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1. 发明专利

TWI551394B 拋光裝置有权
简体标题：抛光设备
公开(公告)号：TWI551394B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW099109527
申请日：2010-03-30
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：石井遊 , ISHII, YU , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 平安名常仁 , HEIANNA, JYOJI , 松尾尚典 , MATSUO, HISANORI
IPC分类号： B24B37/005
CPC分类号： B24B57/02 , B24B37/04 , B24B49/00

2. 发明专利

TW201540424A 研磨裝置及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TW201540424A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104108743
申请日：2015-03-19
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI
IPC分类号： B24B37/34 , B24B37/005
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/042 , B24B49/04 , H01L21/3212 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：一種研磨裝置和研磨方法，使半導體晶圓W的被研磨面與研磨墊101相對滑動而對被研磨面進行研磨，研磨裝置具有：邊緣室8，其通過按壓半導體晶圓W的被研磨面的背面，而將被研磨面按壓到研磨墊101；膜厚測定部40，其在半導體晶圓W的研磨中推斷半導體晶圓W的被研磨面的殘膜外形；以及閉合回路控制裝置202，其在半導體晶圓W的研磨中，根據膜厚測定部40的測定結果而控制邊緣室8對被研磨面的背面的按壓。閉合回路控制裝置502控制半導體晶圓W的研磨中的邊緣室8產生的按壓，並對作為邊緣室8的周邊部的擋護環的壓力進行控制，邊緣室的周邊部對被研磨面的對於研磨墊的按壓產生影響。採用本發明，可高精度地對研磨對象物進行研磨。
简体摘要：一种研磨设备和研磨方法，使半导体晶圆W的被研磨面与研磨垫101相对滑动而对被研磨面进行研磨，研磨设备具有：边缘室8，其通过按压半导体晶圆W的被研磨面的背面，而将被研磨面按压到研磨垫101；膜厚测定部40，其在半导体晶圆W的研磨中推断半导体晶圆W的被研磨面的残膜外形；以及闭合回路控制设备202，其在半导体晶圆W的研磨中，根据膜厚测定部40的测定结果而控制边缘室8对被研磨面的背面的按压。闭合回路控制设备502控制半导体晶圆W的研磨中的边缘室8产生的按压，并对作为边缘室8的周边部的挡护环的压力进行控制，边缘室的周边部对被研磨面的对于研磨垫的按压产生影响。采用本发明，可高精度地对研磨对象物进行研磨。

3. 发明专利

TWI635929B 研磨裝置及研磨狀態監視方法有权
简体标题：研磨设备及研磨状态监视方法
公开(公告)号：TWI635929B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103123123
申请日：2014-07-04
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 渡辺和英 , WATANABE, KATSUHIDE , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 木下将毅 , KINOSHITA, MASAKI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12

4. 发明专利

TW201729289A 研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201729289A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105138057
申请日：2016-11-21
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 渡辺和英 , WATANABE, KATSUHIDE
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/66 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67253 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/205 , B24B37/32 , B24B49/105 , B24B49/12 , H01L21/31053 , H01L21/67092 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：本發明提供一種儘管測定位置不同也能夠獲得穩定的膜厚的研磨方法。在本發明的方法中，使支承研磨墊(2)的研磨台(3)旋轉，將晶圓(W)的表面按壓於研磨墊(2)，在研磨台(3)最近的規定次數旋轉的期間內取得來自設置於研磨台(3)的膜厚傳感器(7)的複數個膜厚信號，根據複數個膜厚信號決定複數個測定膜厚，基於複數個測定膜厚決定在晶圓(W)的表面形成的凸部的最頂部的推定膜厚，基於凸部的最頂部的推定膜厚對晶圓(W)的研磨進行監視。
简体摘要：本发明提供一种尽管测定位置不同也能够获得稳定的膜厚的研磨方法。在本发明的方法中，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，将晶圆(W)的表面按压于研磨垫(2)，在研磨台(3)最近的规定次数旋转的期间内取得来自设置于研磨台(3)的膜厚传感器(7)的复数个膜厚信号，根据复数个膜厚信号决定复数个测定膜厚，基于复数个测定膜厚决定在晶圆(W)的表面形成的凸部的最顶部的推定膜厚，基于凸部的最顶部的推定膜厚对晶圆(W)的研磨进行监视。

