专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

91. 发明专利

TWI388397B 用於工作件加工的加工機有权
简体标题：用于工作件加工的加工机
公开(公告)号：TWI388397B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW094102654
申请日：2005-01-28
申请人：弗瑞茲史杜德公司 , FRITZ STUDER AG
发明人：塔納漢斯 , TANNER, HANS
IPC分类号： B24B5/04 , B24B41/00 , B23B7/14 , B23Q39/02
CPC分类号： B23Q39/023 , B23Q1/017 , B24B41/00 , B24B41/04 , B24B49/00

92. 发明专利

TWI370040B 半導體晶圓之同時雙面研磨方法及實現該方法之裝置 SIMULTANES DOPPELSEITENSCHLEIFEN VON HALBLEITERSCHEIBEN 有权
简体标题：半导体晶圆之同时双面研磨方法及实现该方法之设备 SIMULTANES DOPPELSEITENSCHLEIFEN VON HALBLEITERSCHEIBEN
公开(公告)号：TWI370040B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW097139545
申请日：2008-10-15
申请人：世創電子材料公司
发明人：邱奇姆將吉 , 羅伯特外斯
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/08 , B24B49/00
摘要：本發明係關於一種校正用於半導體晶圓之同時雙面加工之雙面研磨機中的研磨主軸位置的方法，其中各別含有用於接收研磨盤之研磨盤輪緣(grinding disk flange)之兩個研磨主軸係借助於一連接元件而扭轉地連接，且一包含一測斜計(inclinometer)和兩個用於距離測量之感測器的測量單元代替該等研磨盤以一種方式安裝在該兩研磨盤輪緣之間，使得在此情況下，該等研磨主軸在研磨過程中係實質上處於安裝有該等研磨盤時其所處的位置上，其中該等經連接之研磨主軸被轉動，而該測斜計和該等感測器則用於確定該兩研磨主軸之軸向校準的徑向校正值和軸向校正值，該等徑向校正值和該等軸向校正值係用於該兩研磨主軸的對稱定向。本發明另一方面係關於一種在加工力之作用下的主軸位置校正。其他請求項係關於一種用於進行該方法之裝置。
简体摘要：本发明系关于一种校正用于半导体晶圆之同时双面加工之双面研磨机中的研磨主轴位置的方法，其中各别含有用于接收研磨盘之研磨盘轮缘(grinding disk flange)之两个研磨主轴系借助于一连接组件而扭转地连接，且一包含一测斜计(inclinometer)和两个用于距离测量之传感器的测量单元代替该等研磨盘以一种方式安装在该两研磨盘轮缘之间，使得在此情况下，该等研磨主轴在研磨过程中系实质上处于安装有该等研磨盘时其所处的位置上，其中该等经连接之研磨主轴被转动，而该测斜计和该等传感器则用于确定该两研磨主轴之轴向校准的径向校正值和轴向校正值，该等径向校正值和该等轴向校正值系用于该两研磨主轴的对称定向。本发明另一方面系关于一种在加工力之作用下的主轴位置校正。其他请求项系关于一种用于进行该方法之设备。

