专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201218562A 氣體雷射裝置及雷射加工裝置 GAS LASER DEVICE AND LASER PROCESSING DEVICE 审中-公开
简体标题：气体激光设备及激光加工设备 GAS LASER DEVICE AND LASER PROCESSING DEVICE
公开(公告)号：TW201218562A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100132960
申请日：2011-09-14
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：山本達也 , 宮本直樹 , 西前順一 , 藤川周一
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S3/038 , H01S3/036 , H01S3/2232 , H01S2301/203
摘要：本發明提供一種氣體雷射裝置,係將光共振器的光軸、將雷射氣體供應至光共振器內的方向、以及激發雷射氣體之放電的方向排成相互正交之三軸正交型之氣體雷射裝置,包含有:第1激發單元U1,係包含有沿著一X方向對光共振器之光軸供應雷射氣體的風扇8a、及從該光軸起靠近上游側設置的放電電極對1a;以及第2激發單元U2,係包含有沿著+X方向對光共振器之光軸供應雷射氣體的風扇8b、及從該光軸起靠近上游側設置的放電電極對1b;放電電極對1a及放電電極對1b之各電極對之上下對的電極於氣體流方向具有相同寬度,且產生M2値為1.8至3或强度分布之波峰呈環形管狀的波束模式。依據如此的構造,即使氣體流速、氣壓、電極寬度、電極配置等參數改變也能穩定地實現均勻的增益分布。
简体摘要：本发明提供一种气体激光设备,系将光共振器的光轴、将激光气体供应至光共振器内的方向、以及激发激光气体之放电的方向排成相互正交之三轴正交型之气体激光设备,包含有:第1激发单元U1,系包含有沿着一X方向对光共振器之光轴供应激光气体的风扇8a、及从该光轴起靠近上游侧设置的放电电极对1a;以及第2激发单元U2,系包含有沿着+X方向对光共振器之光轴供应激光气体的风扇8b、及从该光轴起靠近上游侧设置的放电电极对1b;放电电极对1a及放电电极对1b之各电极对之上下对的电极于气体流方向具有相同宽度,且产生M2値为1.8至3或强度分布之波峰呈环形管状的波束模式。依据如此的构造,即使气体流速、气压、电极宽度、电极配置等参数改变也能稳定地实现均匀的增益分布。

2. 发明专利

TWI276273B 表面發光半導體雷射元件 SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT 失效
简体标题：表面发光半导体激光组件 SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
公开(公告)号：TWI276273B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW093114129
申请日：2004-05-19
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：渡部義昭 WATANABE, YOSHIAKI , 成井啓修 NARUI, HIRONOBU , 黑水勇一 KUROMIZU, YUICHI , 山內義則 YAMAUCHI, YOSHINORI , 田中嘉幸 TANAKA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
摘要：本發明提供一種表面發光半導體雷射元件，其包括一基板、一包括一位於該基板上之半導體多層之下反射器、一位於該下反射器上之作用層、一包括一位於該作用層上之半導體多層之上反射器、一複合半導體層，其具有用於曝露該上反射器及擴大遍及該上反射器之一第一開口、及一金屬膜，其具有用於曝露位於該第一開口之內的該上反射器及擴大遍及該複合半導體層之一第二開口，其中該金屬膜及該複合半導體層構成一複合折射率分佈結構而一複合折射率係從該第二開口的中心向外變化。也提供一種單峰橫向模式發射雷射光的方法。
简体摘要：本发明提供一种表面发光半导体激光组件，其包括一基板、一包括一位于该基板上之半导体多层之下反射器、一位于该下反射器上之作用层、一包括一位于该作用层上之半导体多层之上反射器、一复合半导体层，其具有用于曝露该上反射器及扩大遍及该上反射器之一第一开口、及一金属膜，其具有用于曝露位于该第一开口之内的该上反射器及扩大遍及该复合半导体层之一第二开口，其中该金属膜及该复合半导体层构成一复合折射率分布结构而一复合折射率系从该第二开口的中心向外变化。也提供一种单峰横向模式发射激光光的方法。