5. 发明专利

TW201811499A 研磨裝置及研磨狀態監視方法审中-公开
简体标题：研磨设备及研磨状态监视方法
公开(公告)号：TW201811499A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106146476
申请日：2014-07-04
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 渡辺和英 , WATANABE, KATSUHIDE , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 木下将毅 , KINOSHITA, MASAKI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12
CPC分类号： B24B37/013 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01B11/0691
摘要：本發明提供一種可實現高精度加工性能之研磨裝置。研磨裝置具備：測定在靜止狀態之基板膜厚的線上膜厚測定器80；及具有配置於研磨台30A內之膜厚感測器40的即時分光式膜厚監視器39。即時分光式膜厚監視器39藉由從基板研磨前藉由線上膜厚測定器80取得之初期膜厚，減去基板研磨前藉由即時分光式膜厚監視器39取得之初期膜厚而決定修正值，在基板研磨中取得之膜厚加上修正值而取得監視膜厚，並依據監視膜厚監視基板之研磨進展。
简体摘要：本发明提供一种可实现高精度加工性能之研磨设备。研磨设备具备：测定在静止状态之基板膜厚的在线膜厚测定器80；及具有配置于研磨台30A内之膜厚传感器40的实时分光式膜厚监视器39。实时分光式膜厚监视器39借由从基板研磨前借由在线膜厚测定器80取得之初期膜厚，减去基板研磨前借由实时分光式膜厚监视器39取得之初期膜厚而决定修正值，在基板研磨中取得之膜厚加上修正值而取得监视膜厚，并依据监视膜厚监视基板之研磨进展。

6. 发明专利

TW201705259A 基板處理裝置、基板處理系統、及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理系统、及基板处理方法
公开(公告)号：TW201705259A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105122376
申请日：2016-07-15
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小畠厳貴 , KOBATA, ITSUKI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/67253 , H01L22/26
摘要：在基板處理程序中途，即使程序要求不同仍可進行最佳處理。本發明提供一種方法，係在處理液存在下，使基板與觸媒接觸來處理基板。該方法具有：在用於高速處理基板之指定處理條件下處理基板的步驟；及在同一基板之處理中，以低速處理基板之方式變更處理條件的步驟。
简体摘要：在基板处理进程中途，即使进程要求不同仍可进行最佳处理。本发明提供一种方法，系在处理液存在下，使基板与触媒接触来处理基板。该方法具有：在用于高速处理基板之指定处理条件下处理基板的步骤；及在同一基板之处理中，以低速处理基板之方式变更处理条件的步骤。

7. 发明专利

TW201622885A 拋光方法审中-公开
简体标题：抛光方法
公开(公告)号：TW201622885A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW105105873
申请日：2010-03-30
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：石井遊 , ISHII, YU , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 平安名常仁 , HEIANNA, JYOJI , 松尾尚典 , MATSUO, HISANORI
IPC分类号： B24B37/04 , B24B49/10 , H01L21/304
CPC分类号： B24B57/02 , B24B37/04 , B24B49/00
摘要：本發明之拋光裝置係不用事前進行多次拋光試驗等，就可進行更精密的拋光輪廓控制。該拋光裝置具備有：具有拋光面52a之拋光台22；保持拋光對象物W並將之按壓至拋光面52a之頂環24；將拋光液供給至拋光面52a之拋光液供給噴嘴26；使拋光液供給噴嘴26的拋光液供給位置26a沿著拋光面52a的大致半徑方向移動之移動機構70；控制移動機構70之控制器66；以及預測拋光液供給噴嘴26的拋光液供給位置26a與拋光輪廓的關係且進行模擬並輸出至控制器66之模擬器72。
简体摘要：本发明之抛光设备系不用事前进行多次抛光试验等，就可进行更精密的抛光轮廓控制。该抛光设备具备有：具有抛光面52a之抛光台22；保持抛光对象物W并将之按压至抛光面52a之顶环24；将抛光液供给至抛光面52a之抛光液供给喷嘴26；使抛光液供给喷嘴26的抛光液供给位置26a沿着抛光面52a的大致半径方向移动之移动机构70；控制移动机构70之控制器66；以及预测抛光液供给喷嘴26的抛光液供给位置26a与抛光轮廓的关系且进行仿真并输出至控制器66之仿真器72。

8. 发明专利

TWI675721B 研磨裝置及研磨狀態監視方法有权
简体标题：研磨设备及研磨状态监视方法
公开(公告)号：TWI675721B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW106146476
申请日：2014-07-04
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 渡辺和英 , WATANABE, KATSUHIDE , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 木下将毅 , KINOSHITA, MASAKI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12

9. 发明专利

TWI669758B 研磨方法有权
公开(公告)号：TWI669758B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW105138057
申请日：2016-11-21
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 渡辺和英 , WATANABE, KATSUHIDE
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/66 , H01L21/67

10. 发明专利

TWI601599B 研磨裝置及研磨方法有权
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TWI601599B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW104108743
申请日：2015-03-19
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI
IPC分类号： B24B37/34 , B24B37/005
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/042 , B24B49/04 , H01L21/3212 , H01L22/12 , H01L22/26

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