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1. 发明公开

KR1020170111464A 레이저 표시장치 有权
标题翻译：激光显示设备
公开(公告)号：KR1020170111464A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160036971
申请日：2016-03-28
申请人： 조성우
发明人： 조성우
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/028 , G02B3/06
CPC分类号： H01S5/18361 , G02B3/06 , H01S5/0287
摘要： 본발명은레이저표시장치에관한것이다. 본발명은내부에내부공간(11)이형성된하우징(10)과상기하우징(10)에설치되어레이저빛을조사하는점광원인레이저광원부(20)와, 상기하우징(10)에일정경로를따라이동가능하도록설치되는조작부(15)와, 상기하우징(10)의내부공간(11) 내에서상기레이저빛이조사되는경로상에설치되고점광원의상기레이저빛을라인으로출사할수 있도록적어도일부가곡면형태로형성되는라인발생수단(50)을포함하고, 상기라인발생수단(50)은상기조작부(15)의작동에연동하여이동되며, 상기라인발생수단(50)이이동됨에따라상기레이저빛이선택적으로점 또는라인으로출사된다. 본발명에의한레이저표시장치는사용자가조작부(15)를조작하여레이저빛을점 또는선 형태로자유롭게선택하여조사할수 있어레이저표시장치의사용편의성이향상되고, 레이저표시장치의활용범위가넓어진다.
摘要翻译：激光显示装置本发明涉及一种激光显示装置。激光光源单元20本发明涉及一种激光光源单元20，其为安装在壳体10中并且向其中形成有内部空间11的壳体10照射激光的点光源，操作单元15安装在壳体10的内部空间11上，使得激光可以从点光源发射到线路，并且线产生装置50与上下操作部分15的操作一起移动，并且当线产生装置50移动时选择激光束作为一个点或线。根据本发明的激光显示为用户操作操作单元15能够自由地执行此研究中的点或线类型选择的激光，提高了使用方便性激光显示装置的，所述激光显示装置的更广泛的应用范围。

2. 发明公开

KR20070080695A SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME HAVING STRUCTURE OF NON-ABSORBING MIRROR 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法，其具有非吸收反射镜的结构
公开(公告)号：KR20070080695A
公开(公告)日：2007-08-13
申请号：KR20060012055
申请日：2006-02-08
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： KIM KYU SANG , SHIM JONG IN , HA KYOUNG HO , CHAE JUNG HYE
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2201 , H01S3/163 , H01S5/18361
摘要： A semiconductor laser device having a non-absorbing mirror structure and a fabrication method thereof are provided to reduce a fabrication cost by removing an edge pattern forming process and a re-growth process for forming a non-absorbing mirror structure by using a seed pattern structure with different see width according to a region. A fabrication method of a semiconductor laser device having a non-absorbing mirror structure includes the steps of: preparing a substrate(10); forming wing in a vertical direction to cavity or seed patterns(20) having different widths; forming a base layer(30) having a vertical growth step difference on the substrate(10) where the seed patterns(20) are formed; forming a lamination of a semiconductor layer(40) on the base layer(30); and completing a fabrication of the semiconductor laser device by forming a ridge-type contact layer(50) on the lamination of the semiconductor layer(40).
摘要翻译：提供一种具有非吸收镜结构及其制造方法的半导体激光器件，其通过使用种子图案结构去除边缘图案形成工艺和用于形成非吸收反射镜结构的再生长工艺来降低制造成本根据区域看不同宽度。具有非吸收镜结构的半导体激光器件的制造方法包括以下步骤：制备衬底（10）; 在垂直方向上形成具有不同宽度的腔或种子图案（20）; 在形成种子图案（20）的基板（10）上形成具有垂直生长步长差的基层（30）; 在所述基底层（30）上形成半导体层（40）的叠层; 以及通过在半导体层（40）的叠层上形成脊型接触层（50）来完成半导体激光器件的制造。

