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1. 发明专利

TW201601877A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201601877A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104111221
申请日：2015-04-08
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：杉山光德 , SUGIYAMA, MITSUNORI , 松下邦政 , MATSUSHITA, KUNIMASA
IPC分类号： B24B53/007
CPC分类号： B24B53/007 , B24B27/0023 , B24B27/0069 , B24B27/0076 , B24B49/00 , B24B51/00 , H01L21/67219
摘要：本發明提供基板處理裝置，可提高在對研磨部或清洗部執行測試時的基板的處理效率。CMP(機械化學研磨)裝置具有：研磨單元(3)，包含對基板進行研磨的至少一個研磨部；清洗單元(4)，包含對基板進行清洗的至少一個清洗部；裝載/卸載單元(2)；輸送單元，在研磨單元(3)、清洗單元(4)及裝載/卸載單元(2)之間對基板進行輸送；以及控制部(5)，對輸送單元中的基板的輸送進行控制。在研磨單元包含複數個研磨部或清洗單元包含複數個清洗部時，控制部可對複數個研磨部的一部分或複數個清洗部的一部分設定測試模式，該測試模式使研磨部或清洗部測試用地動作，使基板輸送到未設定測試模式的研磨部或清洗部，並使不同於基板的測試用基板輸送到設定了測試模式的研磨部或清洗部。
简体摘要：本发明提供基板处理设备，可提高在对研磨部或清洗部运行测试时的基板的处理效率。CMP(机械化学研磨)设备具有：研磨单元(3)，包含对基板进行研磨的至少一个研磨部；清洗单元(4)，包含对基板进行清洗的至少一个清洗部；装载/卸载单元(2)；输送单元，在研磨单元(3)、清洗单元(4)及装载/卸载单元(2)之间对基板进行输送；以及控制部(5)，对输送单元中的基板的输送进行控制。在研磨单元包含复数个研磨部或清洗单元包含复数个清洗部时，控制部可对复数个研磨部的一部分或复数个清洗部的一部分设置测试模式，该测试模式使研磨部或清洗部测试用地动作，使基板输送到未设置测试模式的研磨部或清洗部，并使不同于基板的测试用基板输送到设置了测试模式的研磨部或清洗部。

2. 发明专利

TW201532121A 基板處理裝置之控制裝置、基板處理裝置及顯示控制裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备之控制设备、基板处理设备及显示控制设备
公开(公告)号：TW201532121A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103143237
申请日：2014-12-11
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：杉山光德 , SUGIYAMA, MITSUNORI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： G05B19/418 , G05B2219/45031 , Y02P90/02
摘要：本發明提供一種基板處理裝置的控制裝置、基板處理裝置以及顯示控制裝置。該控制裝置(5)具有：按照功能地執行與CMP裝置有關的處理用的多個應用軟體(界面系統APSW(510)、控制系統APSW(520))；以及對多個應用軟體所用的資訊進行記憶的共有記憶體(540)。多個應用軟體包含任務監視應用軟體(530)，該任務監視應用軟體對多個應用軟體是否產生異常進行監視。任務監視應用軟體(530)在多個應用軟體中的某一個產生異常時，使產生異常的應用軟體再起動，使其它應用軟體的處理繼續。採用本發明，可有效率地執行基板處理裝置的多個功能。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备的控制设备、基板处理设备以及显示控制设备。该控制设备(5)具有：按照功能地运行与CMP设备有关的处理用的多个应用软件(界面系统APSW(510)、控制系统APSW(520))；以及对多个应用软件所用的信息进行记忆的共有内存(540)。多个应用软件包含任务监视应用软件(530)，该任务监视应用软件对多个应用软件是否产生异常进行监视。任务监视应用软件(530)在多个应用软件中的某一个产生异常时，使产生异常的应用软件再起动，使其它应用软件的处理继续。采用本发明，可有效率地运行基板处理设备的多个功能。

3. 发明专利

TWI618163B 基板處理裝置之異常檢測裝置、及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备之异常检测设备、及基板处理设备
公开(公告)号：TWI618163B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104100688
申请日：2015-01-09
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：杉山光德 , SUGIYAMA, MITSUNORI , 井上正文 , INOUE, MASAFUMI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/302
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B23/0235 , G05B2219/31443 , G05B2219/45031

