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11. 发明专利

TW201222658A 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW201222658A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW099144759
申请日：2010-12-20
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：大森健史 , 西森康博 , 石村裕昭 , 古林均 , 坂口正道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32816 , B08B7/0035 , H01J37/32834
摘要：本發明提供電漿處理方法，其可以抑制或減低處理室內壁或處理室內構件之Y2O3表面之變質層所引起之異物。本發明之電漿處理方法，係使用處理室內壁面之構成材料、或者處理室內構件之材料由氧化釔(Y2O3)構成之電漿處理裝置者；其特徵為具備：於上述處理室內配置試料，對上述試料進行蝕刻的工程；沈積物除去工程，係使用含有氟(F)或氯(Cl)之氣體電漿，將因為上述蝕刻工程而沈積於上述處理室內之沈積物予以除去；及將上述沈積物除去工程後之上述處理室內，曝露於稀有氣體電漿的工程。
简体摘要：本发明提供等离子处理方法，其可以抑制或减低处理室内壁或处理室内构件之Y2O3表面之变质层所引起之异物。本发明之等离子处理方法，系使用处理室内壁面之构成材料、或者处理室内构件之材料由氧化钇(Y2O3)构成之等离子处理设备者；其特征为具备：于上述处理室内配置试料，对上述试料进行蚀刻的工程；沉积物除去工程，系使用含有氟(F)或氯(Cl)之气体等离子，将因为上述蚀刻工程而沉积于上述处理室内之沉积物予以除去；及将上述沉积物除去工程后之上述处理室内，曝露于稀有气体等离子的工程。

12. 发明专利

TW201036494A 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法與設備 METHODS AND APPARATUS FOR DUAL CONFINEMENT AND ULTRA-HIGH PRESSURE IN AN ADJUSTABLE GAP PLASMA CHAMBER 审中-公开
简体标题：可调间隙等离子腔室内之双重局限与超高压力用之方法与设备 METHODS AND APPARATUS FOR DUAL CONFINEMENT AND ULTRA-HIGH PRESSURE IN AN ADJUSTABLE GAP PLASMA CHAMBER
公开(公告)号：TW201036494A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098143679
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司
发明人：費雪安德里斯 , 哈得森艾瑞克
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32816 , H01J37/3299 , H01L21/3065
摘要：茲提供電漿處理系統,其具有用以處理基板的電漿處理室。該電漿處理系統包括處理該基板用的至少一上電極及一下電極。該基板於電漿處理期間被置於該下電極上,其中該上電極與該基板形成第一間隙。該電漿處理系統也包括上電極周邊延伸部(UE-PE)。該UE-PE機械地與該上電極的周邊耦合,其中該UE-PE架構為與該上電極成非共平面。該電漿處理系統更包括一蓋環。該蓋環係架構為同心地繞著該下電極,其中該UE-PE及該蓋環形成第二間隙。
简体摘要：兹提供等离子处理系统,其具有用以处理基板的等离子处理室。该等离子处理系统包括处理该基板用的至少一上电极及一下电极。该基板于等离子处理期间被置于该下电极上,其中该上电极与该基板形成第一间隙。该等离子处理系统也包括上电极周边延伸部(UE-PE)。该UE-PE机械地与该上电极的周边耦合,其中该UE-PE架构为与该上电极成非共平面。该等离子处理系统更包括一盖环。该盖环系架构为同心地绕着该下电极,其中该UE-PE及该盖环形成第二间隙。

