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1. 发明专利

TW201437318A 半導體裝置製造用暫時接合用積層體、及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备制造用暂时接合用积层体、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201437318A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103110275
申请日：2014-03-19
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： C09J7/02 , B32B7/06 , B32B7/10 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6835 , C09J4/00 , C09J123/16 , C09J125/14 , H01L21/324 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明提供於對被處理構件(半導體晶圓等)施予機械或化學處理之際，可確實且容易地暫時支持被處理構件，同時即使經過高溫的製程時，也不對處理過構件造成損傷，可容易地解除對於處理過構件的暫時支持之半導體裝置製造用暫時接合用積層體、及半導體裝置之製造方法。一種半導體裝置製造用暫時接合用積層體，其係具有(A)剝離層與(B)接著性層之半導體裝置製造用暫時接合用積層體，前述剝離層包含：(a1)於氮氣流下，在20℃/分鐘的一定速度升溫條件下測定時，重量減少5質量%的溫度為250℃以上的25℃下液體之化合物，與(a2)於氮氣流下，在20℃/分鐘的一定速度升溫條件下測定時，重量減少5質量%的溫度為250℃以上之黏結劑。
简体摘要：本发明提供于对被处理构件(半导体晶圆等)施予机械或化学处理之际，可确实且容易地暂时支持被处理构件，同时即使经过高温的制程时，也不对处理过构件造成损伤，可容易地解除对于处理过构件的暂时支持之半导体设备制造用暂时接合用积层体、及半导体设备之制造方法。一种半导体设备制造用暂时接合用积层体，其系具有(A)剥离层与(B)接着性层之半导体设备制造用暂时接合用积层体，前述剥离层包含：(a1)于氮气流下，在20℃/分钟的一定速度升温条件下测定时，重量减少5质量%的温度为250℃以上的25℃下液体之化合物，与(a2)于氮气流下，在20℃/分钟的一定速度升温条件下测定时，重量减少5质量%的温度为250℃以上之黏结剂。

2. 发明专利

TWI444439B 加工顏料與使用它之顏料分散組成物、著色感光性組成物、彩色濾光片、液晶顯示元件及固體攝像元件有权
简体标题：加工颜料与使用它之颜料分散组成物、着色感光性组成物、彩色滤光片、液晶显示组件及固体摄像组件
公开(公告)号：TWI444439B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW097138638
申请日：2008-10-08
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：菊池涉 , KIKUCHI, WATARU , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： C09B67/08 , C09B67/20 , C09B67/22 , C09B67/46 , G03F7/004 , G02B5/20

3. 发明专利

TW201423853A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201423853A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102137777
申请日：2013-10-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31133 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：茲提供一種在對被處理構件(半導體晶圓等)實施機械或化學處理時，可確實且輕易地暫時支撐被處理構件，並且可輕易地解除對已處理構件之暫時支撐而不會損傷已處理構件的半導體裝置之製造方法。一種半導體裝置之製造方法，其係具有下述步驟(a)、(b)及(c)：(a)使被處理構件的第1面與基板以夾著具有(A)剝離層及(B)接著性層之半導體裝置製造用暫時接合層的方式接著之步驟；(b)對與前述被處理構件的前述第1面相異的第2面實施機械或化學處理而得到已處理構件之步驟；及(c)使前述暫時接合層接觸剝離溶劑，而使前述已處理構件從前述接合層脫離之步驟，其係在使前述暫時接合層與前述剝離溶劑接觸時，進行藉由對剝離溶劑施加超音波、對前述暫時接合層噴射剝離溶劑、加熱剝離溶劑、攪拌剝離溶劑之任一種或此等之組合的剝離促進處理之步驟。
简体摘要：兹提供一种在对被处理构件(半导体晶圆等)实施机械或化学处理时，可确实且轻易地暂时支撑被处理构件，并且可轻易地解除对已处理构件之暂时支撑而不会损伤已处理构件的半导体设备之制造方法。一种半导体设备之制造方法，其系具有下述步骤(a)、(b)及(c)：(a)使被处理构件的第1面与基板以夹着具有(A)剥离层及(B)接着性层之半导体设备制造用暂时接合层的方式接着之步骤；(b)对与前述被处理构件的前述第1面相异的第2面实施机械或化学处理而得到已处理构件之步骤；及(c)使前述暂时接合层接触剥离溶剂，而使前述已处理构件从前述接合层脱离之步骤，其系在使前述暂时接合层与前述剥离溶剂接触时，进行借由对剥离溶剂施加超音波、对前述暂时接合层喷射剥离溶剂、加热剥离溶剂、搅拌剥离溶剂之任一种或此等之组合的剥离促进处理之步骤。

4. 发明专利

TWI479265B 含有染料之負型硬化性組合物、使用其之彩色濾光片及其製造方法、與固體攝像元件有权
简体标题：含有染料之负型硬化性组合物、使用其之彩色滤光片及其制造方法、与固体摄像组件
公开(公告)号：TWI479265B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW098133252
申请日：2009-09-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：村上陽祐 , MURAKAMI, YOSUKE , 漢那慎一 , KANNA, SHINICHI , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , C08F20/34 , G02B5/20 , H01L27/14
CPC分类号： G02B5/223 , C08F220/18 , G02B5/201 , G03F7/0007 , G03F7/033 , C08F220/06 , C08F220/34