93. 发明专利

TW201117278A 基板拋光設備及拋光基板的方法 SUBSTRATE POLISHING APPARATUS AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：基板抛光设备及抛光基板的方法 SUBSTRATE POLISHING APPARATUS AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME
公开(公告)号：TW201117278A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099124514
申请日：2010-07-26
申请人：細美事有限公司
发明人：吳世勳 , 權五珍 , 金長鉉
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： B24B37/04 , B24B49/00
摘要：本發明提供一種基板拋光裝置，其包括一拋光單元及一墊支撐構件。該拋光單元包括：一拋光墊，用以拋光一安放於一基板支撐構件上之基板；以及一墊驅動構件，用以移動該拋光墊。該墊支撐構件設置於基板支撐構件之一側，以於拋光安放於基板支撐構件上之基板之一邊緣時，支撐拋光墊之一拋光表面的未接觸基板之一部分。因此，該基板拋光裝置防止在拋光基板之一邊緣時拋光墊傾斜至基板外側，藉此提高拋光效率並防止基板在一拋光製程中破碎。
简体摘要：本发明提供一种基板抛光设备，其包括一抛光单元及一垫支撑构件。该抛光单元包括：一抛光垫，用以抛光一安放于一基板支撑构件上之基板；以及一垫驱动构件，用以移动该抛光垫。该垫支撑构件设置于基板支撑构件之一侧，以于抛光安放于基板支撑构件上之基板之一边缘时，支撑抛光垫之一抛光表面的未接触基板之一部分。因此，该基板抛光设备防止在抛光基板之一边缘时抛光垫倾斜至基板外侧，借此提高抛光效率并防止基板在一抛光制程中破碎。

94. 发明专利

TW201113119A 拋光裝置及拋光方法 POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD 审中-公开
简体标题：抛光设备及抛光方法 POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD
公开(公告)号：TW201113119A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099109527
申请日：2010-03-30
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：石井遊 , 塩川陽一 , 平安名常仁 , 松尾尚典
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B57/02 , B24B37/04 , B24B49/00
摘要：本發明之拋光裝置係不用事前進行多次拋光試驗等,就可進行更精密的拋光輪廓控制。該拋光裝置具備有:具有拋光面52a之拋光台22;保持拋光對象物W並將之按壓至拋光面52a之頂環24;將拋光液供給至拋光面52a之拋光液供給噴嘴26;使拋光液供給噴嘴26的拋光液供給位置26a沿著拋光面52a的大致半徑方向移動之移動機構70;控制移動機構70之控制器66;以及預測拋光液供給噴嘴26的拋光液供給位置26a與拋光輪廓的關係且進行模擬並輸出至控制器66之模擬器72。
简体摘要：本发明之抛光设备系不用事前进行多次抛光试验等,就可进行更精密的抛光轮廓控制。该抛光设备具备有:具有抛光面52a之抛光台22;保持抛光对象物W并将之按压至抛光面52a之顶环24;将抛光液供给至抛光面52a之抛光液供给喷嘴26;使抛光液供给喷嘴26的抛光液供给位置26a沿着抛光面52a的大致半径方向移动之移动机构70;控制移动机构70之控制器66;以及预测抛光液供给喷嘴26的抛光液供给位置26a与抛光轮廓的关系且进行仿真并输出至控制器66之仿真器72。

95. 发明专利

TW201000254A 研磨方法、研磨裝置及研磨裝置控制用程式 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS, AND PROGRAM FOR CONTROLLING POLISHING APPARATUS 审中-公开
简体标题：研磨方法、研磨设备及研磨设备控制用进程 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS, AND PROGRAM FOR CONTROLLING POLISHING APPARATUS
公开(公告)号：TW201000254A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098115634
申请日：2009-05-12
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：鳥越恒男 , 杉山光德
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/042 , B24B49/00 , H01L21/67219
摘要：一種可使研磨後的基板為了被研磨膜的膜厚測量而等待的等待時間減少，使裝置整體的產出量提高，而且可確實進行回授控制之研磨方法。此研磨方法具有：研磨前膜厚測量步驟，係將研磨前的基板從輸送盒中取出並以膜厚測量器測量該基板的被研磨膜的膜厚；研磨前基板收容步驟，係將研磨前膜厚測量後的基板送回輸送盒；研磨步驟，係將送回到輸送盒的基板從輸送盒中取出並加以研磨；洗淨暨乾燥步驟，係將研磨後的基板洗淨並使之乾燥；研磨後基板收容步驟，係將洗淨並乾燥後的基板送回輸送盒；以及研磨後膜厚測量步驟，係將送回到輸送盒之洗淨並乾燥後的基板從輸送盒中取出並以膜厚測量器測量該基板的被研磨膜的膜厚。
简体摘要：一种可使研磨后的基板为了被研磨膜的膜厚测量而等待的等待时间减少，使设备整体的产出量提高，而且可确实进行回授控制之研磨方法。此研磨方法具有：研磨前膜厚测量步骤，系将研磨前的基板从输送盒中取出并以膜厚测量器测量该基板的被研磨膜的膜厚；研磨前基板收容步骤，系将研磨前膜厚测量后的基板送回输送盒；研磨步骤，系将送回到输送盒的基板从输送盒中取出并加以研磨；洗净暨干燥步骤，系将研磨后的基板洗净并使之干燥；研磨后基板收容步骤，系将洗净并干燥后的基板送回输送盒；以及研磨后膜厚测量步骤，系将送回到输送盒之洗净并干燥后的基板从输送盒中取出并以膜厚测量器测量该基板的被研磨膜的膜厚。

