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1. 发明授权

KR101052979B1 교란에 대한 민감도가 낮은 반도체 레이저 有权
标题翻译：对干扰敏感度低的半导体激光器
公开(公告)号：KR101052979B1
公开(公告)日：2011-07-29
申请号：KR1020057017317
申请日：2004-02-23
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 알브레히트,토니 , 브릭,페터 , 필리펜스,마르크 , 플렌느,글렌-이브
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/2022 , H01S2301/02 , H01S2301/163
摘要： 본 발명은 반도체 레이저, 특히 싱글-모드 레이저에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 반도체 레이저는 레이저 공진기 내에서 하나 이상의 흡수층(8)을 포함하며, 상기 흡수층(8)은 상기 레이저 공진기에 피드백된 방사선(9)에 의해 형성된 교란에 대한 반도체 레이저의 민감도를 감소시키기 위해 상기 레이저 공진기에서 나타나는 레이저 빔(10)의 투광도(T
Res )를 낮춘다. 그 결과, 피드백된 방사선(9)에 의해 출력 성능의 변동이 작아진다.
摘要翻译：本发明涉及半导体激光器，具体涉及单模激光器。根据本发明，半导体激光器在激光谐振器中包括至少一个吸收层8，其吸收半导体激光器对由反馈到激光谐振器的辐射9形成的干扰的灵敏度（T）出现在激光谐振器中

2. 发明授权

KR101020017B1 면 발광 레이저 및 면 발광 레이저 제조 방법 失效
标题翻译：表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR101020017B1
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020097010144
申请日：2007-12-18
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 나카가와시게루
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/1833 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18347 , H01S5/18363 , H01S5/2081 , H01S5/3432 , H01S2301/163
摘要： 본 발명은, 긴 수명으로 신뢰성이 높은 면 발광 레이저의 구조를 제공하고, 이러한 면 발광 레이저를 제조하기 위한 방법을 제공한다.
기판의 상부에 설치된 복수의 반도체층을 포함하는 하부 브래그 반사경과, 하부 브래그 반사경의 상부에 설치된 활성층 및 활성층의 하부에 설치된 개구부를 갖는 제1 절연층을 포함하는 하부 반도체층 및 상기 활성층의 상부에 설치된 개구부를 갖는 제2 절연층을 포함하는 상부 반도체층을 포함하는 공진기와, 공진기의 상부에 설치된 복수의 반도체층을 포함하는 상부 브래그 반사경을 구비하는, 면 발광 레이저가 제공된다. 하부 브래그 반사경의 복수의 반도체층 중의 최상층이 제1 절연층의 개구부를 덮는 에어 갭을 형성하고, 상부 브래그 반사경의 복수의 반도체층 중의 최하층이 제2 절연층의 개구부를 덮는 에어 갭을 형성한다.

3. 发明公开

KR1020060002823A 교란에 대한 민감도가 낮은 반도체 레이저 有权
标题翻译：半导体激光显示降低对干扰的灵敏度
公开(公告)号：KR1020060002823A
公开(公告)日：2006-01-09
申请号：KR1020057017317
申请日：2004-02-23
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 알브레히트,토니 , 브릭,페터 , 필리펜스,마르크 , 플렌느,글렌-이브
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/2022 , H01S2301/02 , H01S2301/163
摘要： Disclosed is a semiconductor laser, especially a single-mode laser, comprising at least one absorbing layer (8) in the laser resonator thereof, said absorbing layer (8) reducing transmission TRes of the laser beam (10) in the laser resonator so as to decrease sensitivity of the semiconductor laser to disturbances created by radiation (9) that is fed back into the laser resonator, whereby variations of the output power due to radiation (9) feedback are diminished.
摘要翻译：公开了一种半导体激光器，特别是单模激光器，其在其激光谐振器中包括至少一个吸收层（8），所述吸收层（8）减少激光谐振器中的激光束（10）的透射率TR，从而以降低半导体激光器对被反馈到激光谐振器中的辐射（9）产生的干扰的灵敏度，从而降低由于辐射（9）反馈引起的输出功率的变化。

