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热词
    • 5. 发明公开
    • 배선 기판 및 그 제조 방법
    • 接线基板及其制造方法
    • KR1020140108164A
    • 2014-09-05
    • KR1020140023579
    • 2014-02-27
    • 쿄세라 코포레이션
    • 츠치다토모하루
    • H05K3/46H01L23/12
    • H05K3/4602H01L2224/16225H01L2224/81H05K1/036H05K1/0366H05K3/4661H05K2201/068H05K2201/0959Y10T29/49128
    • The wiring substrate of the present invention includes a core substrate where a wiring conductor is formed on both surfaces of an insulting plate, and a buildup layer where a conductor layer is formed on the surface of an insulating resin layer which has a thermal expansion coefficient which is greater than that of the insulating plate. At least one buildup layer is stacked on both surfaces or one surface of the core substrate. Both surfaces of the insulating plate have different thermal expansion coefficients. At least one buildup layer is stacked on a surface which has a smaller thermal expansion coefficient. There is no buildup layer on the opposite surface of the insulating plate, or some buildup layers which are less than the buildup layers formed on the surface of smaller thermal expansion coefficient are stacked on the opposite surface.
    • 本发明的布线基板包括在绝缘板的两个表面上形成布线导体的芯基板和在绝缘树脂层的表面上形成导体层的积层,所述绝缘树脂层的热膨胀系数为 大于绝缘板的尺寸。 至少一个堆积层堆叠在芯基板的两个表面或一个表面上。 绝缘板的两个表面具有不同的热膨胀系数。 在具有较小热膨胀系数的表面上堆叠至少一个堆积层。 在绝缘板的相对表面上没有堆积层,或者在相对的表面上堆叠比形成在较小热膨胀系数的表面上的积聚层的一些堆积层。
    • 9. 发明授权
    • 다층 프린트 배선판의 제조 방법
    • 制造多层印刷线路板的方法
    • KR101229644B1
    • 2013-02-04
    • KR1020107013855
    • 2009-01-22
    • 이비덴 가부시키가이샤
    • 나카이도루아카이쇼
    • H05K3/46H05K3/24
    • H05K3/4644H05K3/108H05K3/4602H05K3/4661H05K2201/0341H05K2201/0347H05K2201/0959H05K2203/073Y10T29/4913Y10T29/49156Y10T29/49162Y10T29/49165
    • 본 발명은, 다층 프린트 배선판의 제조 방법에 있어서, 도체 회로의 미세화 요구를 만족시키면서, 도체 회로와 비아 도체의 접속성을 향상시키는 것을 목적으로 하는 것으로서, 본 발명의 다층 프린트 배선판의 제조 방법은, 제 1 층간 수지 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 층간 수지 절연층 상에 제 1 도체 회로를 형성하는 공정과, 상기 제 1 도체 회로와 상기 제 1 층간 수지 절연층 상에 제 2 층간 수지 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 2 층간 수지 절연층에 상기 제 1 도체 회로에 도달하는 개구부를 형성하는 공정과, 상기 제 2 층간 수지 절연층의 표면과 상기 개구부에 의해 노출되는 상기 제 1 도체 회로의 노출면 상에, 무전해 도금막을 형성하는 공정과, 상기 무전해 도금막 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정과, 상기 노출면 상에 형성되어 있는 무전해 도금막을, 상기 무전해 도금막보다 이온 경향이 작고, 상기 제 1 도체 회로의 노출면의 금속과 동일한 금속을 갖는 박막 도체층으로 치환하는 공정과, 상기 도금 레지스트 비형성부와 상기 박막 도체층 상에 상기 금속과 동일한 금속으로 이루어지는 전해 도금막을 형성하는 공정과, 상기 도금 레지스트를 박리하는 공정과, 상기 도금 레지스트를 박리함으로써 노출된 무전해 도금막을 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.