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    • 1. 发明专利
    • 電子激勵原子層蝕刻
    • 电子激励原子层蚀刻
    • TW202018807A
    • 2020-05-16
    • TW108123893
    • 2019-07-08
    • 美商蘭姆研究公司LAM RESEARCH CORPORATION
    • 貝里三世 伊凡 LBERRY III, IVAN L.立爾 托爾斯滕LILL, THORSTEN費雪 安德里斯FISCHER, ANDREAS
    • H01L21/3065H01L21/311H01L21/3213H01L21/67H01L21/027
    • 所揭示者為用以執行原子層蝕刻之設備及方法。一種方法可包含對基板上之材料的一或更多表面層進行改質、及使基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於一電子源,從而在沒有使用電漿之情況下移除基板上之經改質的該一或更多表面層。一種設備可包含一處理腔室、一處理氣體單元、一電子源、及一控制器,該控制器具有配置以引致下列步驟的指令:使該處理氣體單元使該第一處理氣體流至該腔室內部中的基板,該第一處理氣體係配置以對該基板上之材料的一或更多層進行改質;並且使該電子源產生電子,並使該基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於該等電子,在沒有使用電漿之情況下將經改質的該一或更多表面層移除。
    • 所揭示者为用以运行原子层蚀刻之设备及方法。一种方法可包含对基板上之材料的一或更多表面层进行改质、及使基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于一电子源,从而在没有使用等离子之情况下移除基板上之经改质的该一或更多表面层。一种设备可包含一处理腔室、一处理气体单元、一电子源、及一控制器,该控制器具有配置以引致下列步骤的指令:使该处理气体单元使该第一处理气体流至该腔室内部中的基板,该第一处理气体系配置以对该基板上之材料的一或更多层进行改质;并且使该电子源产生电子,并使该基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于该等电子,在没有使用等离子之情况下将经改质的该一或更多表面层移除。
    • 2. 发明专利
    • 原子層蝕刻中方向性之控制
    • 原子层蚀刻中方向性之控制
    • TW201842575A
    • 2018-12-01
    • TW107106273
    • 2018-02-26
    • 美商蘭姆研究公司LAM RESEARCH CORPORATION
    • 費雪 安德里斯FISCHER, ANDREAS立爾 托爾斯滕LILL, THORSTEN兼內克 理查JANEK, RICHARD
    • H01L21/3065G03F1/80
    • 提供一種在基板上執行原子層蝕刻(ALE)的方法,該方法包含以下操作:在一基板表面上執行一表面改質操作,該表面改質操作係用以將該基板表面的至少一單層轉化為一改質層,其中於該表面改質操作期間施加一偏壓電壓,該偏壓電壓係用以控制該表面改質操作所轉化的該基板表面的一深度;在該基板表面上執行一移除操作,該移除操作係用以從該基板表面移除該改質層的至少一部分,其中移除該改質層的該部分之該步驟係透過一配體交換反應而實行,該配體交換反應係用以使該改質層的該部分揮發。在該移除操作之後可執行一電漿處理以從該基板表面移除殘留物。
    • 提供一种在基板上运行原子层蚀刻(ALE)的方法,该方法包含以下操作:在一基板表面上运行一表面改质操作,该表面改质操作系用以将该基板表面的至少一单层转化为一改质层,其中于该表面改质操作期间施加一偏压电压,该偏压电压系用以控制该表面改质操作所转化的该基板表面的一深度;在该基板表面上运行一移除操作,该移除操作系用以从该基板表面移除该改质层的至少一部分,其中移除该改质层的该部分之该步骤系透过一配体交换反应而实行,该配体交换反应系用以使该改质层的该部分挥发。在该移除操作之后可运行一等离子处理以从该基板表面移除残留物。
    • 6. 发明专利
    • 用於半導體基板處理設備之冷卻銷升降機槳
    • 用于半导体基板处理设备之冷却销直升电梯桨
    • TW201521137A
    • 2015-06-01
    • TW103124410
    • 2014-07-16
    • 蘭姆研究公司LAM RESEARCH CORPORATION
    • 費雪 安德里斯FISCHER, ANDREAS拉森 汀LARSON, DEAN
    • H01L21/67
    • H01L21/68742H01J37/32715H01J37/32724H01L21/67109
    • 一半導體基板處理設備包含一冷卻銷升降機槳,用以舉高及降低半導體基板。該半導體基板處理設備包含一處理室,於其中進行對半導體基板的處理;一加熱支座,用以支撐處理室中之半導體基板;以及位於該支座下方之冷卻銷升降機槳。該冷卻銷升降機槳包含一遮熱板以及位於該遮熱板之外周圍部分中之至少一流動通道,冷卻劑可循環流通於該流動通道而將冷卻銷升降機槳之該遮熱板所吸收的熱能移除。該冷卻銷升降機槳可垂直移動,俾使遮熱板之一上表面上之升降銷可行進通過該支座中之相對應的孔洞,且一冷卻劑源係與該至少一流動通道流體相通。
    • 一半导体基板处理设备包含一冷却销直升电梯桨,用以举高及降低半导体基板。该半导体基板处理设备包含一处理室,于其中进行对半导体基板的处理;一加热支座,用以支撑处理室中之半导体基板;以及位于该支座下方之冷却销直升电梯桨。该冷却销直升电梯桨包含一遮热板以及位于该遮热板之外周围部分中之至少一流动信道,冷却剂可循环流通于该流动信道而将冷却销直升电梯桨之该遮热板所吸收的热能移除。该冷却销直升电梯桨可垂直移动,俾使遮热板之一上表面上之升降销可行进通过该支座中之相对应的孔洞,且一冷却剂源系与该至少一流动信道流体相通。