4. 发明公开

KR1020160030196A 높은-코히어런스 반도체 광원들 审中-实审
标题翻译：高度相干半导体光源
公开(公告)号：KR1020160030196A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020167001951
申请日：2014-06-30
申请人： 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지
发明人： 산티스,크리스토스티. , 스티거,스코트티. , 야리브,암논
IPC分类号： H01S5/12 , G02B6/00 , H01S5/02 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/10 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/021 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02415 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1203 , H01S5/2063 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3013 , H01S5/3031 , H01S5/34306 , H01S2301/02 , H01S2301/163
摘要： 레이저공진기는공진기의광학이득과연관된광을증폭하는액티브재료, 및액티브재료와가까이배치된패시브재료들을포함한다. 공진기는하나또는그 초과의광학모드들에걸쳐진동하고, 상기모드들각각은특정공간에너지분산및 공진주파수에대응한다. 패시브재료들의특성에기초하여, 광학모드들중 적어도하나에대응하는특정공간에너지분산을위하여, 광학에너지의우세부분은액티브재료를제외하고분산된다. 패시브재료들은액티브재료를제외하고분산된우세광학에너지부분을저장하는저손실재료, 및액티브재료의광학에너지의일부에대한저손실재료에저장된광학에너지비율을제어하는, 저손실재료와액티브재료사이에배치된버퍼재료를포함할수 있다.
摘要翻译：激光谐振器包括放大与谐振器的光学增益相关联的光的活性材料和设置在活性材料附近的被动材料。谐振器在一个或多个光学模式上振荡，每个光学模式对应于特定的空间能量分布和谐振频率。基于被动材料的特性，对于对应于至少一种光学模式的特定空间能量分布，光能的优势部分与活性材料分开分布。被动材料可以包括低损耗材料，其存储与活性材料分开的优势光能部分，以及设置在低损耗材料和活性材料之间的缓冲材料，其控制存储在所述活性材料中的光能的比率低损耗材料到活性材料中光能的一部分。

5. 发明公开

KR1020130003913A 비대칭 결합계수를 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그것의 제조 방법 无效
标题翻译：具有不对称耦合系数的分布式反馈激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130003913A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020110065556
申请日：2011-07-01
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권오기 , 임영안 , 이동훈 , 이철욱 , 백용순 , 정윤철
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/124 , H01S5/1003 , H01S5/2077 , H01S2301/163
摘要： PURPOSE: A distributed feedback laser diode and a manufacturing method thereof are provided to obtain a single mode characteristic by equipping a diffraction grid layer having asymmetry coupling coefficient. CONSTITUTION: A first area(111) has a first grating formed shaft. A second area(112) is formed to be adjacent to the first area. The second area has the second diffraction grid layer. An active layer is formed on first and second area frames. The first and second areas form respectively different coupling coefficients of the first and second diffraction grid layers. A distribution feedback laser diode moves a phase of diffraction grid in order to perform single longitudinal mode operation. [Reference numerals] (AA) Λ/4 phase shift diffraction grating; (BB) Diffraction grating; (CC) Active layer; (DD) Spacer
摘要翻译：目的：提供分布式反馈激光二极管及其制造方法，通过装配具有不对称耦合系数的衍射栅格层来获得单模特性。构成：第一区域（111）具有第一格栅形成的轴。第二区域（112）形成为与第一区域相邻。第二区域具有第二衍射栅格层。在第一和第二区域框架上形成有源层。第一和第二区域分别形成第一和第二衍射栅格层的不同耦合系数。分布反馈激光二极管移动衍射网格的相位，以执行单纵模运行。（标号）（AA）Λ/ 4相移衍射光栅; （BB）衍射光栅; （CC）活性层; （DD）间隔

