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1. 发明专利

TW201733137A 功率二極體元件审中-公开
简体标题：功率二极管组件
公开(公告)号：TW201733137A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105107768
申请日：2016-03-14
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：羅梓源 , LO, TZU YUAN , 曾清秋 , TSENG, CHING CHIU , 許志維 , CHIH, WEI HSU
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
摘要：一種功率二極體元件。功率二極體元件包括基底、磊晶層、降低表面電場層、重摻雜接觸區以及隔離結構。磊晶層位於基底上，並具有和基底相同的導電型。降低表面電場層位於磊晶層上，並具有一頂面，其中所述降低表面電場層定義出一主動區。重摻雜接觸區形成於降低表面電場層的主動區內，並暴露於頂面，其中重摻雜接觸區和所述降低表面電場層具有相同的導電型。隔離結構形成於降低表面電場層內並環繞主動區，其中降低表面電場層與磊晶層及隔離結構之間形成一連續的PN接面。
简体摘要：一种功率二极管组件。功率二极管组件包括基底、磊晶层、降低表面电场层、重掺杂接触区以及隔离结构。磊晶层位于基底上，并具有和基底相同的导电型。降低表面电场层位于磊晶层上，并具有一顶面，其中所述降低表面电场层定义出一主动区。重掺杂接触区形成于降低表面电场层的主动区内，并暴露于顶面，其中重掺杂接触区和所述降低表面电场层具有相同的导电型。隔离结构形成于降低表面电场层内并环绕主动区，其中降低表面电场层与磊晶层及隔离结构之间形成一连续的pn结。

2. 发明专利

TWI583004B 功率二極體元件有权
简体标题：功率二极管组件
公开(公告)号：TWI583004B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105107768
申请日：2016-03-14
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：羅梓源 , LO, TZU YUAN , 曾清秋 , TSENG, CHING CHIU , 許志維 , CHIH, WEI HSU
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36

3. 发明专利

TWI615939B 靜電放電保護元件有权
简体标题：静电放电保护组件
公开(公告)号：TWI615939B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW106123046
申请日：2017-07-10
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：謝志泓 , HSIEH, CHIH HUNG , 曾清秋 , TSENG, CHING CHIU , 許志維 , HSU, CHIH WEI
IPC分类号： H01L23/60

4. 发明专利

TW201440405A 橋式整流器以及其製造方法审中-公开
简体标题：桥式整流器以及其制造方法
公开(公告)号：TW201440405A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102113330
申请日：2013-04-15
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：曾清秋 , TSENG, CHING CHIU
IPC分类号： H02M7/04
摘要：一種橋式整流器，包括一共P型二極體晶粒、一共N型二極體晶粒、兩第一金屬層、兩對第二金屬層、一對交流輸入部以及一對直流輸出部。共P型二極體晶粒包括一共P型摻雜區、一對第一N型基底區以及一對N型摻雜區。而共N型二極體晶粒包括一共N型摻雜區、一對第二N型基底區以及一對P型摻雜區。第一金屬層分別連接共N型摻雜區以及共P型摻雜區。第二金屬層分別連接P型摻雜區以及N型摻雜區。交流輸入部分別連接共P型二極體晶粒的其中一第二金屬層以及共N型二極體晶粒的其中一第二金屬層。直流輸出部連接第一金屬層。
简体摘要：一种桥式整流器，包括一共P型二极管晶粒、一共N型二极管晶粒、两第一金属层、两对第二金属层、一对交流输入部以及一对直流输出部。共P型二极管晶粒包括一共P型掺杂区、一对第一N型基底区以及一对N型掺杂区。而共N型二极管晶粒包括一共N型掺杂区、一对第二N型基底区以及一对P型掺杂区。第一金属层分别连接共N型掺杂区以及共P型掺杂区。第二金属层分别连接P型掺杂区以及N型掺杂区。交流输入部分别连接共P型二极管晶粒的其中一第二金属层以及共N型二极管晶粒的其中一第二金属层。直流输出部连接第一金属层。

5. 发明专利

TW201838036A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201838036A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106111886
申请日：2017-04-10
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：羅梓源 , LO, TZU YUAN , 曾清秋 , TSENG, CHING CHIU , 許志維 , HSU, CHIH WEI
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861
摘要：本發明公開一種半導體元件及其製作方法，此方法首先提供一半導體基板，接著圖案化半導體基板以形成一高原結構及一相鄰於高原結構的溝槽，此後形成一鈍化層以覆蓋溝槽的壁面，其中鈍化層包括一氮化物層，最後形成一電極層於高原結構的表面上。據此，本發明可縮短製造時間並降低生產成本。
简体摘要：本发明公开一种半导体组件及其制作方法，此方法首先提供一半导体基板，接着图案化半导体基板以形成一高原结构及一相邻于高原结构的沟槽，此后形成一钝化层以覆盖沟槽的壁面，其中钝化层包括一氮化物层，最后形成一电极层于高原结构的表面上。据此，本发明可缩短制造时间并降低生产成本。

