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11. 发明专利

TW201826536A 高壓元件及其製造方法审中-公开
简体标题：高压组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201826536A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106100554
申请日：2017-01-09
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：蔡宗穎 , TSAI, TSUNG-YING , 游焜煌 , YOU, KUN-HUN , 黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要：本發明提出一種高壓元件及其製造方法。高壓元件包含：半導體基板、絕緣結構、閘極、本體區、井區、源極與汲極、以及輕摻雜擴散(lightly doped diffusion, LDD)區。其中，絕緣結構形成於半導體基板之上表面上，用以定義元件區。輕摻雜擴散區形成於元件區中之井區上，於橫向上，輕摻雜擴散區介於閘極與汲極之間，且輕摻雜擴散區不與汲極鄰接。
简体摘要：本发明提出一种高压组件及其制造方法。高压组件包含：半导体基板、绝缘结构、闸极、本体区、井区、源极与汲极、以及轻掺杂扩散(lightly doped diffusion, LDD)区。其中，绝缘结构形成于半导体基板之上表面上，用以定义组件区。轻掺杂扩散区形成于组件区中之井区上，于横向上，轻掺杂扩散区介于闸极与汲极之间，且轻掺杂扩散区不与汲极邻接。

12. 发明专利

TWI628739B 半導體裝置及其形成方法有权
简体标题：半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI628739B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106100590
申请日：2017-01-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃士文 , HUANG, SHIH WEN , 鄭凱鴻 , CHENG, KAI HUNG , 林嘉慧 , LIN, CHIA HUI , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU
IPC分类号： H01L21/762 , H01L29/36

13. 发明专利

TW201818547A 半導體結構與其形成方法审中-公开
简体标题：半导体结构与其形成方法
公开(公告)号：TW201818547A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135450
申请日：2016-11-02
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：李琮雄 , LEE, TSUNG HSIUNG , 楊俊庭 , YANG, CHUN TING , 陳和謙 , CHEN, HO CHIEN , 魏鈺庭 , WEI, YU TING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/84 , H01L21/336
摘要：本揭露是關於一種半導體結構，其包括絕緣層上半導體基板，上述絕緣層上半導體基板包括底板、設於底板上之埋藏氧化層、以及設於埋藏氧化層上之半導體層。上述半導體結構亦包括埋置於上述半導體層中且位於埋藏氧化層上之摻雜層、以及由上述半導體層之上表面延伸進入上述半導體層中且與摻雜層電性連接之接觸結構。
简体摘要：本揭露是关于一种半导体结构，其包括绝缘层上半导体基板，上述绝缘层上半导体基板包括底板、设于底板上之埋藏氧化层、以及设于埋藏氧化层上之半导体层。上述半导体结构亦包括埋置于上述半导体层中且位于埋藏氧化层上之掺杂层、以及由上述半导体层之上表面延伸进入上述半导体层中且与掺杂层电性连接之接触结构。

14. 发明专利

TWI615968B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI615968B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW106106083
申请日：2017-02-23
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：蔡英杰 , TSAI, YING-CHIEH
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/772 , H01L21/24 , H01L21/335

15. 发明专利

TW201806152A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201806152A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106111427
申请日：2017-04-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳弘斌 , CHEN, HUNG PIN , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 蕭茹雄 , HSIAO, RU SHANG , 陳力毅 , CHEN, LI YI
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/66795
摘要：一種半導體裝置包含突出於半導體基板的半導體鰭片。半導體鰭片包含在半導體基板上的多對半導體層。每一對半導體層包含第一導電型之第一半導體層與第二導電型之第二半導體層。第二半導體層堆疊於第一半導體層上且接觸第一半導體層。
简体摘要：一种半导体设备包含突出于半导体基板的半导体鳍片。半导体鳍片包含在半导体基板上的多对半导体层。每一对半导体层包含第一导电型之第一半导体层与第二导电型之第二半导体层。第二半导体层堆栈于第一半导体层上且接触第一半导体层。

16. 发明专利

TWI614901B 半導體結構與其形成方法有权
简体标题：半导体结构与其形成方法
公开(公告)号：TWI614901B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105135450
申请日：2016-11-02
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：李琮雄 , LEE, TSUNG HSIUNG , 楊俊庭 , YANG, CHUN TING , 陳和謙 , CHEN, HO CHIEN , 魏鈺庭 , WEI, YU TING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/84 , H01L21/336

17. 发明专利

TWI609486B 高壓半導體裝置有权
简体标题：高压半导体设备
公开(公告)号：TWI609486B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW105144152
申请日：2016-12-30
申请人：新唐科技股份有限公司 , NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：伊牧 , SIDDIQUI, MD IMRAN , 陳柏安 , CHEN, PO AN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7823 , H01L21/0274 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66681