3. 发明公开

KR1020070072775A 2차 고조파 광을 생성하기 위한 레이저 장치 有权
标题翻译：用于产生第二和谐光的激光装置
公开(公告)号：KR1020070072775A
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：KR1020060000260
申请日：2006-01-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황선령 , 이중기 , 박병훈
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18347 , H01L21/02274 , H01S5/041 , H01S5/18361
摘要： A laser apparatus for generating second harmonic light is provided to increase pumping efficiency of an OPSL(Optical Pumped Semiconductor laser) by performing a disordering process for a pump laser. A laser apparatus for generating second harmonic light includes a first reflector(114), an OPSL(110), pumped laser arrays(130a,130d), a second reflector(150), and a nonlinear crystal(140). The first reflector(114) is stacked on a substrate(112), and reflects fundamental wave light. The OPSL(110) is stacked on a central part of the substrate(112), and generates the fundamental wave light of optical pumping. The OPSL(110) outputs the generated fundamental wave light through an upper plane, and has an active layer having a first gain peak wavelength. The pumped laser arrays(130a,130d) are stacked on a peripheral part of the substrate(112) and generate pumping light by a current flow. The pumped laser arrays(130a,130d) have a plurality of active layers having a second gain peak wavelength, and input the pumping light through a side plane of the OPSL(110). The second reflector(150) forms an external cavity with the first reflector(114). The nonlinear crystal(140) is installed inside the external cavity, and generates and outputs the second harmonic light from the fundamental wave light which is resonant inside the external cavity.
摘要翻译：提供了一种用于产生二次谐波光的激光装置，以通过对泵浦激光器执行无序化处理来提高OPSL（光泵浦半导体激光器）的泵送效率。一种用于产生二次谐波光的激光装置包括第一反射器（114），OPSL（110），泵浦激光阵列（130a，130d），第二反射器（150）和非线性晶体（140）。第一反射器（114）堆叠在基板（112）上，并且反射基波光。 OPSL（110）堆叠在基板（112）的中心部分上，并产生光泵浦的基波光。 OPSL（110）通过上平面输出产生的基波光，并具有具有第一增益峰值波长的有源层。泵浦激光器阵列（130a，130d）堆叠在基板（112）的周边部分上，并通过电流产生泵浦光。泵浦激光器阵列（130a，130d）具有多个具有第二增益峰值波长的有源层，并且通过OPSL（110）的侧面面输入泵浦光。第二反射器（150）与第一反射器（114）形成外部空腔。非线性晶体（140）安装在外部空腔内，并产生并输出来自在外部空腔内谐振的基波光的二次谐波光。

4. 发明授权

KR100449768B1 가시적방출VCSEL용의하이브리드미러구조 失效
公开(公告)号：KR100449768B1
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1019970015177
申请日：1997-04-23
申请人： 모토로라 솔루션즈, 인크.
发明人： 쟝웬빈 , 킬리필립 , 렙비마이클에스.
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/18361 , H01S5/18372
摘要： A hybrid mirror structure for a visible emitting VCSEL (101) including a first distributed Bragg reflector (106) disposed on a substrate (102) and including first pairs (108) of alternating layers (111, 113) including an oxidized aluminum material and second pairs (116) of alternating layers (118, 119). A first cladding region (123) disposed on the first distributed Bragg reflector (106), an active region (126) disposed on the first cladding region (123), and a second cladding region (128) disposed on the active region (126), and a second distributed Bragg reflector (131) disposed on the second cladding region (128). In the first distributed Bragg reflector (106), each pair (108) of alternating layers (111, 113) includes a layer (111) containing oxidized aluminum, which is oxidized to decrease the index of refraction to a range of approximately 1.3 to 1.7.
摘要翻译：一种用于可见发射VCSEL（101）的混合镜结构，包括设置在衬底（102）上的第一分布布拉格反射器（106），并包括包含氧化铝材料的交替层（111,113）的第一对（108）和第二对交替层（118,119）对（116）。布置在第一分布式布拉格反射器（106）上的第一包层区域（123），布置在第一包层区域（123）上的有源区域（126）以及布置在有源区域（126）上的第二包层区域（128）以及设置在第二包层区域（128）上的第二分布式布拉格反射器（131）。在第一分布式布拉格反射器（106）中，交替层（111,113）的每对（108）包括含氧化铝的层（111），其被氧化以将折射率降低至约1.3至1.7的范围。＆lt;图像＆GT;

5. 发明公开

KR1020000076604A 알루미늄 갈륨 인듐 질화물 구조 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：制造具有铝镓铟氮化物结构和反射镜叠层的发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020000076604A
公开(公告)日：2000-12-26
申请号：KR1020000005424
申请日：2000-02-03
申请人： 루미레즈 엘엘씨
发明人： 코만캐리카터 , 컨알스코트 , 키쉬프레드에이2세 , 크라메스마이클알 , 너미코아토브이 , 송윤-규
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/105 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/465 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/34333 , Y10S438/977
摘要： 수직 광학 경로, 예를 들면 고품질 미러를 구비하고 수직 공동 표면 발광 레이저나 공진 공동 발광 또는 검출 장치를 구비하는 발광 디바이스는 웨이퍼 본딩이나 금속 납땜 기술을 사용하여 이루어질 수 있다. 발광 영역은 유전체가 분포된 브래그 반사경(DBR)을 포함하는 하나 또는 두 반사경 스택을 삽입한다. 유전체 DBR은 발광 디바이스에 침착되거나 부착될 수 있다. GaP, GaAs, InP 또는 Si의 호스트 스택은 유전체 DBR 중 하나에 부착된다. 전기 접점은 발광 디바이스에 부가된다.