96. 发明专利

TW200936318A 磨光裝置及磨光方法 POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD 审中-公开
简体标题：磨光设备及磨光方法 POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD
公开(公告)号：TW200936318A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097146555
申请日：2008-12-01
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
发明人：高橋圭瑞 TAKAHASHI, TAMAMI , 關正也 SEKI, MASAYA , 草宏明 KUSA, HIROAKI , 山口健二 YAMAGUCHI, KENJI , 中西正行 NAKANISHI, MASAYUKI
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B21/002 , B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B21/20 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/30 , B24B41/068 , B24B49/00 , Y10T428/24777
摘要：本發明提供一種磨光基板周邊的磨光裝置。此磨光裝置包含旋轉夾持機構使該基板保持水平並且旋轉該基板,設於該基板附近之複數個磨光頭組合件,複數個供帶及收帶機構以供給磨光帶給該複數個磨光頭組合件並且自該複數個磨光頭組合件回收該等磨光帶,以及複數個移動機構使該複數個磨光頭組合件向該旋轉夾持機構所夾持之該基板之徑向移動。該等供帶及收帶機構係沿著該基板徑向設置於該複數個磨光頭組合件之外,而該供帶及收帶機構則固定於適當位置。
简体摘要：本发明提供一种磨光基板周边的磨光设备。此磨光设备包含旋转夹持机构使该基板保持水平并且旋转该基板,设于该基板附近之复数个磨光头组合件,复数个供带及收带机构以供给磨光带给该复数个磨光头组合件并且自该复数个磨光头组合件回收该等磨光带,以及复数个移动机构使该复数个磨光头组合件向该旋转夹持机构所夹持之该基板之径向移动。该等供带及收带机构系沿着该基板径向设置于该复数个磨光头组合件之外,而该供带及收带机构则固定于适当位置。