6. 发明公开

KR1020090097148A 면 발광 레이저 및 면 발광 레이저 제조 방법 失效
标题翻译：表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090097148A
公开(公告)日：2009-09-15
申请号：KR1020097010144
申请日：2007-12-18
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 나카가와시게루
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/1833 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18347 , H01S5/18363 , H01S5/2081 , H01S5/3432 , H01S2301/163
摘要： [PROBLEMS] To provide a long service life and highly reliable surface-emitting laser structure and to provide a method for manufacturing such surface-emitting laser. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A surface-emitting laser is provided with a lower Bragg reflector, which is arranged on an upper section of a substrate and includes a plurality of semiconductor layers, and a resonator, which is arranged on an upper section of the lower Bragg reflector and includes a lower semiconductor layer and an upper semiconductor layer. The lower semiconductor layer includes a first insulating layer having an active layer and an opening section arranged at the lower section of the active layer. The upper semiconductor layer is arranged on an upper section of the active layer and includes a second insulating layer having an opening section. The surface-emitting layer is also provided with an upper Bragg reflector which is arranged on an upper section of the resonator and includes a plurality of semiconductor layers. The uppermost layer among the semiconductor layers of the lower Bragg reflector forms an air gap for covering the opening section of the first insulating layer, and the lowermost layer among the semiconductor layers of the upper Bragg reflector forms an air gap for covering the opening section of the second insulating layer.
摘要翻译：为了提供长的使用寿命和高度可靠的表面发射激光器结构，并提供制造这种表面发射激光器的方法。解决问题的手段表面发射激光器设置有下布拉格反射器，其布置在基板的上部并且包括多个半导体层，以及谐振器，其布置在所述基板的上部下布拉格反射器，并且包括下半导体层和上半导体层。下半导体层包括具有有源层的第一绝缘层和布置在有源层下部的开口部分。上半导体层布置在有源层的上部，并且包括具有开口部分的第二绝缘层。表面发射层还设置有布拉格反射器，其布置在谐振器的上部并且包括多个半导体层。下部布拉格反射器的半导体层中的最上层形成用于覆盖第一绝缘层的开口部的气隙，并且上部布拉格反射器的半导体层中的最下层形成用于覆盖第一绝缘层的开口部的空气间隙第二绝缘层。

7. 发明授权

KR100842540B1 수직공진 표면발광 레이저장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR100842540B1
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：KR1020060130902
申请日：2006-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인 , 이은화 , 김성원
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/18
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S2301/163
摘要： 본 발명은 수직공진 표면발광 레이저 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 1/4 파장층이 있는 영역과 이를 식각한 영역에서 굴절률 정합물질 도포 전후에 투과율이 변하지 않는 유전체 코팅구조를 제시하고, 이를 이용한 링형 개구(ring aperture) 구조를 VCSEL 제작공정 초기에 포토레지스트층의 정렬(photo-align) 및 1/4 파장층 식각공정을 통해 형성함으로써 산화막 개구 및 링형 개구를 정확히 일치시키는 것을 특징으로 한다.
수직공진 표면발광 레이저, 굴절률 정합, 방사각

8. 发明公开

KR1020080057522A 수직공진 표면발광 레이저장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080057522A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020060130902
申请日：2006-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인 , 이은화 , 김성원
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/18
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S2301/163
摘要： A vertical cavity surface emitting laser device and a method for fabricating the same are provided to match precisely an oxidation aperture with a ring aperture by implementing the ring apertures in an initial fabrication. A vertical cavity surface emitting laser device includes lower and upper reflective layers, an activation layer(120), an electrode, a contact layer(150), a quarter waveform layer(160), and a dielectric layer(170). The lower and upper reflective layers, which are stacked on each other, form a resonance space therebetween. The activation layer, formed between the lower and upper reflective layers, generates laser beams. The electrode is formed on the upper reflective layer with a ring shape so as to form an aperture that emits beams penetrated through the upper reflective layer. The contact layer is formed on the upper reflective layer. The quarter waveform layer is formed on the contact layer so as to form a high transmittance area in the aperture of the electrode as a ring shape. The dielectric layer covers the contact layer and the quarter waveform layer other than the electrode.
摘要翻译：提供垂直腔表面发射激光器件及其制造方法，以在初始制造中实现环形孔，精确地与氧化孔与环孔匹配。垂直腔表面发射激光器件包括下反射层和上反射层，激活层（120），电极，接触层（150），四分之一波形层（160）和介质层（170）。彼此堆叠的下反射层和上反射层在它们之间形成共振空间。形成在下反射层和上反射层之间的激活层产生激光束。电极形成在具有环形的上反射层上，以形成发射穿过上反射层的光束的孔。接触层形成在上反射层上。四分之一波形层形成在接触层上，从而在电极的孔中形成高透光率区域作为环形。电介质层覆盖电极以外的接触层和四分之一波长层。