5. 发明专利

TWI421308B 顏料分散組成物、光硬化性組成物、彩色濾光片、及彩色濾光片之製法有权
简体标题：颜料分散组成物、光硬化性组成物、彩色滤光片、及彩色滤光片之制法
公开(公告)号：TWI421308B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW097110292
申请日：2008-03-24
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO , 辻畑茂朝 , TSUJIHATA, SHIGETOMO
IPC分类号： C09B67/20 , G03F7/027 , G02B5/20
CPC分类号： C08F290/00 , C08F290/06 , C08K5/0041 , C08L33/02 , C08L67/00 , C09B67/009 , C09D17/002 , G02B5/20 , G03F7/0007 , C08L2666/04

6. 发明专利

TWI460234B 顏料分散組成物、顏料分散組成物之製法、著色聚合性組成物、彩色濾光片、及彩色濾光片之製法有权
简体标题：颜料分散组成物、颜料分散组成物之制法、着色聚合性组成物、彩色滤光片、及彩色滤光片之制法
公开(公告)号：TWI460234B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098111328
申请日：2009-04-06
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 山陽色素股份有限公司 , SANYO COLOR WORKS, LTD.
发明人：杉原幸一 , SUGIHARA, KOICHI , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO , 松本知司 , MATSUMOTO, SATOSHI , 藤井祐介 , FUJII, YUSUKE , 堤周作 , TSUTSUMI, SYUSAKU , 松下元昭 , MATSUSHITA, MOTOAKI
IPC分类号： C09B67/20 , C09B67/22 , C09B67/08 , C09B67/46 , G03F7/004 , G02B5/20

7. 发明专利

TW201430084A 半導體裝置製造用暫時性接著劑、以及使用其之接著性支撐體、及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备制造用暂时性接着剂、以及使用其之接着性支撑体、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201430084A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102148337
申请日：2013-12-26
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：岩井悠 , IWAI, YU , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 中村敦 , NAKAMURA, ATSUSHI
IPC分类号： C09J143/04 , C09J145/00 , C09J11/08 , C09J11/06 , H01L21/683
CPC分类号： C09J151/003 , C09J4/00 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J125/14 , C09J133/12 , C09J133/16 , C09J183/06 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：本發明提供半導體裝置製造用暫時性接著劑、以及使用其之接著性支撐體、及半導體裝置之製造方法，藉由含有(A)具有氟原子或矽原子的自由基聚合性單體或寡聚物、(B)高分子化合物、(C)自由基聚合引發劑之半導體裝置製造用暫時性接著劑，而塗布性優異，同時在對被處理構件(半導體晶圓等)施予機械或化學處理之際，即使於高溫下的暫時支撐中也可減低接著劑產生氣體之問題，更且即使經過高溫的製程後，也不對處理過構件造成損傷，可容易地解除對於處理過構件之暫時支撐。
简体摘要：本发明提供半导体设备制造用暂时性接着剂、以及使用其之接着性支撑体、及半导体设备之制造方法，借由含有(A)具有氟原子或硅原子的自由基聚合性单体或寡聚物、(B)高分子化合物、(C)自由基聚合引发剂之半导体设备制造用暂时性接着剂，而涂布性优异，同时在对被处理构件(半导体晶圆等)施予机械或化学处理之际，即使于高温下的暂时支撑中也可减低接着剂产生气体之问题，更且即使经过高温的制程后，也不对处理过构件造成损伤，可容易地解除对于处理过构件之暂时支撑。

8. 发明专利

TWI417355B 顏料分散組成物、光硬化性組成物、彩色濾光片及彩色濾光片之製造方法有权
简体标题：颜料分散组成物、光硬化性组成物、彩色滤光片及彩色滤光片之制造方法
公开(公告)号：TWI417355B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW096132172
申请日：2007-08-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：辻畑茂朝 , TSUJIHATA, SHIGETOMO , 杉原幸一 , SUGIHARA, KOICHI , 高橋秀知 , TAKAHASHI, HIDENORI , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： C09D17/00 , G02B5/20 , C08L51/00 , C08F265/04

9. 发明专利

TWI403837B 感光性組成物、感光性薄膜、使用該感光性組成物之永久圖案形成方法及印刷基板失效
简体标题：感光性组成物、感光性薄膜、使用该感光性组成物之永久图案形成方法及印刷基板
公开(公告)号：TWI403837B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW096107432
申请日：2007-03-05
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：高島正伸 , TAKASHIMA, MASANOBU , 神川弘 , KAMIKAWA, HIROSHI , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/032 , H05K3/28
CPC分类号： G03F7/033 , C08F2/48 , H05K3/287

10. 发明专利

TWI643925B 半導體裝置製造用暫時性接著劑、以及使用其之接著性支撐體、及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备制造用暂时性接着剂、以及使用其之接着性支撑体、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI643925B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW102148337
申请日：2013-12-26
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：岩井悠 , IWAI, YU , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO , 小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 中村敦 , NAKAMURA, ATSUSHI
IPC分类号： C09J143/04 , C09J145/00 , C09J11/08 , C09J11/06 , H01L21/683

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