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11. 发明专利

TW201802864A 用於清洗和乾燥積體電路基板的方法和裝置审中-公开
简体标题：用于清洗和干燥集成电路基板的方法和设备
公开(公告)号：TW201802864A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121963
申请日：2016-07-12
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , B08B3/04
摘要：本發明揭示了一種用於清洗和乾燥積體電路基板的方法和裝置。裝置包括：放置並支撐基板的卡盤；與卡盤相連的驅動單元，驅動單元驅動卡盤旋轉；位於基板上方的固體板；設置在固體板上的第一噴嘴，第一噴嘴向基板表面噴灑清洗液；設置在固體板上的第二噴嘴，第二噴嘴向基板表面噴灑低張力液體；位於基板上方的活動臂，活動臂向基板表面供應乾燥氣體。
简体摘要：本发明揭示了一种用于清洗和干燥集成电路基板的方法和设备。设备包括：放置并支撑基板的卡盘；与卡盘相连的驱动单元，驱动单元驱动卡盘旋转；位于基板上方的固体板；设置在固体板上的第一喷嘴，第一喷嘴向基板表面喷洒清洗液；设置在固体板上的第二喷嘴，第二喷嘴向基板表面喷洒低张力液体；位于基板上方的活动臂，活动臂向基板表面供应干燥气体。

12. 发明专利

TW201801165A 優化金屬平坦化工藝的方法审中-公开
简体标题：优化金属平坦化工艺的方法
公开(公告)号：TW201801165A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119589
申请日：2016-06-22
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L23/48 , B24B37/04 , C25F3/16
摘要：本發明揭示了一種優化金屬平坦化工藝的方法，包括：採用化學機械平坦化去除互連結構上表面上的大部分金屬層直到剩餘金屬層的厚度達到預定值Y，剩餘金屬層為覆蓋互連結構上表面的連續層，其中，剩餘金屬層具有第一表面平均粗糙度Ra1，該第一表面平均粗糙度Ra1是由化學機械平坦化引起的；採用無應力抛光工藝去除互連結構上表面上的剩餘金屬層，無應力抛光工藝完成後，互連結構凹進區域內的金屬層的上表面低於互連結構的上表面，其凹陷值為H2，其中，凹進區域內的金屬層具有第二表面平均粗糙度Ra2，該第二表面平均粗糙度Ra2是由無應力抛光工藝引起的，無應力抛光工藝去除的金屬層的厚度除以Ra2得到比值α；當設置一凹陷值時，為了得到無應力抛光工藝後金屬表面粗糙度最小值，化學機械平坦化後剩餘金屬層的厚度滿足以下方程式：Y=α/6★H2-αRa1。
简体摘要：本发明揭示了一种优化金属平坦化工艺的方法，包括：采用化学机械平坦化去除互链接构上表面上的大部分金属层直到剩余金属层的厚度达到预定值Y，剩余金属层为覆盖互链接构上表面的连续层，其中，剩余金属层具有第一表面平均粗糙度Ra1，该第一表面平均粗糙度Ra1是由化学机械平坦化引起的；采用无应力抛光工艺去除互链接构上表面上的剩余金属层，无应力抛光工艺完成后，互链接构凹进区域内的金属层的上表面低于互链接构的上表面，其凹陷值为H2，其中，凹进区域内的金属层具有第二表面平均粗糙度Ra2，该第二表面平均粗糙度Ra2是由无应力抛光工艺引起的，无应力抛光工艺去除的金属层的厚度除以Ra2得到比值α；当设置一凹陷值时，为了得到无应力抛光工艺后金属表面粗糙度最小值，化学机械平坦化后剩余金属层的厚度满足以下方进程：Y=α/6★H2-αRa1。

13. 发明专利

TWI608541B 空氣隙互聯結構之形成方法有权
简体标题：空气隙互联结构之形成方法
公开(公告)号：TWI608541B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW101102572
申请日：2012-01-20
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王堅 , 金一諾 , 賈照偉
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/318

14. 发明专利

TWI587115B 清洗液流量控制系統及控制方法有权
简体标题：清洗液流量控制系统及控制方法
公开(公告)号：TWI587115B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102130632
申请日：2013-08-27
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 趙宇 , ZHAO, YU , 謝良智 , XIE, LIANGZHI , 張曉燕 , ZHANG, XIAOYAN , 賈社娜 , JIA, SHENA , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： G05D7/06 , H01L21/67 , B08B3/04

15. 发明专利

TW201611903A 帶有自動清洗功能的塗膠機及塗膠機的自動清洗方法审中-公开
简体标题：带有自动清洗功能的涂胶机及涂胶机的自动清洗方法
公开(公告)号：TW201611903A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104117205
申请日：2015-05-28
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 陳福平 , CHEN, FUPING , 王文軍 , WANG, WENJUN , 楊宏超 , YANG, HONGCHAO , V 納其 , MUCH, VOHA , 陳福發 , CHEN, FUFA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAOYAN , 仰庶 , YANG, SHU
IPC分类号： B05B15/00 , B05C9/12
CPC分类号： G03F7/162 , H01L21/67086 , H01L21/6715 , H01L21/68742
摘要：本發明揭示了一種帶有自動清洗功能的塗膠機以及一種塗膠機的自動清洗方法。在一個實施例中，塗膠機包括能夠充滿清洗液的塗膠腔室，固持基板的基板卡盤，及至少一個護罩，該護罩能夠向上移動以防止光刻膠飛濺出塗膠腔室，或者向下移動並浸沒在清洗液中以進行清洗。一種塗膠機的自動清洗方法，包括以下步驟：關閉塗膠機的出液閥；使塗膠腔室充滿清洗液；待塗膠腔室內的光刻膠溶解於清洗液之後，打開塗膠機的出液閥並將清洗液排出塗膠腔室。
简体摘要：本发明揭示了一种带有自动清洗功能的涂胶机以及一种涂胶机的自动清洗方法。在一个实施例中，涂胶机包括能够充满清洗液的涂胶腔室，固持基板的基板卡盘，及至少一个护罩，该护罩能够向上移动以防止光刻胶飞溅出涂胶腔室，或者向下移动并浸没在清洗液中以进行清洗。一种涂胶机的自动清洗方法，包括以下步骤：关闭涂胶机的出液阀；使涂胶腔室充满清洗液；待涂胶腔室内的光刻胶溶解于清洗液之后，打开涂胶机的出液阀并将清洗液排出涂胶腔室。