97. 发明专利

TW200930497A 頂環、研磨裝置及研磨方法 TOP RING, POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD 审中-公开
简体标题：顶环、研磨设备及研磨方法 TOP RING, POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD
公开(公告)号：TW200930497A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW098107806
申请日：2005-10-31
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
发明人：鍋谷治 NABEYA, OSAMU , 戶川哲二 TOGAWA, TETSUJI , 福島誠 FUKUSHIMA, MAKOTO , 安田穗積 YASUDA, HOZUMI
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
摘要：本發明提供一種頂環,用於固持基板並將該基板施壓抵靠於研磨平台上之研磨墊的研磨表面,該頂環包括:頂環本體,係組構成將基板施壓抵靠於該研磨表面;以及晶圓研磨定位環,係組構成按壓該研磨表面,該晶圓研磨定位環係設置在該頂環本體之周邊部份;其中,該晶圓研磨定位環包括:彈性膜,係成形為在該彈性膜中形成有壓力室,該彈性膜可在將該基板施壓抵靠於該研磨表面的同時垂直地膨脹及收縮;固持具,用於將該彈性膜固定在該頂環本體,該固持具係具有通道,而該壓力室係經由該通道與流體供應源連通;以及圓環構件,係藉由被供給有壓力流體於其中的該壓力室而被施壓抵靠於該研磨表面,該圓環構件可獨立於該研磨本體外地垂直移動。
简体摘要：本发明提供一种顶环,用于固持基板并将该基板施压抵靠于研磨平台上之研磨垫的研磨表面,该顶环包括:顶环本体,系组构成将基板施压抵靠于该研磨表面;以及晶圆研磨定位环,系组构成按压该研磨表面,该晶圆研磨定位环系设置在该顶环本体之周边部份;其中,该晶圆研磨定位环包括:弹性膜,系成形为在该弹性膜中形成有压力室,该弹性膜可在将该基板施压抵靠于该研磨表面的同时垂直地膨胀及收缩;固持具,用于将该弹性膜固定在该顶环本体,该固持具系具有信道,而该压力室系经由该信道与流体供应源连通;以及圆环构件,系借由被供给有压力流体于其中的该压力室而被施压抵靠于该研磨表面,该圆环构件可独立于该研磨本体外地垂直移动。

98. 发明专利

TW200814308A 陣列成像系統及其相關方法 ARRAYED IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS 审中-公开
简体标题：数组成像系统及其相关方法 ARRAYED IMAGING SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS
公开(公告)号：TW200814308A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096113560
申请日：2007-04-17
申请人： CDM光學有限公司 CDM OPTICS, INC.
发明人：艾德華R 多斯基二世 DOWSKI, EDWARD R. JR. , 麥歐追塞潘諾菲 SCEPANOVIC, MIODRAG , 立原悟 TACHIHARA, SATORU , 克里斯多福J 林能 LINNEN, CHRISTOPHER J. , 丹尼斯W 朶柏 DOBBS, DENNIS W. , 芮吉斯S 凡 FAN, REGIS S. , 肯尼斯S 庫巴拉 KUBALA, KENNETH S. , 帕歐羅E X 修維拉 SILVEIRA, PAULO E.X. , 喬治C 巴尼斯四世 BARNES, GEORGE C. IV , 弗拉迪斯拉V 楚瑪千基 CHUMACHENKO, VLADISLAV V. , 馬克A 梅洛尼 MELONI, MARK A. , 布萊恩T 許瓦茲 SCHWARTZ, BRIAN T. , 麥可希普 HEPP, MICHAEL , 肯尼斯艾胥利梅肯 MACON, KENNETH ASHLEY , 約翰J 梅德 MADER, JOHN J. , 哥朗M 勞柯 RAUKER, GORAN M. , 葛列高里E 强森 JOHNSON, GREGORY E. , 羅伯H 柯瑪 CORMACK, ROBERT H. , 英加泰瑪尤 TAMAYO, INGA , 當諾坎斯 COMBS, DONALD , 美國 , 南斯拉夫 , 日本
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： G06F17/504 , B24B13/06 , B24B49/00 , G02B3/0025 , G02B3/0031 , G02B3/0068 , G02B3/0075 , G02B7/022 , G02B13/0025 , G02B13/006 , G02B13/0085 , G02B27/0025 , G06F17/5081 , G06F2217/06 , G06F2217/12 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , H04N5/2257 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示陣列成像系統,其包括使用一共同基底形成的一偵測器陣列與一第一層疊光學元件陣列,該等層疊光學元件之各元件光學連接於該偵測器陣列內的一偵測器。
简体摘要：本发明揭示数组成像系统,其包括使用一共同基底形成的一侦测器数组与一第一层叠光学组件数组,该等层叠光学组件之各组件光学连接于该侦测器数组内的一侦测器。