6. 发明专利

TWI505621B 橋式整流器以及其製造方法有权
简体标题：桥式整流器以及其制造方法
公开(公告)号：TWI505621B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102113330
申请日：2013-04-15
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：曾清秋 , TSENG, CHING CHIU
IPC分类号： H02M7/04

7. 发明专利

TWI246814B 過電壓保護裝置及其製造方法有权
简体标题：过电压保护设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI246814B
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW093103821
申请日：2004-02-17
申请人：敦南科技股份有限公司
发明人：曾清秋
IPC分类号： H02H
摘要：本發明為一種過電壓保護裝置及其製程，此保護裝置係於元件中央接面(central junction)之平行處設置一電壓極限區域(voltage-limiting region)，以產生一橫向的接面崩潰(junction breakdown)，此電壓極限區域與中央接面之間距定義了此裝置之崩潰電壓值(breakdown voltage)，而電壓極限區域的總長度則定義了此裝置之擊穿電流值(breakover current)，藉由本發明中電壓極限區域之位置與總長度的選擇，可製成擁有各種不同崩潰電壓與較低的擊穿電流，亦即較敏銳的過電壓保護裝置。
简体摘要：本发明为一种过电压保护设备及其制程，此保护设备系于组件中央接面(central junction)之平行处设置一电压极限区域(voltage-limiting region)，以产生一横向的接面崩溃(junction breakdown)，此电压极限区域与中央接面之间距定义了此设备之崩溃电压值(breakdown voltage)，而电压极限区域的总长度则定义了此设备之击穿电流值(breakover current)，借由本发明中电压极限区域之位置与总长度的选择，可制成拥有各种不同崩溃电压与较低的击穿电流，亦即较敏锐的过电压保护设备。

8. 发明专利

TWI297918B 半導體摻雜製程失效
简体标题：半导体掺杂制程
公开(公告)号：TWI297918B
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：TW093133396
申请日：2004-11-02
申请人：敦南科技股份有限公司
发明人：黃啓敬 , 曾清秋
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B31/02 , H01L21/2254
摘要：一種半導體摻雜製程,係於一擴散爐中使用氫氣避
免白金/黃金原子聚集於該半導體晶片內缺陷處,亦即避免
半導體晶片中微缺陷造成之白金/黃金原子聚集現象,使得
半導體摻雜製程可以穩定,並改善半導體之逆向特性,提
高產品之製造良率。
简体摘要：一种半导体掺杂制程,系于一扩散炉中使用氢气避免白金/黄金原子聚集于该半导体芯片内缺陷处,亦即避免半导体芯片中微缺陷造成之白金/黄金原子聚集现象,使得半导体掺杂制程可以稳定,并改善半导体之逆向特性,提高产品之制造良率。

9. 发明专利

TW200529530A 過電壓保護裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：过电压保护设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200529530A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW093103821
申请日：2004-02-17
申请人：敦南科技股份有限公司
发明人：曾清秋
IPC分类号： H02H
摘要：本發明為一種過電壓保護裝置及其製程，此保護裝置係於元件中央接面(central junction)之平行處設置一電壓極限區域(voltage–limiting region)，以產生一橫向的接面崩潰(junction breakdown)，此電壓極限區域與中央接面之間距定義了此裝置之崩潰電壓值(breakdown voltage)，而電壓極限區域的總長度則定義了此裝置之擊穿電流值(breakover current)，藉由本發明中電壓極限區域之位置與總長度的選擇，可製成擁有各種不同崩潰電壓與較低的擊穿電流，亦即較敏銳的過電壓保護裝置。
简体摘要：本发明为一种过电压保护设备及其制程，此保护设备系于组件中央接面(central junction)之平行处设置一电压极限区域(voltage–limiting region)，以产生一横向的接面崩溃(junction breakdown)，此电压极限区域与中央接面之间距定义了此设备之崩溃电压值(breakdown voltage)，而电压极限区域的总长度则定义了此设备之击穿电流值(breakover current)，借由本发明中电压极限区域之位置与总长度的选择，可制成拥有各种不同崩溃电压与较低的击穿电流，亦即较敏锐的过电压保护设备。

10. 发明专利

TW200631184A 功率二極體及其製造方法失效
简体标题：功率二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200631184A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW094105924
申请日：2005-02-25
申请人：敦南科技股份有限公司
发明人：蔡捷弘 , 曾清秋 , 鄭鴻龍
IPC分类号： H01L
摘要：一種功率二極體及其製造方法，係於製造功率二極體時利用形成之圓柱形P–N接面，藉由該圓柱形P–N接面之曲面效應，於功率二極體逆向偏壓下產生二極體崩潰路徑，達到控制功率二極體之崩潰電壓，使得功率二極體內之微缺陷不會影響空乏區之展開，以改善功率二極體之逆向電壓突降(snap down)的問題發生。
简体摘要：一种功率二极管及其制造方法，系于制造功率二极管时利用形成之圆柱形P–N接面，借由该圆柱形P–N接面之曲面效应，于功率二极管逆向偏压下产生二极管崩溃路径，达到控制功率二极管之崩溃电压，使得功率二极管内之微缺陷不会影响空乏区之展开，以改善功率二极管之逆向电压突降(snap down)的问题发生。

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