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1. 发明专利

TW202018807A 電子激勵原子層蝕刻审中-公开
简体标题：电子激励原子层蚀刻
公开(公告)号：TW202018807A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108123893
申请日：2019-07-08
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/027
摘要：所揭示者為用以執行原子層蝕刻之設備及方法。一種方法可包含對基板上之材料的一或更多表面層進行改質、及使基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於一電子源，從而在沒有使用電漿之情況下移除基板上之經改質的該一或更多表面層。一種設備可包含一處理腔室、一處理氣體單元、一電子源、及一控制器，該控制器具有配置以引致下列步驟的指令：使該處理氣體單元使該第一處理氣體流至該腔室內部中的基板，該第一處理氣體係配置以對該基板上之材料的一或更多層進行改質；並且使該電子源產生電子，並使該基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於該等電子，在沒有使用電漿之情況下將經改質的該一或更多表面層移除。
简体摘要：所揭示者为用以运行原子层蚀刻之设备及方法。一种方法可包含对基板上之材料的一或更多表面层进行改质、及使基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于一电子源，从而在没有使用等离子之情况下移除基板上之经改质的该一或更多表面层。一种设备可包含一处理腔室、一处理气体单元、一电子源、及一控制器，该控制器具有配置以引致下列步骤的指令：使该处理气体单元使该第一处理气体流至该腔室内部中的基板，该第一处理气体系配置以对该基板上之材料的一或更多层进行改质；并且使该电子源产生电子，并使该基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于该等电子，在没有使用等离子之情况下将经改质的该一或更多表面层移除。

2. 发明专利

TW201842575A 原子層蝕刻中方向性之控制审中-公开
简体标题：原子层蚀刻中方向性之控制
公开(公告)号：TW201842575A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107106273
申请日：2018-02-26
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 兼內克理查 , JANEK, RICHARD
IPC分类号： H01L21/3065 , G03F1/80
摘要：提供一種在基板上執行原子層蝕刻(ALE)的方法，該方法包含以下操作：在一基板表面上執行一表面改質操作，該表面改質操作係用以將該基板表面的至少一單層轉化為一改質層，其中於該表面改質操作期間施加一偏壓電壓，該偏壓電壓係用以控制該表面改質操作所轉化的該基板表面的一深度；在該基板表面上執行一移除操作，該移除操作係用以從該基板表面移除該改質層的至少一部分，其中移除該改質層的該部分之該步驟係透過一配體交換反應而實行，該配體交換反應係用以使該改質層的該部分揮發。在該移除操作之後可執行一電漿處理以從該基板表面移除殘留物。
简体摘要：提供一种在基板上运行原子层蚀刻(ALE)的方法，该方法包含以下操作：在一基板表面上运行一表面改质操作，该表面改质操作系用以将该基板表面的至少一单层转化为一改质层，其中于该表面改质操作期间施加一偏压电压，该偏压电压系用以控制该表面改质操作所转化的该基板表面的一深度；在该基板表面上运行一移除操作，该移除操作系用以从该基板表面移除该改质层的至少一部分，其中移除该改质层的该部分之该步骤系透过一配体交换反应而实行，该配体交换反应系用以使该改质层的该部分挥发。在该移除操作之后可运行一等离子处理以从该基板表面移除残留物。

3. 发明专利

TWI636502B 混合式特徵部蝕刻及斜角蝕刻系統有权
简体标题：混合式特征部蚀刻及斜角蚀刻系统
公开(公告)号：TWI636502B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103124122
申请日：2014-07-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H01L21/3065

4. 发明专利

TW201738954A 使用電漿與蒸氣處理組合之AL2O3的原子層蝕刻审中-公开
简体标题：使用等离子与蒸气处理组合之AL2O3的原子层蚀刻
公开(公告)号：TW201738954A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106106310
申请日：2017-02-24
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 兼內克理查 , JANEK, RICHARD , 彭尼費斯約翰 , BONIFACE, JOHN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31122 , C23F1/00 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J2237/334
摘要：本說明書提供在基板上執行原子層蝕刻(ALE, atomic layer etching)的方法，其包含下列方法操作：在該基板的表面上執行表面改質操作，該表面改質操作係安排以將該基板的表面之至少一單層轉換為經改質的層；在該基板的表面上執行移除操作，該移除操作係安排以自該基板的表面移除該經改質的層，其中經由配位基交換反應來進行移除該經改質的層之操作，該配位基交換反應係安排以使該經改質的層揮發；在該移除操作之後，在該基板的表面上執行電漿處理，該電漿處理係安排以自該基板的表面移除由該移除操作所產生的殘留物，其中藉由該電漿處理而使該殘留物揮發；重複該等前述操作直至已自該基板的表面蝕刻預定的厚度為止。
简体摘要：本说明书提供在基板上运行原子层蚀刻(ALE, atomic layer etching)的方法，其包含下列方法操作：在该基板的表面上运行表面改质操作，该表面改质操作系安排以将该基板的表面之至少一单层转换为经改质的层；在该基板的表面上运行移除操作，该移除操作系安排以自该基板的表面移除该经改质的层，其中经由配位基交换反应来进行移除该经改质的层之操作，该配位基交换反应系安排以使该经改质的层挥发；在该移除操作之后，在该基板的表面上运行等离子处理，该等离子处理系安排以自该基板的表面移除由该移除操作所产生的残留物，其中借由该等离子处理而使该残留物挥发；重复该等前述操作直至已自该基板的表面蚀刻预定的厚度为止。