4. 发明专利

TWI645446B 基板處理裝置之控制裝置、基板處理裝置及顯示控制裝置有权
简体标题：基板处理设备之控制设备、基板处理设备及显示控制设备
公开(公告)号：TWI645446B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103143237
申请日：2014-12-11
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：杉山光德 , SUGIYAMA, MITSUNORI
IPC分类号： H01L21/02

5. 发明专利

TW201528398A 基板處理裝置之異常檢測裝置、及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备之异常检测设备、及基板处理设备
公开(公告)号：TW201528398A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW104100688
申请日：2015-01-09
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：杉山光德 , SUGIYAMA, MITSUNORI , 井上正文 , INOUE, MASAFUMI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/302
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B23/0235 , G05B2219/31443 , G05B2219/45031
摘要：使基板處理裝置之異常的檢測精度提高。本發明之異常檢測裝置520具備資料收集部522，其係收集藉由設於CMP裝置之感測器270-1~270-a、370-1~370-b、470-1~470-c所檢測的資料。此外，異常檢測裝置520具備判定部524，其係從儲存有規定關於CMP裝置之基板處理工序或方法的選單資料之選單記憶部512讀取選單資料，比較讀取之選單資料與藉由資料收集部522所收集之資料，有差異時，判定為CMP裝置有異常。
简体摘要：使基板处理设备之异常的检测精度提高。本发明之异常检测设备520具备数据收集部522，其系收集借由设于CMP设备之传感器270-1~270-a、370-1~370-b、470-1~470-c所检测的数据。此外，异常检测设备520具备判定部524，其系从存储有规定关于CMP设备之基板处理工序或方法的菜单数据之菜单记忆部512读取菜单数据，比较读取之菜单数据与借由数据收集部522所收集之数据，有差异时，判定为CMP设备有异常。

6. 发明专利

TWI453093B 研磨方法、研磨裝置及研磨裝置控制用程式有权
简体标题：研磨方法、研磨设备及研磨设备控制用进程
公开(公告)号：TWI453093B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW098115634
申请日：2009-05-12
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：鳥越恒男 , TORIKOSHI, TSUNEO , 杉山光德 , SUGIYAMA, MITSUNORI
IPC分类号： B24B49/00 , B24B37/005
CPC分类号： B24B37/042 , B24B49/00 , H01L21/67219

7. 发明专利

TW201000254A 研磨方法、研磨裝置及研磨裝置控制用程式 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS, AND PROGRAM FOR CONTROLLING POLISHING APPARATUS 审中-公开
简体标题：研磨方法、研磨设备及研磨设备控制用进程 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS, AND PROGRAM FOR CONTROLLING POLISHING APPARATUS
公开(公告)号：TW201000254A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098115634
申请日：2009-05-12
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：鳥越恒男 , 杉山光德
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/042 , B24B49/00 , H01L21/67219
摘要：一種可使研磨後的基板為了被研磨膜的膜厚測量而等待的等待時間減少，使裝置整體的產出量提高，而且可確實進行回授控制之研磨方法。此研磨方法具有：研磨前膜厚測量步驟，係將研磨前的基板從輸送盒中取出並以膜厚測量器測量該基板的被研磨膜的膜厚；研磨前基板收容步驟，係將研磨前膜厚測量後的基板送回輸送盒；研磨步驟，係將送回到輸送盒的基板從輸送盒中取出並加以研磨；洗淨暨乾燥步驟，係將研磨後的基板洗淨並使之乾燥；研磨後基板收容步驟，係將洗淨並乾燥後的基板送回輸送盒；以及研磨後膜厚測量步驟，係將送回到輸送盒之洗淨並乾燥後的基板從輸送盒中取出並以膜厚測量器測量該基板的被研磨膜的膜厚。
简体摘要：一种可使研磨后的基板为了被研磨膜的膜厚测量而等待的等待时间减少，使设备整体的产出量提高，而且可确实进行回授控制之研磨方法。此研磨方法具有：研磨前膜厚测量步骤，系将研磨前的基板从输送盒中取出并以膜厚测量器测量该基板的被研磨膜的膜厚；研磨前基板收容步骤，系将研磨前膜厚测量后的基板送回输送盒；研磨步骤，系将送回到输送盒的基板从输送盒中取出并加以研磨；洗净暨干燥步骤，系将研磨后的基板洗净并使之干燥；研磨后基板收容步骤，系将洗净并干燥后的基板送回输送盒；以及研磨后膜厚测量步骤，系将送回到输送盒之洗净并干燥后的基板从输送盒中取出并以膜厚测量器测量该基板的被研磨膜的膜厚。

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