9. 发明授权

KR100404043B1 수직으로 집적화된 고출력 면발광 반도체 레이저 장치 및그 제조 방법 失效
标题翻译： 수직으로집적화된고출력면면반체체저저및법법법
公开(公告)号：KR100404043B1
公开(公告)日：2003-11-03
申请号：KR1020010064829
申请日：2001-10-19
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S5/0207 , H01S5/041 , H01S5/1021 , H01S5/18305 , H01S5/426 , H01S2301/163 , H01S2301/166
摘要： Disclosed is a vertically integrated high power surface emitting semiconductor laser device and a method of producing the same. The laser device has a first emitting structure positioned on the first side of a GaAs substrate 4 and electrically pumped to emit a beam at a first wavelength, a second emitting structure positioned on the second side of the GaAs substrate 4 and optically exciting a beam at a second wavelength by the beam at the first wavelength of the first emitting structure, and a pair of electrodes 10, 11 in contact with the lower DBR 1 of the first emitting structure and the second side of the GaAs substrate 4, respectively. This device also has an optical lens 13 positioned on the second side of the GaAs substrate 4 between the first emitting structure and the second emitting structure, and a second upper DBR 6 belonging in the first emitting structure between the optical lens 13 and the second emitting structure.
摘要翻译：公开了垂直集成的高功率表面发射半导体激光器件及其制造方法。该激光器件具有位于GaAs衬底4的第一侧上的第一发射结构，并被电泵浦以发射第一波长的光束，第二发射结构位于GaAs衬底4的第二侧上，并且将光束激发到由第一发射结构的第一波长处的光束产生的第二波长以及分别与第一发射结构的下DBR1和GaAs衬底4的第二侧接触的一对电极10,11。该器件还具有位于第一发射结构和第二发射结构之间的GaAs衬底4的第二侧上的光学透镜13，以及属于第一发射结构中位于光学透镜13和第二发射结构之间的第二上DBR 6 结构体。

10. 发明公开

KR1020030033277A 수직으로 집적화된 고출력 면발광 반도체 레이저 장치 및그 제조 방법 失效
标题翻译：高输出垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030033277A
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：KR1020010064829
申请日：2001-10-19
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S5/0207 , H01S5/041 , H01S5/1021 , H01S5/18305 , H01S5/426 , H01S2301/163 , H01S2301/166
摘要： PURPOSE: A high output vertical cavity surface emitting laser is provided, which is appropriate for a light source of optical pumping, and is also appropriate for a Raman optical amplifier as outputting a high output laser of 1200nm - 1500nm wavelength, and performs a single longitudinal mode or a single lateral mode oscillation. CONSTITUTION: The first light emitting structure includes a bottom DBR(Distributed Bragg Reflector)(1) and the first top DBR(3) and the first active layer(2) formed between the bottom DBR and the first top DBR, and is arranged on one plane of a GaAs substrate(4), and radiates at the first wavelength by being pumped electrically. The second light emitting structure includes a bottom DBR(7) and a top DBR(9) and the second active layer(8) formed between the above bottom DBR and the above top DBR, and is arranged on another plane of the GaAs substrate, and excites a light of the second wavelength optically by the light of the first wavelength of the first light emitting structure. And a pair of electrodes(10,11) are bonded onto the bottom DBR of the first light emitting structure and onto another plane of the GaAs substrate. An optical lens(13) is formed on another plane of the GaAs substrate, and the second top DBR(6) belonging to the first light emitting structure is formed between the optical lens and the second light emitting structure.
摘要翻译：目的：提供高输出垂直腔表面发射激光器，适用于光泵浦光源，也适用于输出1200nm-1500nm波长的高输出激光器的拉曼光放大器，并执行单纵向模式或单侧向振荡。构成：第一发光结构包括底部DBR（分布式布拉格反射器）（1）和形成在底部DBR和第一顶部DBR之间的第一顶部DBR（3）和第一有源层（2），并且布置在 GaAs衬底（4）的一个平面，并且通过被电泵浦而以第一波长辐射。第二发光结构包括底部DBR（7）和顶部DBR（9）以及形成在上述DBR和上述顶部DBR之间的第二有源层（8），并且布置在GaAs衬底的另一个平面上，并且通过第一发光结构的第一波长的光以光学方式激发第二波长的光。并且一对电极（10,11）接合到第一发光结构的底部DBR上并且连接到GaAs衬底的另一个平面上。在GaAs衬底的另一平面上形成光学透镜（13），并且属于第一发光结构的第二顶部DBR（6）形成在光学透镜和第二发光结构之间。

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