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热词
    • 4. 发明公开
    • VCSEL 구조
    • VCSEL结构
    • KR1020170003560A
    • 2017-01-09
    • KR1020167031126
    • 2015-04-07
    • 덴마크스 텍니스케 유니버시테트
    • 청,일-성탁히자데,알리레자
    • H01S5/183H01S5/026H01S5/10
    • H01S5/18319H01S5/026H01S5/1032H01S5/183H01S5/18302H01S5/18311H01S5/18341H01S5/18361H01S5/18363H01S5/1838H01S5/18386H01S5/18397
    • 본발명은신규격자반사기에기초한 VCSEL 구조에관한것이다. 격자반사기는격자구조를가진인접한코어격자영역을가진격자층을포함하며, 여기에서격자구조의고-지수섹션들의굴절률은적어도 2.5이며, 상기격자구조의저-지수섹션들의굴절률은 2 미만이다. 상기코어격자영역은격자층에수직하는방향으로투사를정의한다. 상기격자반사기는격자층에인접한캡 층을추가로포함하고, 캡층으로의코어격자영역의투사내에서캡 층의굴절률은적어도 2.5이며, 코어격자영역의투사내에서, 상기캡 층은제 1 고체유전체저-지수층에의해인접하게되며, 상기제 1 저-지수층 또는공기의굴절률은 2 미만이며; 상기코어격자영역의투사내에서, 상기격자층은또한제 2 저-지수층에의해및/또는공기에의해인접하게되며, 상기제 2 저-지수층 또는공기의굴절률은 2 미만이다. VCSEL 구조는뿐만아니라공동및 증폭을제공하기위해제 1 반사기및 활성영역을포함한다.
    • 本发明涉及一种基于新型光栅反射器的VCSEL结构。 光栅反射器(1)包括具有光栅结构的连续核心光栅区域的光栅层(20),其中光栅结构的高折射率部分(21)的折射率至少为2.5,并且其中指数 光栅结构的低折射率部分(22)的折射率小于2.核心光栅区域在垂直于光栅层的方向上限定投影。 栅格反射器还包括邻接光栅层(20)的覆盖层(30),并且覆盖层在核心光栅区域的突起内的覆盖层的折射率至少为2.5,并且在 核心光栅区域,盖层与第一固体电介质低折射率层邻接,第一低折射率层或空气的折射率小于2; 并且在芯光栅区域的投影内,光栅层也被第二低折射率层和/或空气邻接,第二低折射率层或空气的折射率小于2. VCSEL结构 还包括第一反射器和用于提供空腔和放大的有源区域。 盖层(30)可以包括在包层(31,33)和电触头(35,36)之间的有源层(32),以提供通过有源层的电流。 电流限制可以由低折射率氧化物区域实现(60)。
    • 8. 发明公开
    • 면 발광 레이저 및 면 발광 레이저 제조 방법
    • 表面发射激光器及其制造方法
    • KR1020090097148A
    • 2009-09-15
    • KR1020097010144
    • 2007-12-18
    • 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
    • 나카가와시게루
    • H01S5/10H01S5/323
    • H01S5/1833B82Y20/00H01S5/18311H01S5/18316H01S5/18347H01S5/18363H01S5/2081H01S5/3432H01S2301/163
    • [PROBLEMS] To provide a long service life and highly reliable surface-emitting laser structure and to provide a method for manufacturing such surface-emitting laser. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A surface-emitting laser is provided with a lower Bragg reflector, which is arranged on an upper section of a substrate and includes a plurality of semiconductor layers, and a resonator, which is arranged on an upper section of the lower Bragg reflector and includes a lower semiconductor layer and an upper semiconductor layer. The lower semiconductor layer includes a first insulating layer having an active layer and an opening section arranged at the lower section of the active layer. The upper semiconductor layer is arranged on an upper section of the active layer and includes a second insulating layer having an opening section. The surface-emitting layer is also provided with an upper Bragg reflector which is arranged on an upper section of the resonator and includes a plurality of semiconductor layers. The uppermost layer among the semiconductor layers of the lower Bragg reflector forms an air gap for covering the opening section of the first insulating layer, and the lowermost layer among the semiconductor layers of the upper Bragg reflector forms an air gap for covering the opening section of the second insulating layer.
    • 为了提供长的使用寿命和高度可靠的表面发射激光器结构,并提供制造这种表面发射激光器的方法。 解决问题的手段表面发射激光器设置有下布拉格反射器,其布置在基板的上部并且包括多个半导体层,以及谐振器,其布置在所述基板的上部 下布拉格反射器,并且包括下半导体层和上半导体层。 下半导体层包括具有有源层的第一绝缘层和布置在有源层下部的开口部分。 上半导体层布置在有源层的上部,并且包括具有开口部分的第二绝缘层。 表面发射层还设置有布拉格反射器,其布置在谐振器的上部并且包括多个半导体层。 下部布拉格反射器的半导体层中的最上层形成用于覆盖第一绝缘层的开口部的气隙,并且上部布拉格反射器的半导体层中的最下层形成用于覆盖第一绝缘层的开口部的空气间隙 第二绝缘层。