6. 发明授权

KR100147857B1 전자 비임 증발 다층 거울을 구비한 광장치 失效
标题翻译：具有电子束蒸发多层反射镜的光学器件
公开(公告)号：KR100147857B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019920025378
申请日：1992-12-24
申请人： 에이티 앤드 티 코포레이션
发明人： 데니스글렌뎁페 , 닐로이쿠마듀타 , 에르드만프레데릭슈베르트 , 리웨이투 , 죠지죤지드직
IPC分类号： H01S3/085
CPC分类号： H01S5/18361
摘要： 본 발명은 적어도 한쌍의 사분의 일 파장 층을 포함하는 상단 거울을 구비하는 VCSEL을 구현하는 것으로, 각 쌍은 저굴절율 층 및 고굴절율 층으로 이루어지고, 상기 고굴절율 층은 GaP 및 ZnS로 부터 선택된 반도체이고 상기 저굴절율을 층은 봉규산 유리(BSG), CaF2, MgF2 및 NaF로부터 선택된다. 다수의 GaP/BSG 또는 ZnS/CdF
2 쌍의 적층에 의해 형성된 거울은 수직 공동 표면 발광 레이저에서 특히 유용하다. 이러한 거울은 레이저의 효율적인 동작을 위해 요구되어지는 고반사 특성을 갖는다. GaP/BSG 또는 ZnS/CaF2 거울 구조는 최종적인 반사율, 저손실, 성장 공정 후 양립성(post growth processig compatiblity)의 관점에서 종래 기술의 VCSEL에 대한 설계보다 상당히 진보를 나타낸다.

7. 发明公开

KR1020130111577A Ⅲ족 질화물 발광 소자 无效
标题翻译： III-NITRIDE发光装置
公开(公告)号：KR1020130111577A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020137014094
申请日：2011-10-27
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 그런드만,마이클,제이슨 , 가드너,나단,프레드릭 , 고에츠,베르너,칼 , 맥로린,멜빈,바커 , 에플러,존,에드워드 , 레온,프란시스코,알렌산더
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0211 , H01S5/0218 , H01S5/18361 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 소자는 기판 및 상기 기판 상에 성장된 Ⅲ족 질화물 구조를 포함하는데, 상기 Ⅲ족 질화물 구조는 n형 영역과 p형 영역의 사이에 배치된 발광층을 포함한다. 상기 기판은 RAO
3 (MO)
n 이고, 여기에서 R은 3가 양이온(trivalent cation)인 스칸듐(Sc), 인듐(In), 이트륨(Y) 중 하나이고; A는 3가 양이온인 3가 철, 갈륨 및 알루미늄 중 하나이며; M은 2가 양이온인 마그네슘, 망간, 2가 철, 코발트, 구리, 아연 및 카드뮴 중 하나이고; n은 1 이상의 정수이다. 상기 기판은 면내격자상수(in-plane lattice constant) a
substrate 를 갖는다. 상기 Ⅲ족 질화물 구조에서 한 개 이상의 Ⅲ족 질화물 층은 벌크격자상수(bulk lattice constant) a
layer 를 갖는다. [(|a
substrate -a
layer |)/a
substrate ]*100%는 1% 이하이다.

8. 发明公开

KR1020110126661A 하이브리드 수직공진 레이저 审中-实审
标题翻译：混合垂直孔激光
公开(公告)号：KR1020110126661A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：KR1020117020785
申请日：2010-01-22
申请人： 덴마크스 텍니스케 유니버시테트
发明人： 정일석
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/02 , H01S5/026 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/1838 , H01S5/3095 , H01S5/18361 , H01S5/18386
摘要： 본 발명은 실리콘 플랫폼(3) 상에 광자회로용 광원(2)을 제공하는 것이다. 수직공진 레이저는 상부 거울층(4)과 기판 상의 실리콘 층(10)에 회절격자 영역(11)에 바닥 반사형 회절격자(12) 사이에 배열된 게인 영역(101)으로 형성된다. 회절격자 영역(11)으로부터의 빛을 수용하는 웨이브가이드(18,19)는 회절격자 영역에 연결되거나 그 내부에 형성되고, VCL용 4개의 아웃풋 커플러로 기능한다. 따라서, 수직 레이저 모드(16)는 실리콘 층에 형성된 평면 웨이브가이드의 측면 평면 모드(17,20)에 연결되며, 빛은 실리콘에 SOI 혹은 CMOS 기판 상에 예컨대 광자회로에 구비될 수 있다.