3. 发明专利

TW200737630A 具模控制之垂直腔表面發射雷射半導體裝置 VCSEL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH MODE CONTROL 审中-公开
简体标题：具模控制之垂直腔表面发射激光半导体设备 VCSEL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH MODE CONTROL
公开(公告)号：TW200737630A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096101023
申请日：2007-01-11
申请人：昂科公司 EMCORE CORPORATION
发明人：道格柯林斯 COLLINS, DOUG , 李念宜 LI, NEIN-YI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18391 , H01S5/0422 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S2301/166 , H01S2301/203
摘要：本發明揭示一種表面發射型雷射,其具有:一帶有頂面及底面之基板;一位於該基板頂面上之折射率交替變化之第一鏡面層堆疊;及位於該第一堆疊上之作用層;一設置於該作用層上之折射率交替變化之第二鏡面層堆疊;及一位於該第二堆疊之中心之凹陷部分,其延伸穿過該第二鏡面層堆疊中之至少一些鏡面層,以用於改良雷射之光譜寬度特性。
简体摘要：本发明揭示一种表面发射型激光,其具有:一带有顶面及底面之基板;一位于该基板顶面上之折射率交替变化之第一镜面层堆栈;及位于该第一堆栈上之作用层;一设置于该作用层上之折射率交替变化之第二镜面层堆栈;及一位于该第二堆栈之中心之凹陷部分,其延伸穿过该第二镜面层堆栈中之至少一些镜面层,以用于改良激光之光谱宽度特性。

4. 发明专利

TW200427163A 表面發光半導體雷射元件 SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT 失效
简体标题：表面发光半导体激光组件 SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
公开(公告)号：TW200427163A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093114129
申请日：2004-05-19
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：渡部義昭 WATANABE, YOSHIAKI , 成井啓修 NARUI, HIRONOBU , 黑水勇一 KUROMIZU, YUICHI , 山內義則 YAMAUCHI, YOSHINORI , 田中嘉幸 TANAKA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
摘要：本發明提供一種表面發光半導體雷射元件，其包括一基板、一包括一位於該基板上之半導體多層之下反射器、一位於該下反射器上之作用層、一包括一位於該作用層上之半導體多層之上反射器、一複合半導體層，其具有用於曝露該上反射器及擴大遍及該上反射器之一第一開口、及一金屬膜，其具有用於曝露位於該第一開口之內的該上反射器及擴大遍及該複合半導體層之一第二開口，其中該金屬膜及該複合半導體層構成一複合折射率分佈結構而一複合折射率係從該第二開口的中心向外變化。也提供一種單峰橫向模式發射雷射光的方法。
简体摘要：本发明提供一种表面发光半导体激光组件，其包括一基板、一包括一位于该基板上之半导体多层之下反射器、一位于该下反射器上之作用层、一包括一位于该作用层上之半导体多层之上反射器、一复合半导体层，其具有用于曝露该上反射器及扩大遍及该上反射器之一第一开口、及一金属膜，其具有用于曝露位于该第一开口之内的该上反射器及扩大遍及该复合半导体层之一第二开口，其中该金属膜及该复合半导体层构成一复合折射率分布结构而一复合折射率系从该第二开口的中心向外变化。也提供一种单峰横向模式发射激光光的方法。

5. 发明专利

TW201626668A 光注射器元件审中-公开
简体标题：光注射器组件
公开(公告)号：TW201626668A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104139138
申请日：2015-11-25
申请人：弗里德里希亞倫L A , FRIEDERICH, ALAIN LOUIS ANDRE , 偉特控股公司 , HUET HOLDINGS
发明人：弗里德里希亞倫 , FRIEDERICH, ALAIN , 露茲蓋爾 , RUIZ, GAEL , 阿菲曼默德 , AFFI, MAHMOUD
IPC分类号： H01S5/183 , C12M1/42 , C12R1/89
CPC分类号： H01S5/183 , C12M21/02 , C12M31/08 , G02B6/0006 , G02B6/0008 , G02B6/001 , G02B6/0035 , G02B6/0068 , G02B6/0096 , H01S3/10 , H01S5/20 , H01S2301/203
摘要：本發明係有關於一種光注射器元件，其係包含：根據一縱軸延伸的一主體，以及面向該主體之一末端地安置的一光源，該光源包含多個垂直空腔表面發射雷射(VCSEL)二極體，該等多個二極體經配置成可形成與該主體之該縱軸實質垂直的一發射表面。本發明也有關於一種包含該光注射器元件的光生物反應器。
简体摘要：本发明系有关于一种光注射器组件，其系包含：根据一纵轴延伸的一主体，以及面向该主体之一末端地安置的一光源，该光源包含多个垂直空腔表面发射激光(VCSEL)二极管，该等多个二极管经配置成可形成与该主体之该纵轴实质垂直的一发射表面。本发明也有关于一种包含该光注射器组件的光生物反应器。

6. 发明专利

TWI497851B 氣體雷射裝置及雷射加工裝置有权
简体标题：气体激光设备及激光加工设备
公开(公告)号：TWI497851B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW100132960
申请日：2011-09-14
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：山本達也 , YAMAMOTO, TATSUYA , 宮本直樹 , MIYAMOTO, NAOKI , 西前順一 , NISHIMAE, JUNICHI , 藤川周一 , FUJIKAWA, SHUICHI
IPC分类号： H01S3/097 , H01S3/104
CPC分类号： H01S3/038 , H01S3/036 , H01S3/2232 , H01S2301/203

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式