16. 发明专利

TW201505086A 脈衝電化學拋光方法及裝置审中-公开
简体标题：脉冲电化学抛光方法及设备
公开(公告)号：TW201505086A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102127457
申请日：2013-07-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 王俊 , WANG, JEAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明揭示了一種脈衝電化學抛光方法及裝置，以提高電化學抛光精度及抛光均勻性。該方法包括：建立占空比表，占空比表揭示了晶圓上所有點、與各點相對應的金屬層去除厚度值及與金屬層去除厚度值相對應的占空比；驅動夾持有晶圓的晶圓夾盤以預設的速度移動，晶圓上一特定點位於噴嘴的正上方；查占空比表，獲得與該特定點相對應的金屬層去除厚度值及占空比；及提供預設的脈衝電源至晶圓及噴嘴，抛光該特定點的實際抛光電源等於與該特定點相對應的占空比乘以預設的脈衝電源。
简体摘要：本发明揭示了一种脉冲电化学抛光方法及设备，以提高电化学抛光精度及抛光均匀性。该方法包括：创建占空比表，占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比；驱动夹持有晶圆的晶圆夹盘以默认的速度移动，晶圆上一特定点位于喷嘴的正上方；查占空比表，获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比；及提供默认的脉冲电源至晶圆及喷嘴，抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以默认的脉冲电源。

17. 实用新型

TWM464807U 晶圓清洗裝置有权
简体标题：晶圆清洗设备
公开(公告)号：TWM464807U
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102208438
申请日：2013-05-07
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 張曉燕 , ZHANG, XIAOYAN , 吳均 , WU, JUN , 陳福平 , CHEN, FUPING , 李學軍 , LI, XUEJUN
IPC分类号： H01L21/30

18. 发明专利

TWI639488B 無應力電化學拋光用噴嘴有权
简体标题：无应力电化学抛光用喷嘴
公开(公告)号：TWI639488B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW102127453
申请日：2013-07-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： B24B57/02 , H01L21/304

19. 发明专利

TW201825203A 使用高溫化學品和超聲波裝置清洗襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：使用高温化学品和超声波设备清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201825203A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106100638
申请日：2017-01-09
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：陳福平 , CHEN, FU-PING , 王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 賈社娜 , JIA, SHE-NA , 王丹穎 , WANG, DAN-YING , 蔣超偉 , JIANG, CHAO-WEI , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 王堅 , WANG, JIAN
IPC分类号： B08B3/12 , B08B3/14 , H01L21/02
摘要：本發明公開了一種用來清洗襯底的高溫化學溶液供液系統。該系統包括溶液槽、緩衝槽、第一泵和第二泵。溶液槽容納高溫化學溶液。緩衝槽具有槽體、排氣管和針閥。槽體容納高溫化學溶液。排氣管的一端連接槽體，排氣管的另一端連接溶液槽。針閥安裝在排氣管上，透過調節針閥以達到一流量使高溫化學溶液內的氣泡透過排氣管排出緩衝槽。第一泵的進口連接溶液槽，第一泵的出口連接緩衝槽。第二泵的進口連接緩衝槽，第二泵的出口連接清洗襯底的清洗腔。本發明還提供了一種包括高溫化學溶液供液系統和超聲波/兆聲波裝置的襯底清洗裝置。本發明還提供了清洗襯底的方法。
简体摘要：本发明公开了一种用来清洗衬底的高温化学溶液供液系统。该系统包括溶液槽、缓冲槽、第一泵和第二泵。溶液槽容纳高温化学溶液。缓冲槽具有槽体、排气管和针阀。槽体容纳高温化学溶液。排气管的一端连接槽体，排气管的另一端连接溶液槽。针阀安装在排气管上，透过调节针阀以达到一流量使高温化学溶液内的气泡透过排气管排出缓冲槽。第一泵的进口连接溶液槽，第一泵的出口连接缓冲槽。第二泵的进口连接缓冲槽，第二泵的出口连接清洗衬底的清洗腔。本发明还提供了一种包括高温化学溶液供液系统和超声波/兆声波设备的衬底清洗设备。本发明还提供了清洗衬底的方法。

20. 发明专利

TW201817502A 清洗襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201817502A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12
摘要：本發明公開了一種使用超/兆聲波裝置有效清洗襯底上的通孔、槽或凹進區域的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值增大到第一設定值後，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值減小到第二設定值後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復以上步驟直到襯底洗淨。
简体摘要：本发明公开了一种使用超/兆声波设备有效清洗衬底上的通孔、槽或凹进区域的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值增大到第一设置值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值减小到第二设置值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底洗净。

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