9. 发明授权

KR100727907B1 다중 파장 표면광 레이저 및 그 제조방법 失效
标题翻译：多波长垂直腔表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR100727907B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020000041737
申请日：2000-07-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이은경 , 정민형
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/18308 , H01S5/18344 , H01S5/18361 , H01S5/2063 , H01S5/4087
摘要： 서로 다른 파장의 광을 조사하는 서로 다른 종류의 표면광 레이저를 동일 기판 상에 구성한 다중 파장 표면광 레이저 및 그 제조방법가 개시되어 있다.
이 개시된 표면광 레이저는, 서로 다른 파장의 광을 조사할 수 있도록 된 하부반사기층, 활성층, 상부반사기층 구조의 표면광 레이저를 일 기판에 대하여 일체로 형성한 점에 특징이 있다.
따라서, 다른 파장의 광을 동시에 출사할 수 있도록 함과 아울러, 각 표면광 레이저의 광학적 배열이 반도체 제조 공정시 결정되므로 광학적 정렬이 용이하다는 이점이 있다.
또한, 개시된 다중 파장 표면광 레이저 제조공정은 일 파장의 광을 조사하는 일 표면광 레이저를 기판 상에 형성 한 후, 식각공정을 통하여 그 일부를 제거함으로써 기판 상에 다른 표면광 레이저가 적층될 공간을 마련하고, 이 일 표면광 레이저에 보호막을 입힌 후 기판 및 보호막 상에 다른 파장의 광을 조사하는 다른 표면광 레이저를 형성한다. 그리고, 식각공정을 통하여 기판 상에 형성된 다른 표면광 레이저를 제외한 나머지 부분을 제거한다. 이어서, 기판의 일면과 두 표면광 레이저 각각의 상면에 하부전극 및 상부전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 광학적 정렬이 쉽고, 비교적 제조공정이 간단하다는 이점이 있다.

10. 发明公开

KR1020070059312A 수직 외부 공진기형 면발광 레이저 소자 및 이를 구비하는레이저 시스템 无效
标题翻译：垂直外部空腔表面发射激光装置及其相同的激光系统
公开(公告)号：KR1020070059312A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020050118016
申请日：2005-12-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 김기성
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18397 , H01S5/02476 , H01S5/18361
摘要： A vertical external cavity surface emitting laser device and a laser system including the same are provided to realize a compact volume and reduce a manufacturing unit cost. A vertical external cavity surface emitting laser device(20) includes a first laser device(30), a second laser device(50), and a heat spreader(40). The first and second laser devices(30,50) generate light of different wavelengths. The first laser device(30) has a first active layer(31) and a first reflector(35). The first active layer(31) generates light of a first wavelength. The first reflector(35) reflects the light generated from the first active layer(31). The second laser device(50) has a second active layer(51) and a second reflector(55). The second active layer(51) generates light of a second wavelength. The second reflector(55) reflects the light generated from the second active layer(51). The heat spreader(40) discharges heat generated from the first and second laser devices(30,50) to the outside. The first active layer(31), the first reflector(35), the heat spreader(40), the second active layer(51), and the second reflector(55) are sequentially formed in a stack structure.
摘要翻译：提供垂直的外腔表面发射激光器件和包括其的激光系统以实现紧凑的体积并降低制造单元成本。垂直外腔表面发射激光器件（20）包括第一激光器件（30），第二激光器件（50）和散热器（40）。第一和第二激光装置（30,50）产生不同波长的光。第一激光装置（30）具有第一有源层（31）和第一反射器（35）。第一有源层（31）产生第一波长的光。第一反射器（35）反射从第一有源层（31）产生的光。第二激光装置（50）具有第二有源层（51）和第二反射器（55）。第二有源层（51）产生第二波长的光。第二反射器（55）反射从第二有源层（51）产生的光。散热器（40）将从第一和第二激光装置（30,50）产生的热量排出到外部。第一有源层（31），第一反射器（35），散热器（40），第二有源层（51）和第二反射器（55）依次形成为堆叠结构。

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