会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 3. 发明专利
    • 雷射振盪器
    • 激光振荡器
    • TW337049B
    • 1998-07-21
    • TW086100849
    • 1997-01-24
    • 澁谷工業股份有限公司
    • 村山勝樹小關良治
    • H01S
    • H01S3/038H01S3/036H01S3/073
    • 本發明係有關一種雷射管內至少具備一對主電極之雷射振盪器。
      第1發明中,雷射管內所設之主電極中,位於雷射氣體之流通方向之下游側之主電極,實質上係形成為L字形,且其前端部被支持成與雷射管之軸方向成交叉者。依此等構成,可較以往更提高雷射光之振盪效率。
      第2發明中,於上述主電極之上游側,配設一對環狀之預備電離用電極,又,設置一預備電離用電源,對上述預備電離用電極施加以高壓之脈波或交流之高電壓。藉由設置預備電離用電極,可實行一樣之預備電離,故可實行主電極之安定主放電。
    • 本发明系有关一种激光管内至少具备一对主电极之激光振荡器。 第1发明中,激光管内所设之主电极中,位于激光气体之流通方向之下游侧之主电极,实质上系形成为L字形,且其前端部被支持成与激光管之轴方向成交叉者。依此等构成,可较以往更提高激光光之振荡效率。 第2发明中,于上述主电极之上游侧,配设一对环状之预备电离用电极,又,设置一预备电离用电源,对上述预备电离用电极施加以高压之脉波或交流之高电压。借由设置预备电离用电极,可实行一样之预备电离,故可实行主电极之安定主放电。
    • 5. 发明专利
    • 氣體雷射裝置及雷射加工裝置 GAS LASER DEVICE AND LASER PROCESSING DEVICE
    • 气体激光设备及激光加工设备 GAS LASER DEVICE AND LASER PROCESSING DEVICE
    • TW201218562A
    • 2012-05-01
    • TW100132960
    • 2011-09-14
    • 三菱電機股份有限公司
    • 山本達也宮本直樹西前順一藤川周一
    • H01S
    • H01S3/038H01S3/036H01S3/2232H01S2301/203
    • 本發明提供一種氣體雷射裝置,係將光共振器的光軸、將雷射氣體供應至光共振器內的方向、以及激發雷射氣體之放電的方向排成相互正交之三軸正交型之氣體雷射裝置,包含有:第1激發單元U1,係包含有沿著一X方向對光共振器之光軸供應雷射氣體的風扇8a、及從該光軸起靠近上游側設置的放電電極對1a;以及第2激發單元U2,係包含有沿著+X方向對光共振器之光軸供應雷射氣體的風扇8b、及從該光軸起靠近上游側設置的放電電極對1b;放電電極對1a及放電電極對1b之各電極對之上下對的電極於氣體流方向具有相同寬度,且產生M2値為1.8至3或强度分布之波峰呈環形管狀的波束模式。依據如此的構造,即使氣體流速、氣壓、電極寬度、電極配置等參數改變也能穩定地實現均勻的增益分布。
    • 本发明提供一种气体激光设备,系将光共振器的光轴、将激光气体供应至光共振器内的方向、以及激发激光气体之放电的方向排成相互正交之三轴正交型之气体激光设备,包含有:第1激发单元U1,系包含有沿着一X方向对光共振器之光轴供应激光气体的风扇8a、及从该光轴起靠近上游侧设置的放电电极对1a;以及第2激发单元U2,系包含有沿着+X方向对光共振器之光轴供应激光气体的风扇8b、及从该光轴起靠近上游侧设置的放电电极对1b;放电电极对1a及放电电极对1b之各电极对之上下对的电极于气体流方向具有相同宽度,且产生M2値为1.8至3或强度分布之波峰呈环形管状的波束模式。依据如此的构造,即使气体流速、气压、电极宽度、电极配置等参数改变也能稳定地实现均匀的增益分布。
    • 7. 发明专利
    • 極高重複率狹帶氣體放電雷射系統 VERY HIGH REPETITION RATE NARROW BAND GAS DISCHARGE LASER SYSTEM
    • 极高重复率狭带气体放电激光系统 VERY HIGH REPETITION RATE NARROW BAND GAS DISCHARGE LASER SYSTEM
    • TWI256184B
    • 2006-06-01
    • TW094107693
    • 2005-03-14
    • 希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
    • 史提格 湯瑪斯D. STEIGER, THOMAS D.荷塔威 愛德華P. HOLTAWAY, EDWARD P.摩斯曼 布來恩G. MOOSMAN, BRYAN G.拉歐 拉傑塞克哈M. RAO, RAJASEKHAR M.
