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1. 发明专利

TW496024B 具有經完全整合之電極饋通主絕緣體的雷射室有权
简体标题：具有经完全集成之电极馈通主绝缘体的激光室
公开(公告)号：TW496024B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW089117639
申请日：2000-08-30
申请人：希瑪股份有限公司
发明人： R 凱爾偉柏 , 威廉 N 派特洛
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70483 , G03F7/70558 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/038 , H01S3/0971 , H01S3/225
摘要：一氣體排放雷射室之饋通結構通過一密封之氣體圍封體之壁傳導電功率至圍封體內面之一單件電極。此饋通結構包括一單件整合之主絕緣體較此電極更大者。此主絕體體係被壓縮於電極和此圍封體之壁之間。形成電極和單件絕緣體之間之介面之表面係此絕緣體，以及此壁均係非常平滑以容許零組件於室溫變化時來膨脹和縮小。此饋通結構亦提供機械性支撐和校準供電極用，並包括密封以防止氣體環繞此餚通結構之洩漏。
數個中空，大體上為圓筒形之饋通絕緣體，與經整合
(續下頁)(承上頁)之主絕體整合，自經整合之主絕緣體之上部表面伸展，典型地呈一均衡間隔之列。每一整合饋通絕緣體含一大體上為同心之孔，它伸展通過至經整合之主絕緣體之下部表面並容納一饋通電導體。在一較佳具體例中，每一大體上為圓筒形之饋通絕緣體包括一同心槽溝圍繞其外徑。在某些具體例中，經整合之主絕緣體係陶瓷材料製成，典型地為99.5%純度之氧化鋁。
此經整合之主絕緣體係被夾持於一下部電極和此密封之圍壁之上部內壁之間，因此，此整合之饋通絕緣體伸展
(續下頁)(承上頁)通過圍壁中之直線對準淨空孔。夾持係典型地藉穿著餚通電導體之下部終端進入電極內而提供，並抵靠密封圍封體之上部外壁之一絕緣之"翼形樁"結構而拉緊上部終端。比較正常不變之夾緊力係利用比利佛(Bellevile)墊圈兩提供。要限制較熱之膨脹於此圍封體和單件主絕緣體之間，此絕緣體係僅在其中央位置處被明確地制止以容許相關之膨脹和收縮來自其中央。
简体摘要：一气体排放激光室之馈通结构通过一密封之气体围封体之壁传导电功率至围封体内面之一单件电极。此馈通结构包括一单件集成之主绝缘体较此电极更大者。此主绝体体系被压缩于电极和此围封体之壁之间。形成电极和单件绝缘体之间之界面之表面系此绝缘体，以及此壁均系非常平滑以容许零组件于室温变化时来膨胀和缩小。此馈通结构亦提供机械性支撑和校准供电极用，并包括密封以防止气体环绕此肴通结构之泄漏。数个中空，大体上为圆筒形之馈通绝缘体，与经集成 (续下页)(承上页)之主绝体集成，自经集成之主绝缘体之上部表面伸展，典型地呈一均衡间隔之列。每一集成馈通绝缘体含一大体上为同心之孔，它伸展通过至经集成之主绝缘体之下部表面并容纳一馈通电导体。在一较佳具体例中，每一大体上为圆筒形之馈通绝缘体包括一同心槽沟围绕其外径。在某些具体例中，经集成之主绝缘体系陶瓷材料制成，典型地为99.5%纯度之氧化铝。此经集成之主绝缘体系被夹持于一下部电极和此密封之围壁之上部内壁之间，因此，此集成之馈通绝缘体伸展 (续下页)(承上页)通过围壁中之直线对准净空孔。夹持系典型地藉穿着肴通电导体之下部终端进入电极内而提供，并抵靠密封围封体之上部外壁之一绝缘之"翼形桩"结构而拉紧上部终端。比较正常不变之夹紧力系利用比利佛(Bellevile)垫圈两提供。要限制较热之膨胀于此围封体和单件主绝缘体之间，此绝缘体系仅在其中央位置处被明确地制止以容许相关之膨胀和收缩来自其中央。

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