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1. 发明专利

TWI608544B 處理晶圓的方法有权
简体标题：处理晶圆的方法
公开(公告)号：TWI608544B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105129203
申请日：2012-09-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHATANOV,ALEXEI , 漢沙羅金德 , DHINDSA,RAJINDER , 哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC , 貝利三世安祖 D , BAILEY III,ANDREW D.
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32825 , H01J2237/3341 , H01L21/31116 , H01L21/67069

2. 发明专利

TWI593317B 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法有权
简体标题：可调间隙等离子腔室内之双重局限与超高压力用之方法
公开(公告)号：TWI593317B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105108902
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER,ANDREAS , 哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32816 , H01J37/3299 , H01L21/3065

3. 发明专利

TW201625075A 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法與設備审中-公开
简体标题：可调间隙等离子腔室内之双重局限与超高压力用之方法与设备
公开(公告)号：TW201625075A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW105108902
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER,ANDREAS , 哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32816 , H01J37/3299 , H01L21/3065
摘要：茲提供電漿處理系統，其具有用以處理基板的電漿處理室。該電漿處理系統包括處理該基板用的至少一上電極及一下電極。該基板於電漿處理期間被置於該下電極上，其中該上電極與該基板形成第一間隙。該電漿處理系統也包括上電極周邊延伸部(UE-PE)。該UE-PE機械地與該上電極的周邊耦合，其中該UE-PE架構為與該上電極成非共平面。該電漿處理系統更包括一蓋環。該蓋環係架構為同心地繞著該下電極，其中該UE-PE及該蓋環形成第二間隙。
简体摘要：兹提供等离子处理系统，其具有用以处理基板的等离子处理室。该等离子处理系统包括处理该基板用的至少一上电极及一下电极。该基板于等离子处理期间被置于该下电极上，其中该上电极与该基板形成第一间隙。该等离子处理系统也包括上电极周边延伸部(UE-PE)。该UE-PE机械地与该上电极的周边耦合，其中该UE-PE架构为与该上电极成非共平面。该等离子处理系统更包括一盖环。该盖环系架构为同心地绕着该下电极，其中该UE-PE及该盖环形成第二间隙。

4. 发明专利

TWI639362B 電漿處理系統內之離子能量分布控制有权
简体标题：等离子处理系统内之离子能量分布控制
公开(公告)号：TWI639362B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW104131082
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER,ANDREAS , 哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46

5. 发明专利

TW201701355A 處理晶圓的方法审中-公开
简体标题：处理晶圆的方法
公开(公告)号：TW201701355A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105129203
申请日：2012-09-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHATANOV,ALEXEI , 漢沙羅金德 , DHINDSA,RAJINDER , 哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC , 貝利三世安祖 D , BAILEY III,ANDREW D.
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32825 , H01J2237/3341 , H01L21/31116 , H01L21/67069
摘要：提供用以處理雙腔室結構中之脈衝電漿腔室內之半導體基板的系統、方法、以及電腦程式。一種晶圓處理設備，其具有由一板所隔開的一頂部腔室與一底部腔室，該板使該頂部腔室流體連接至該底部腔室，該設備包含：一連續波(CW，continuous wave)控制器、一脈衝控制器、以及一系統控制器。該CW控制器用以設定一第一射頻(RF，radio frequency)電源的電壓與頻率，該第一射頻電源係耦合至該頂部腔室中的一頂部電極。該脈衝控制器用以設定由一第二RF電源所產生之一脈衝RF信號的電壓、頻率、開啟週期(ON-period)之持續時間、以及關閉週期(OFF-period)之持續時間，該第二RF電源係耦合至該底部腔室中的一底部電極。又，該系統控制器用以設定該CW控制器與該脈衝控制器的參數，以在該腔室的操作期間調節從該頂部腔室通過該板而到該底部腔室之物種的流動。該物種的流動在該關閉週期內之餘輝期間協助負離子蝕刻以及晶圓表面上之過多正電荷的中和，並且在該開啟週期期間協助該底部腔室中的電漿再觸發。
简体摘要：提供用以处理双腔室结构中之脉冲等离子腔室内之半导体基板的系统、方法、以及电脑进程。一种晶圆处理设备，其具有由一板所隔开的一顶部腔室与一底部腔室，该板使该顶部腔室流体连接至该底部腔室，该设备包含：一连续波(CW，continuous wave)控制器、一脉冲控制器、以及一系统控制器。该CW控制器用以设置一第一射频(RF，radio frequency)电源的电压与频率，该第一射频电源系耦合至该顶部腔室中的一顶部电极。该脉冲控制器用以设置由一第二RF电源所产生之一脉冲RF信号的电压、频率、打开周期(ON-period)之持续时间、以及关闭周期(OFF-period)之持续时间，该第二RF电源系耦合至该底部腔室中的一底部电极。又，该系统控制器用以设置该CW控制器与该脉冲控制器的参数，以在该腔室的操作期间调节从该顶部腔室通过该板而到该底部腔室之物种的流动。该物种的流动在该关闭周期内之余辉期间协助负离子蚀刻以及晶圆表面上之过多正电荷的中和，并且在该打开周期期间协助该底部腔室中的等离子再触发。