13. 发明专利

TW201809342A 用於膜輪廓調變之噴淋頭簾幕氣體方法及系統审中-公开
简体标题：用于膜轮廓调制之喷淋头帘幕气体方法及系统
公开(公告)号：TW201809342A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106119409
申请日：2017-06-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：可里伊許特克 , KARIM, ISHTAK , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4408 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/509 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32816 , H01J37/32899 , H01J37/3299 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：揭露沉積薄膜用的方法及系統。方法可包含：決定在該製程室中進行薄膜沉積用的複數製程條件，該複數製程條件包含在該製程室中之每一製程站之外圍附近流動之一簾幕氣體的一流動條件；(b)在薄膜沉積期間根據在(a)中所決定的該複數製程條件使該簾幕氣流至該製程室中的該每一製程站；(c)在(b)期間或在(b)之後，決定該製程室中之該簾幕氣體之一經調整的流動條件以改善基板非均勻度；(d)在(c)之後，在薄膜沉積期間根據在(c)中所決定之該經調整的流動條件流動該簾幕氣體。系統可包含氣體輸送系統、製程室、及具有用以進行(a)-(d)中之一或多者之控制邏輯的控制器。
简体摘要：揭露沉积薄膜用的方法及系统。方法可包含：决定在该制程室中进行薄膜沉积用的复数制程条件，该复数制程条件包含在该制程室中之每一制程站之外围附近流动之一帘幕气体的一流动条件；(b)在薄膜沉积期间根据在(a)中所决定的该复数制程条件使该帘幕气流至该制程室中的该每一制程站；(c)在(b)期间或在(b)之后，决定该制程室中之该帘幕气体之一经调整的流动条件以改善基板非均匀度；(d)在(c)之后，在薄膜沉积期间根据在(c)中所决定之该经调整的流动条件流动该帘幕气体。系统可包含气体输送系统、制程室、及具有用以进行(a)-(d)中之一或多者之控制逻辑的控制器。

14. 发明专利

TWI593317B 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法有权
简体标题：可调间隙等离子腔室内之双重局限与超高压力用之方法
公开(公告)号：TWI593317B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105108902
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER,ANDREAS , 哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32816 , H01J37/3299 , H01L21/3065

15. 发明专利

TW201715066A 濺鍍裝置及其狀態判別方法审中-公开
简体标题：溅镀设备及其状态判别方法
公开(公告)号：TW201715066A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105120192
申请日：2016-06-27
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：中村真也 , NAKAMURA, SHINYA , 藤井佳詞 , FUJII, YOSHINORI
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/081 , C23C14/35 , C23C14/52 , C23C14/54 , G01L13/00 , H01J37/32798 , H01J37/32816 , H01J37/34
摘要：提供一種能夠確實地判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜的狀態之濺鍍裝置及其狀態判別方法。本發明之濺鍍裝置之狀態判別方法，係為在對於靶材(2)進行濺鍍並在被與此靶材作對向配置的基板(W)上成膜之濺鍍裝置(SM)中，在對於基板所進行之成膜之前，判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜之狀態，作為濺鍍裝置，係使用藉由隔絕手段(6、71~73)來在真空腔內設置隔絕空間並且構成為伴隨著真空腔內之真空抽氣而使隔絕空間被進行真空抽氣者，該隔絕空間，係被與真空腔內相互隔絕，靶材與基板係面臨該隔絕空間，該濺鍍裝置之狀態判別方法，係包含有：第1判別工程，係將真空腔內真空抽氣至預先所設定的壓力，並在此狀態下導入氣體，而取得此時之隔絕空間內的壓力，並且將當以特定之膜厚、膜質面內分布來進行了成膜時所預先求取出之前述隔絕空間內之壓力作為基準壓力，再對於此基準壓力和前述所取得了的隔絕空間內之壓力作比較，而判別濺鍍裝置之狀態。
简体摘要：提供一种能够确实地判别真空腔内之氛围是否为适于进行成膜的状态之溅镀设备及其状态判别方法。本发明之溅镀设备之状态判别方法，系为在对于靶材(2)进行溅镀并在被与此靶材作对向配置的基板(W)上成膜之溅镀设备(SM)中，在对于基板所进行之成膜之前，判别真空腔内之氛围是否为适于进行成膜之状态，作为溅镀设备，系使用借由隔绝手段(6、71~73)来在真空腔内设置隔绝空间并且构成为伴随着真空腔内之真空抽气而使隔绝空间被进行真空抽气者，该隔绝空间，系被与真空腔内相互隔绝，靶材与基板系面临该隔绝空间，该溅镀设备之状态判别方法，系包含有：第1判别工程，系将真空腔内真空抽气至预先所设置的压力，并在此状态下导入气体，而取得此时之隔绝空间内的压力，并且将当以特定之膜厚、膜质面内分布来进行了成膜时所预先求取出之前述隔绝空间内之压力作为基准压力，再对于此基准压力和前述所取得了的隔绝空间内之压力作比较，而判别溅镀设备之状态。