5. 发明专利

TWI538566B 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法與設備有权
简体标题：可调间隙等离子腔室内之双重局限与超高压力用之方法与设备
公开(公告)号：TWI538566B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW098143679
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 哈得森艾瑞克 , HUDSON, ERIC
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32816 , H01J37/3299 , H01L21/3065

6. 发明专利

TW201521137A 用於半導體基板處理設備之冷卻銷升降機槳审中-公开
简体标题：用于半导体基板处理设备之冷却销直升电梯桨
公开(公告)号：TW201521137A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103124410
申请日：2014-07-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 拉森汀 , LARSON, DEAN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109
摘要：一半導體基板處理設備包含一冷卻銷升降機槳，用以舉高及降低半導體基板。該半導體基板處理設備包含一處理室，於其中進行對半導體基板的處理；一加熱支座，用以支撐處理室中之半導體基板；以及位於該支座下方之冷卻銷升降機槳。該冷卻銷升降機槳包含一遮熱板以及位於該遮熱板之外周圍部分中之至少一流動通道，冷卻劑可循環流通於該流動通道而將冷卻銷升降機槳之該遮熱板所吸收的熱能移除。該冷卻銷升降機槳可垂直移動，俾使遮熱板之一上表面上之升降銷可行進通過該支座中之相對應的孔洞，且一冷卻劑源係與該至少一流動通道流體相通。
简体摘要：一半导体基板处理设备包含一冷却销直升电梯桨，用以举高及降低半导体基板。该半导体基板处理设备包含一处理室，于其中进行对半导体基板的处理；一加热支座，用以支撑处理室中之半导体基板；以及位于该支座下方之冷却销直升电梯桨。该冷却销直升电梯桨包含一遮热板以及位于该遮热板之外周围部分中之至少一流动信道，冷却剂可循环流通于该流动信道而将冷却销直升电梯桨之该遮热板所吸收的热能移除。该冷却销直升电梯桨可垂直移动，俾使遮热板之一上表面上之升降销可行进通过该支座中之相对应的孔洞，且一冷却剂源系与该至少一流动信道流体相通。

7. 发明专利

TWI664879B 多段電極組件及其方法有权
简体标题：多段电极组件及其方法
公开(公告)号：TWI664879B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103112693
申请日：2014-04-07
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46

8. 发明专利

TW201835680A 原子層蝕刻方法與設備审中-公开
简体标题：原子层蚀刻方法与设备
公开(公告)号：TW201835680A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106145183
申请日：2017-12-22
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛 , SMITH, DAVID , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 費雪安德里斯安 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： G03F1/80 , G03F1/82
摘要：提供一種基板表面之原子層蝕刻之執行方法，包含：藉由暴露該基板表面於一表面轉化反應物以執行一表面轉化操作；藉由暴露該基板表面於一含配體反應物以執行一配體交換操作；執行一脫附操作，其引起表面物種由基板表面移除；執行一清除操作；重複該表面轉化操作、該配體交換操作、該脫附操作、以及該清除操作達一預定數目之循環。
简体摘要：提供一种基板表面之原子层蚀刻之运行方法，包含：借由暴露该基板表面于一表面转化反应物以运行一表面转化操作；借由暴露该基板表面于一含配体反应物以运行一配体交换操作；运行一脱附操作，其引起表面物种由基板表面移除；运行一清除操作；重复该表面转化操作、该配体交换操作、该脱附操作、以及该清除操作达一预定数目之循环。

9. 发明专利

TWI606483B 多層分段電極、使用該多層分段電極的電漿處理系統及用於該系統之方法有权
简体标题：多层分段电极、使用该多层分段电极的等离子处理系统及用于该系统之方法
公开(公告)号：TWI606483B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW102142092
申请日：2013-11-19
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 雅各德夫 , JACOB, DAVE
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H02J4/00 , B44C1/227 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/3255

10. 发明专利

TWI512135B 用於半導體材料處理設備之具有低微塵粒特性的噴淋頭電極與噴淋頭電極組件有权
简体标题：用于半导体材料处理设备之具有低微尘粒特性的喷淋头电极与喷淋头电极组件
公开(公告)号：TWI512135B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW097111315
申请日：2008-03-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安德里斯費雪 , FISCHER, ANDREAS , 羅金德漢沙 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574

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