中村敦 , NAKAMURA, ATSUSHI , 沢野充 , SAWANO, MITSURU
IPC分类号： C08J3/09 , C08J5/18 , C08L25/08 , C09J7/00 , B32B27/06 , H01L21/683
CPC分类号： C09J11/06 , B32B7/12 , B32B25/04 , B32B25/08 , B32B27/00 , B32B2457/14 , C08J3/092 , C08J5/18 , C08J2309/06 , C08J2353/02 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J121/00 , C09J153/025 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2453/00 , H01L21/02 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：提供一種組成物、片的製造方法、片、積層體及帶有元件晶圓的積層體，所述組成物的彈性體的溶解性良好，可提高固體成分濃度，可形成乾燥性、表面狀態及耐熱性優異的膜。該組成物含有：自25℃起以20℃/min升溫的5%熱質量減少溫度為375℃以上的彈性體；下述通式（1）所表示的沸點為160℃以上的溶劑；及沸點小於120℃的溶劑。通式（1）中，R1 ～R6 分別獨立地表示氫原子或脂肪族烴基。
简体摘要：提供一种组成物、片的制造方法、片、积层体及带有组件晶圆的积层体，所述组成物的弹性体的溶解性良好，可提高固体成分浓度，可形成干燥性、表面状态及耐热性优异的膜。该组成物含有：自25℃起以20℃/min升温的5%热质量减少温度为375℃以上的弹性体；下述通式（1）所表示的沸点为160℃以上的溶剂；及沸点小于120℃的溶剂。通式（1）中，R1 ～R6 分别独立地表示氢原子或脂肪族烃基。

26. 发明专利

TW201546221A 暫時固定接著劑、接著膜、接著性支撐體、積層體及接著劑套組审中-公开
简体标题：暂时固定接着剂、接着膜、接着性支撑体、积层体及接着剂套组
公开(公告)号：TW201546221A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104117584
申请日：2015-06-01
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：岩井悠 , IWAI, YU , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 加持義貴 , KAMOCHI, YOSHITAKA , 沢野充 , SAWANO, MITSURU , 中村敦 , NAKAMURA, ATSUSHI
IPC分类号： C09J153/02 , C09J7/00 , B32B7/12
CPC分类号： B32B7/12 , C09J7/00 , C09J11/08 , C09J153/02 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/683
摘要：本發明提供一種暫時固定接著劑、接著膜、接著性支撐體及積層體，所述暫時固定接著劑可形成可穩定地暫時接著基材、並且可容易地解除對基材的暫時接著的接著層。本發明的暫時固定接著劑含有在25℃下為液體狀且含有親油基及氟原子的化合物、以及彈性體。
简体摘要：本发明提供一种暂时固定接着剂、接着膜、接着性支撑体及积层体，所述暂时固定接着剂可形成可稳定地暂时接着基材、并且可容易地解除对基材的暂时接着的接着层。本发明的暂时固定接着剂含有在25℃下为液体状且含有亲油基及氟原子的化合物、以及弹性体。

27. 发明专利

TW201509687A 積層體及其應用审中-公开
简体标题：积层体及其应用
公开(公告)号：TW201509687A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103129130
申请日：2014-08-25
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：岩井悠 , IWAI, YU , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 加持義貴 , KAMOCHI, YOSHITAKA
IPC分类号： B32B7/12 , C09J7/02 , C09J4/00 , H01L21/60
CPC分类号： C09J4/06 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B27/06 , B32B27/281 , B32B27/288 , B32B27/36 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , C08F222/1006 , C08F2222/1013 , C08F2222/1026 , C08F2222/104 , C08F2222/108 , C09D125/06 , C09D145/00 , C09D169/00 , C09D181/06 , C09J4/00 , C09J201/00 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/81 , H01L2224/95
摘要：本發明提供在對被處理構件施予機械或化學處理之際，可藉由高接著力來暫時支撐被處理構件，同時不對處理過構件造成損傷，可容易地解除對於處理過構件之暫時支撐，處理構件的TTV優異之積層體、保護層形成用組成物、接著劑層形成用組成物以及套組。在(A)支撐體上依順序具有(B)軟化點為250℃以上的接著劑層、(C)保護層、(D)裝置晶圓，上述(B)接著劑層係接著劑層前驅物之硬化物，上述接著劑層前驅物具有(b-1)聚合性化合物。
简体摘要：本发明提供在对被处理构件施予机械或化学处理之际，可借由高接着力来暂时支撑被处理构件，同时不对处理过构件造成损伤，可容易地解除对于处理过构件之暂时支撑，处理构件的TTV优异之积层体、保护层形成用组成物、接着剂层形成用组成物以及套组。在(A)支撑体上依顺序具有(B)软化点为250℃以上的接着剂层、(C)保护层、(D)设备晶圆，上述(B)接着剂层系接着剂层前驱物之硬化物，上述接着剂层前驱物具有(b-1)聚合性化合物。