6. 发明专利

TW201712776A 藉由監視微量氣體濃度以偵測晶圓電漿處理中之發弧現象审中-公开
简体标题：借由监视微量气体浓度以侦测晶圆等离子处理中之发弧现象
公开(公告)号：TW201712776A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW106100910
申请日：2009-05-12
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC , 費雪安德里斯 , FISCHER,ANDREAS
IPC分类号： H01L21/66 , H05H1/16
CPC分类号： H01J37/32972 , H01J37/32935
摘要：茲提供一種在半導體電漿處理設備中偵測基板發弧的方法。將基板放置在電漿處理設備之反應室中的基板支座上。將處理氣體導入處理室中。由處理氣體產生電漿，並以電漿處理基板。在電漿處理期間，監視在反應室中產生之選定氣體物種之即時光譜信號的強度。選定氣體物種係由基板發弧現象所產生。當強度大於門檻值時，偵測出發弧現象。
简体摘要：兹提供一种在半导体等离子处理设备中侦测基板发弧的方法。将基板放置在等离子处理设备之反应室中的基板支座上。将处理气体导入处理室中。由处理气体产生等离子，并以等离子处理基板。在等离子处理期间，监视在反应室中产生之选定气体物种之实时光谱信号的强度。选定气体物种系由基板发弧现象所产生。当强度大于门槛值时，侦测出发弧现象。

7. 发明专利

TW201603651A 電漿處理系統內之離子能量分布控制审中-公开
简体标题：等离子处理系统内之离子能量分布控制
公开(公告)号：TW201603651A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104131082
申请日：2009-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER,ANDREAS , 哈得森艾瑞克 , HUDSON,ERIC
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32091
摘要：茲提供一種以電漿處理至少一基板的電漿處理系統。該電漿處理室能夠控制離子能量分布。該電漿處理系統可包括第一電極。該電漿處理系統也包括異於該第一電極且用以支持基板的第二電極。該電漿處理系統也可包括與該第一電極結合的訊號源。該訊號源可經第一電極提供非正弦訊號，以在該電漿處理系統中處理基板時，控制該基板處的離子能量分布，其中該非正弦訊號係週期性的。
简体摘要：兹提供一种以等离子处理至少一基板的等离子处理系统。该等离子处理室能够控制离子能量分布。该等离子处理系统可包括第一电极。该等离子处理系统也包括异于该第一电极且用以支持基板的第二电极。该等离子处理系统也可包括与该第一电极结合的信号源。该信号源可经第一电极提供非正弦信号，以在该等离子处理系统中处理基板时，控制该基板处的离子能量分布，其中该非正弦信号系周期性的。

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