99. 发明专利

TW200722222A 研磨裝置、使用此研磨裝置之半導體元件製造方法及藉由此半導體元件製造方法所製造之半導體元件审中-公开
简体标题：研磨设备、使用此研磨设备之半导体组件制造方法及借由此半导体组件制造方法所制造之半导体组件
公开(公告)号：TW200722222A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095111364
申请日：2006-03-31
申请人：尼康股份有限公司 NIKON CORPORATION
发明人：田中稔久 TANAKA, TOSHIHISA , 田中淳史 , 北出裕子
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B49/00 , B24B49/02 , B24B49/12 , B24B53/017
摘要：在開始以研磨工具10連續研磨複數個研磨對象物(半導體晶圓W)之一連串研磨步驟前的階段,輸入研磨墊13之目標形狀,交互的重複進行修整器30對研磨墊13之修整與墊形狀測量器20對研磨墊13之形狀測量,藉此一邊採集顯示修整位置P(以研磨墊13之旋轉軸11與修整器30之旋轉軸31間之距離代表)與研磨墊13形狀變化之關係的資料,一邊控制修整位置P,來將研磨墊13加工成目標形狀,並根據上述資料之處理結果來設定研磨步驟時之修整位置P。
简体摘要：在开始以研磨工具10连续研磨复数个研磨对象物(半导体晶圆W)之一连串研磨步骤前的阶段,输入研磨垫13之目标形状,交互的重复进行修整器30对研磨垫13之修整与垫形状测量器20对研磨垫13之形状测量,借此一边采集显示修整位置P(以研磨垫13之旋转轴11与修整器30之旋转轴31间之距离代表)与研磨垫13形状变化之关系的数据,一边控制修整位置P,来将研磨垫13加工成目标形状,并根据上述数据之处理结果来设置研磨步骤时之修整位置P。

100. 发明专利

TWI275451B 研磨墊之厚度輪廓及彈性係數輪廓的量測 MEASUREMENT OF THICKNESS PROFILE AND ELASTIC MODULUS PROFILE OF POLISHING PAD 失效
简体标题：研磨垫之厚度轮廓及弹性系数轮廓的量测 MEASUREMENT OF THICKNESS PROFILE AND ELASTIC MODULUS PROFILE OF POLISHING PAD
公开(公告)号：TWI275451B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW094100732
申请日：2005-01-11
申请人：亞泰半導體設備股份有限公司 ASIA IC MIC-PROCESS INC. , 楊凱 YANG, KAI
发明人：楊凱 YANG, KAI , 鄭聖弘 JENG, SHENG HUN , 林育廷 LIN, YU TING
IPC分类号： B24B
CPC分类号： G01B21/08 , B24B37/013 , B24B49/00 , G01N2203/0075
摘要：本發明係提供一種量測研磨墊表面之厚度輪廓及彈性係數輪廓的量測裝置，其包含有一具控制運算單元、致動器與壓力感測元件的作用力單元、一傳動單元與一渦電流感測器。作用力單元可產生一作用力並經由一傳動單元將此作用力傳動至一渦電流感測器，而渦電流感測器能直接量測研磨墊表面之厚度輪廓，並可配合作用力單元提供之作用力計算出研磨墊表面之彈性係數輪廓，進而及時監控研磨墊之磨耗狀況且有效維護研磨墊於平坦狀態，以達到良好及穩定的晶圓研磨速率均勻性。
简体摘要：本发明系提供一种量测研磨垫表面之厚度轮廓及弹性系数轮廓的量测设备，其包含有一具控制运算单元、致动器与压力传感组件的作用力单元、一传动单元与一涡电流传感器。作用力单元可产生一作用力并经由一传动单元将此作用力传动至一涡电流传感器，而涡电流传感器能直接量测研磨垫表面之厚度轮廓，并可配合作用力单元提供之作用力计算出研磨垫表面之弹性系数轮廓，进而及时监控研磨垫之磨耗状况且有效维护研磨垫于平坦状态，以达到良好及稳定的晶圆研磨速率均匀性。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式