28. 发明专利

TW201509664A 積層體审中-公开
简体标题：积层体
公开(公告)号：TW201509664A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103128898
申请日：2014-08-22
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：加持義貴 , KAMOCHI, YOSHITAKA , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 中村敦 , NAKAMURA, ATSUSHI
IPC分类号： B32B27/30 , B32B27/18 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要：提供一種可在有機半導體上形成良好圖案的積層體。一種積層體，其係在有機半導體膜的表面至少依序具有水溶性樹脂膜、以及包含化學增幅型感光性樹脂組成物的光阻膜之積層體，其特徵係化學增幅型感光性樹脂組成物含有當在波長365nm中曝光100mJ/cm2以上時80莫耳%以上分解的光酸產生劑，曝光部因難溶於包含有機溶劑之顯像液而能形成遮罩圖案，且在形成遮罩圖案後利用作為蝕刻的遮罩。
简体摘要：提供一种可在有机半导体上形成良好图案的积层体。一种积层体，其系在有机半导体膜的表面至少依序具有水溶性树脂膜、以及包含化学增幅型感光性树脂组成物的光阻膜之积层体，其特征系化学增幅型感光性树脂组成物含有当在波长365nm中曝光100mJ/cm2以上时80莫耳%以上分解的光酸产生剂，曝光部因难溶于包含有机溶剂之显像液而能形成遮罩图案，且在形成遮罩图案后利用作为蚀刻的遮罩。

29. 发明专利

TW201423853A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201423853A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102137777
申请日：2013-10-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31133 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：茲提供一種在對被處理構件(半導體晶圓等)實施機械或化學處理時，可確實且輕易地暫時支撐被處理構件，並且可輕易地解除對已處理構件之暫時支撐而不會損傷已處理構件的半導體裝置之製造方法。一種半導體裝置之製造方法，其係具有下述步驟(a)、(b)及(c)：(a)使被處理構件的第1面與基板以夾著具有(A)剝離層及(B)接著性層之半導體裝置製造用暫時接合層的方式接著之步驟；(b)對與前述被處理構件的前述第1面相異的第2面實施機械或化學處理而得到已處理構件之步驟；及(c)使前述暫時接合層接觸剝離溶劑，而使前述已處理構件從前述接合層脫離之步驟，其係在使前述暫時接合層與前述剝離溶劑接觸時，進行藉由對剝離溶劑施加超音波、對前述暫時接合層噴射剝離溶劑、加熱剝離溶劑、攪拌剝離溶劑之任一種或此等之組合的剝離促進處理之步驟。
简体摘要：兹提供一种在对被处理构件(半导体晶圆等)实施机械或化学处理时，可确实且轻易地暂时支撑被处理构件，并且可轻易地解除对已处理构件之暂时支撑而不会损伤已处理构件的半导体设备之制造方法。一种半导体设备之制造方法，其系具有下述步骤(a)、(b)及(c)：(a)使被处理构件的第1面与基板以夹着具有(A)剥离层及(B)接着性层之半导体设备制造用暂时接合层的方式接着之步骤；(b)对与前述被处理构件的前述第1面相异的第2面实施机械或化学处理而得到已处理构件之步骤；及(c)使前述暂时接合层接触剥离溶剂，而使前述已处理构件从前述接合层脱离之步骤，其系在使前述暂时接合层与前述剥离溶剂接触时，进行借由对剥离溶剂施加超音波、对前述暂时接合层喷射剥离溶剂、加热剥离溶剂、搅拌剥离溶剂之任一种或此等之组合的剥离促进处理之步骤。

30. 发明专利

TW201412929A 半導體裝置製造用暫時接著層、積層體、以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备制造用暂时接着层、积层体、以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201412929A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134652
申请日：2013-09-26
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 藤牧一広 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J7/0225 , B32B37/12 , B32B37/18 , B32B38/0036 , B32B38/10 , B32B2457/14 , C09J5/00 , C09J5/06 , C09J7/401 , C09J125/06 , C09J145/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2423/005 , C09J2425/00 , C09J2425/005 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T428/2839 , Y10T428/31844 , Y10T428/31938
摘要：本發明提供一種半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、以及半導體裝置的製造方法，上述半導體裝置製造用暫時接合層包括(A)剝離層與(B)接著性層，且上述剝離層為含有烴樹脂的層，於對被處理構件(半導體晶圓等)實施機械處理或化學處理時，可確實且容易地暫時支持被處理構件，並且可不對已處理構件造成損傷，而容易地解除對於已處理構件的暫時支持。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备制造用暂时接合层、积层体、以及半导体设备的制造方法，上述半导体设备制造用暂时接合层包括(A)剥离层与(B)接着性层，且上述剥离层为含有烃树脂的层，于对被处理构件(半导体晶圆等)实施机械处理或化学处理时，可确实且容易地暂时支持被处理构件，并且可不对已处理构件造成损伤，而容易地解除对于已处理构件的暂时支持。

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