    • H01S
    • H01S3/038H01S3/0057H01S3/07H01S3/097H01S3/09702H01S3/104H01S3/1305H01S3/2333
    • 本發明揭示一種以MOPA方式組態而產生極高重複率氣體放電雷射系統之方法和設備,其可包含一主震盪器氣體放電層系統,其以極高脈波重複率而產生震盪器雷射輸出光脈波之光束;至少二個功率放大氣體放電雷射系統,其自該主震盪器氣體放電雷射系統接收雷射輸出光脈波並且該等至少二個功率放大氣體放電雷射系統之各個以一脈波重複率,該脈波重複率是等於一除以該等至少二個功率放大氣體放電雷射系統數目之極高脈波重複率的分量,而放大一些該等被接收之雷射輸出光脈波且以該極高脈波重複率而形成一放大之輸出雷射光脈波光束,其可以相對於該震盪器雷射輸出光脈波光束而串列地被置放。該設備和方法可進一步地包含一被連接到功率放大雷射系統之雷射光輸出的光束傳送單元。該設備和方法可是以MOPO方式組態之極高重複率氣體放電雷射系統。該設備和方法可包含一壓縮頭,其包含每秒被充電x次之一壓縮頭電荷儲存裝置;一氣體放電容室,其包含至少二組成對之氣體放電電極;至少二組磁式可飽和開關,其分別地被連接在該壓縮頭電荷儲存裝置和該等至少二組成對電極之一電極之間,且包含具有供用於第一偏壓線圈之第一偏壓電流和供用於第二偏壓線圈之第二偏壓電流的第一和第二相對偏壓線圈,並且包含一切換電路以將該偏壓電流自第一偏壓電流切換至第二偏壓電流,以至於僅該等至少二個開關之一開關以等於x除以該等至少二組成對電極數目之重複率而接收第一偏壓電流,而該等至少二組磁式可飽和開關之其他者則接收該第二偏壓電流。該設備和方法可被利用作為平版印刷工具或供用於產生雷射產生電漿EUV光。
    • 本发明揭示一种以MOPA方式组态而产生极高重复率气体放电激光系统之方法和设备,其可包含一主震荡器气体放电层系统,其以极高脉波重复率而产生震荡器激光输出光脉波之光束;至少二个功率放大气体放电激光系统,其自该主震荡器气体放电激光系统接收激光输出光脉波并且该等至少二个功率放大气体放电激光系统之各个以一脉波重复率,该脉波重复率是等于一除以该等至少二个功率放大气体放电激光系统数目之极高脉波重复率的分量,而放大一些该等被接收之激光输出光脉波且以该极高脉波重复率而形成一放大之输出激光光脉波光束,其可以相对于该震荡器激光输出光脉波光束而串行地被置放。该设备和方法可进一步地包含一被连接到功率放大激光系统之激光光输出的光束发送单元。该设备和方法可是以MOPO方式组态之极高重复率气体放电激光系统。该设备和方法可包含一压缩头,其包含每秒被充电x次之一压缩头电荷存储设备;一气体放电容室,其包含至少二组成对之气体放电电极;至少二组磁式可饱和开关,其分别地被连接在该压缩头电荷存储设备和该等至少二组成对电极之一电极之间,且包含具有供用于第一偏压线圈之第一偏压电流和供用于第二偏压线圈之第二偏压电流的第一和第二相对偏压线圈,并且包含一切换电路以将该偏压电流自第一偏压电流切换至第二偏压电流,以至于仅该等至少二个开关之一开关以等于x除以该等至少二组成对电极数目之重复率而接收第一偏压电流,而该等至少二组磁式可饱和开关之其他者则接收该第二偏压电流。该设备和方法可被利用作为平版印刷工具或供用于产生激光产生等离子EUV光。
    • 9. 发明专利
    • 具有經完全整合之電極饋通主絕緣體的雷射室
    • 具有经完全集成之电极馈通主绝缘体的激光室