16. 发明专利

TW201705264A 減壓處理裝置审中-公开
简体标题：减压处理设备
公开(公告)号：TW201705264A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105103537
申请日：2016-02-03
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：飯田英一 , IIDA, HIDEKAZU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32816
摘要：本發明提供一種減壓處理裝置。課題為在靜電夾頭中將晶圓吸附保持而進行電漿蝕刻的情況下，不需要切換施加於下部電極的電壓。解決手段為在以搬入機構將晶圓搬入腔室內而使保持部保持的晶圓與靜電夾頭的吸附面接觸的狀態下，使保持部與接地部連接並對下部電極施加直流電壓，且保持部將晶圓的吸附斷開並且使保持部從晶圓離開，藉此使靜電夾頭與晶圓互相帶有極性相異的電荷，而以吸附面吸附保持晶圓。
简体摘要：本发明提供一种减压处理设备。课题为在静电夹头中将晶圆吸附保持而进行等离子蚀刻的情况下，不需要切换施加于下部电极的电压。解决手段为在以搬入机构将晶圆搬入腔室内而使保持部保持的晶圆与静电夹头的吸附面接触的状态下，使保持部与接地部连接并对下部电极施加直流电压，且保持部将晶圆的吸附断开并且使保持部从晶圆离开，借此使静电夹头与晶圆互相带有极性相异的电荷，而以吸附面吸附保持晶圆。

17. 发明专利

TWI567818B 整組之侷限環設備有权
简体标题：整组之局限环设备
公开(公告)号：TWI567818B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW099132788
申请日：2010-09-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER , 凱亞拉曼羅哲拉曼那 , KALYANARAMAN, RAJARAMANAN , 馬尼沙薩那拉亞恩 , MANI, SATHYANARAYANAN , 哈坦恰瑞亞關坦 , BHATTACHARYYA, GAUTAM
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01J2237/334

18. 发明专利

TWI555442B 分散式多區域電漿源系統、方法及設備有权
简体标题：分佈式多区域等离子源系统、方法及设备
公开(公告)号：TWI555442B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100125012
申请日：2011-07-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：山吉阿里 , SHAJII, ALI , 古思喬理查 , GOTTSCHO, RICHARD , 班薩若克桑希爾 , BENZERROUK, SOUHEIL , 寇威安德魯 , COWE, ANDREW , 那嘉卡地希達哈斯P , NAGARKATTI, SIDDHARTH P. , 安特力威廉R , ENTLEY, WILLIAM R.
IPC分类号： H05H1/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32816 , H01J2237/334 , H05H2001/4652 , H05H2001/4682

19. 发明专利

TW201630069A 分離的電漿源控制用之系統、方法與設備审中-公开
简体标题：分离的等离子源控制用之系统、方法与设备
公开(公告)号：TW201630069A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105117114
申请日：2011-07-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：山吉阿里 , SHAJII,ALI , 古思喬理查 , GOTTSCHO,RICHARD , 班薩若克桑希爾 , BENZERROUK,SOUHEIL , 寇威安德魯 , COWE,ANDREW , 那嘉卡地希達哈斯 P , NAGARKATTI,SIDDHARTH P. , 安特力威廉 R , ENTLEY,WILLIAM R.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/24
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32816 , H01J2237/334 , H05H2001/4652 , H05H2001/4682
摘要：一種電漿源包含複數個環狀電漿腔室、複數個主線圈、複數個鐵磁體、及控制系統。每一個主線圈係纏繞環狀電漿腔室之每一者之外部。複數個環狀電漿腔室之每一者通過複數個鐵磁體之各自部分。控制系統係耦合至各環狀電漿腔室。亦描述一種用以產生並使用電漿的系統及方法。
简体摘要：一种等离子源包含复数个环状等离子腔室、复数个主线圈、复数个铁磁体、及控制系统。每一个主线圈系缠绕环状等离子腔室之每一者之外部。复数个环状等离子腔室之每一者通过复数个铁磁体之各自部分。控制系统系耦合至各环状等离子腔室。亦描述一种用以产生并使用等离子的系统及方法。

20. 发明专利

TWI538566B 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法與設備有权
简体标题：可调间隙等离子腔室内之双重局限与超高压力用之方法与设备
公开(公告)号：TWI538566B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW098143679
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 哈得森艾瑞克 , HUDSON, ERIC
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32816 , H01J37/3299 , H01L21/3065

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