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1. 发明专利

TWI445082B 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI445082B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW099144759
申请日：2010-12-20
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：大森健史 , OHMORI, TAKESHI , 西森康博 , NISHIMORI, YASUHIRO , 石村裕昭 , ISHIMURA, HIROAKI , 古林均 , KOBAYASHI, HITOSHI , 坂口正道 , SAKAGUCHI, MASAMICHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32816 , B08B7/0035 , H01J37/32834

2. 发明专利

TW201222658A 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW201222658A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW099144759
申请日：2010-12-20
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：大森健史 , 西森康博 , 石村裕昭 , 古林均 , 坂口正道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32816 , B08B7/0035 , H01J37/32834
摘要：本發明提供電漿處理方法，其可以抑制或減低處理室內壁或處理室內構件之Y2O3表面之變質層所引起之異物。本發明之電漿處理方法，係使用處理室內壁面之構成材料、或者處理室內構件之材料由氧化釔(Y2O3)構成之電漿處理裝置者；其特徵為具備：於上述處理室內配置試料，對上述試料進行蝕刻的工程；沈積物除去工程，係使用含有氟(F)或氯(Cl)之氣體電漿，將因為上述蝕刻工程而沈積於上述處理室內之沈積物予以除去；及將上述沈積物除去工程後之上述處理室內，曝露於稀有氣體電漿的工程。
简体摘要：本发明提供等离子处理方法，其可以抑制或减低处理室内壁或处理室内构件之Y2O3表面之变质层所引起之异物。本发明之等离子处理方法，系使用处理室内壁面之构成材料、或者处理室内构件之材料由氧化钇(Y2O3)构成之等离子处理设备者；其特征为具备：于上述处理室内配置试料，对上述试料进行蚀刻的工程；沉积物除去工程，系使用含有氟(F)或氯(Cl)之气体等离子，将因为上述蚀刻工程而沉积于上述处理室内之沉积物予以除去；及将上述沉积物除去工程后之上述处理室内，曝露于稀有气体等离子的工程。

3. 发明专利

TW201037765A 乾蝕刻方法审中-公开
简体标题：干蚀刻方法
公开(公告)号：TW201037765A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098128384
申请日：2009-08-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：井上喜晴 , 石村裕昭 , 古林均 , 石原益法 , 伊東亨 , 西田敏明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明之課題為：提供不受到微填充效果之限制，進而可以獲得側邊蝕刻少的良好形狀之乾蝕刻方法。其解決手段為：一種使用電漿，蝕刻於表面形成具有疏部及密部的圖案之試料的乾蝕刻方法，係使用：和圖案的疏部之蝕刻速度相比，圖案的密部之蝕刻速度較快之使用含有CF系氣體與氮氣體之蝕刻氣體的第1蝕刻步驟；及和圖案的密部之蝕刻速度相比，圖案的疏部之蝕刻速度較快之第2蝕刻步驟。
简体摘要：本发明之课题为：提供不受到微填充效果之限制，进而可以获得侧边蚀刻少的良好形状之干蚀刻方法。其解决手段为：一种使用等离子，蚀刻于表面形成具有疏部及密部的图案之试料的干蚀刻方法，系使用：和图案的疏部之蚀刻速度相比，图案的密部之蚀刻速度较快之使用含有CF系气体与氮气体之蚀刻气体的第1蚀刻步骤；及和图案的密部之蚀刻速度相比，图案的疏部之蚀刻速度较快之第2蚀刻步骤。

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