    • TW496024B
    • 2002-07-21
    • TW089117639
    • 2000-08-30
    • 希瑪股份有限公司
    • R 凱爾 偉柏威廉 N 派特洛
    • H01S
    • G03F7/70025G03F7/70041G03F7/70483G03F7/70558H01S3/02H01S3/03H01S3/036H01S3/038H01S3/0971H01S3/225
    • 一氣體排放雷射室之饋通結構通過一密封之氣體圍封體之壁傳導電功率至圍封體內面之一單件電極。此饋通結構包括一單件整合之主絕緣體較此電極更大者。此主絕體體係被壓縮於電極和此圍封體之壁之間。形成電極和單件絕緣體之間之介面之表面係此絕緣體,以及此壁均係非常平滑以容許零組件於室溫變化時來膨脹和縮小。此饋通結構亦提供機械性支撐和校準供電極用,並包括密封以防止氣體環繞此餚通結構之洩漏。
      數個中空,大體上為圓筒形之饋通絕緣體,與經整合
      (續下頁)(承上頁)之主絕體整合,自經整合之主絕緣體之上部表面伸展,典型地呈一均衡間隔之列。每一整合饋通絕緣體含一大體上為同心之孔,它伸展通過至經整合之主絕緣體之下部表面並容納一饋通電導體。在一較佳具體例中,每一大體上為圓筒形之饋通絕緣體包括一同心槽溝圍繞其外徑。在某些具體例中,經整合之主絕緣體係陶瓷材料製成,典型地為99.5%純度之氧化鋁。
      此經整合之主絕緣體係被夾持於一下部電極和此密封之圍壁之上部內壁之間,因此,此整合之饋通絕緣體伸展
      (續下頁)(承上頁)通過圍壁中之直線對準淨空孔。夾持係典型地藉穿著餚通電導體之下部終端進入電極內而提供,並抵靠密封圍封體之上部外壁之一絕緣之"翼形樁"結構而拉緊上部終端。比較正常不變之夾緊力係利用比利佛(Bellevile)墊圈兩提供。要限制較熱之膨脹於此圍封體和單件主絕緣體之間,此絕緣體係僅在其中央位置處被明確地制止以容許相關之膨脹和收縮來自其中央。
    • 一气体排放激光室之馈通结构通过一密封之气体围封体之壁传导电功率至围封体内面之一单件电极。此馈通结构包括一单件集成之主绝缘体较此电极更大者。此主绝体体系被压缩于电极和此围封体之壁之间。形成电极和单件绝缘体之间之界面之表面系此绝缘体,以及此壁均系非常平滑以容许零组件于室温变化时来膨胀和缩小。此馈通结构亦提供机械性支撑和校准供电极用,并包括密封以防止气体环绕此肴通结构之泄漏。 数个中空,大体上为圆筒形之馈通绝缘体,与经集成 (续下页)(承上页)之主绝体集成,自经集成之主绝缘体之上部表面伸展,典型地呈一均衡间隔之列。每一集成馈通绝缘体含一大体上为同心之孔,它伸展通过至经集成之主绝缘体之下部表面并容纳一馈通电导体。在一较佳具体例中,每一大体上为圆筒形之馈通绝缘体包括一同心槽沟围绕其外径。在某些具体例中,经集成之主绝缘体系陶瓷材料制成,典型地为99.5%纯度之氧化铝。 此经集成之主绝缘体系被夹持于一下部电极和此密封之围壁之上部内壁之间,因此,此集成之馈通绝缘体伸展 (续下页)(承上页)通过围壁中之直线对准净空孔。夹持系典型地藉穿着肴通电导体之下部终端进入电极内而提供,并抵靠密封围封体之上部外壁之一绝缘之"翼形桩"结构而拉紧上部终端。比较正常不变之夹紧力系利用比利佛(Bellevile)垫圈两提供。要限制较热之膨胀于此围封体和单件主绝缘体之间,此绝缘体系仅在其中央位置处被明确地制止以容许相关之膨胀和收缩来自其中央。