18. 发明专利

TW201735154A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201735154A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105143418
申请日：2016-12-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李宜靜 , LEE, YI JING , 周立維 , CHOU, LI WEI , 游明華 , YU, MING HUA
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/161 , H01L29/36 , H01L29/417
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/30625 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/36 , H01L29/41783 , H01L29/41791
摘要：一種半導體裝置及其製造方法被揭露。半導體裝置包括一基板、於基板之上的一隔離結構、於基板之上且突出於隔離結構的二鰭片以及於二鰭片上的一磊晶特徵。磊晶特徵包括二下部與一上部。二下部分別位於二鰭片上。上部位於二下部上，且連接二下部。上部具有與二下部不同的摻雜濃度。上部的一頂表面實質上平坦。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法被揭露。半导体设备包括一基板、于基板之上的一隔离结构、于基板之上且突出于隔离结构的二鳍片以及于二鳍片上的一磊晶特征。磊晶特征包括二下部与一上部。二下部分别位于二鳍片上。上部位于二下部上，且连接二下部。上部具有与二下部不同的掺杂浓度。上部的一顶表面实质上平坦。

19. 发明专利

TW201733137A 功率二極體元件审中-公开
简体标题：功率二极管组件
公开(公告)号：TW201733137A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105107768
申请日：2016-03-14
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：羅梓源 , LO, TZU YUAN , 曾清秋 , TSENG, CHING CHIU , 許志維 , CHIH, WEI HSU
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
摘要：一種功率二極體元件。功率二極體元件包括基底、磊晶層、降低表面電場層、重摻雜接觸區以及隔離結構。磊晶層位於基底上，並具有和基底相同的導電型。降低表面電場層位於磊晶層上，並具有一頂面，其中所述降低表面電場層定義出一主動區。重摻雜接觸區形成於降低表面電場層的主動區內，並暴露於頂面，其中重摻雜接觸區和所述降低表面電場層具有相同的導電型。隔離結構形成於降低表面電場層內並環繞主動區，其中降低表面電場層與磊晶層及隔離結構之間形成一連續的PN接面。
简体摘要：一种功率二极管组件。功率二极管组件包括基底、磊晶层、降低表面电场层、重掺杂接触区以及隔离结构。磊晶层位于基底上，并具有和基底相同的导电型。降低表面电场层位于磊晶层上，并具有一顶面，其中所述降低表面电场层定义出一主动区。重掺杂接触区形成于降低表面电场层的主动区内，并暴露于顶面，其中重掺杂接触区和所述降低表面电场层具有相同的导电型。隔离结构形成于降低表面电场层内并环绕主动区，其中降低表面电场层与磊晶层及隔离结构之间形成一连续的pn结。

20. 发明专利

TW201729418A 通過閘極自對準接面改進接面分佈的取代體鰭式場效電晶體审中-公开
简体标题：通过闸极自对准接面改进接面分布的取代体鳍式场效应管
公开(公告)号：TW201729418A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105133533
申请日：2016-10-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：安德勒斯福羅C , ONTALUS, VIOREL C.
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要：本發明揭示在位於犧牲閘極結構的相對側上的半導體的部分上形成磊晶半導體層以後，將來自該磊晶半導體層的摻雜物擴散進入該半導體鰭片中，以形成含摻雜物半導體鰭片。移除犧牲閘極堆疊，以設置暴露該含摻雜物半導體鰭片的部分的閘極空腔。移除該含摻雜物半導體鰭片的該暴露部分，以在該閘極空腔下方設置開口。至少自該含摻雜物半導體鰭片的剩餘部分的側壁磊晶生長通道，該通道未經摻雜或者與該含摻雜物半導體鰭片的剩餘部分相比經較少摻雜。因此，在該通道區與該含摻雜物半導體鰭片的剩餘部分之間形成突變接面。
简体摘要：本发明揭示在位于牺牲闸极结构的相对侧上的半导体的部分上形成磊晶半导体层以后，将来自该磊晶半导体层的掺杂物扩散进入该半导体鳍片中，以形成含掺杂物半导体鳍片。移除牺牲闸极堆栈，以设置暴露该含掺杂物半导体鳍片的部分的闸极空腔。移除该含掺杂物半导体鳍片的该暴露部分，以在该闸极空腔下方设置开口。至少自该含掺杂物半导体鳍片的剩余部分的侧壁磊晶生长信道，该信道未经掺杂或者与该含掺杂物半导体鳍片的剩余部分相比经较少掺杂。因此，在该信道区与该含掺杂物半导体鳍片的剩余部分之间形成突变接面。

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