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1. 发明公开

KR1020160018869A ＳＳ－ＯＣＴ 시스템에 대한 파장－튜닝가능 수직 캐비티 표면 방출 레이저 无效
标题翻译：波长范围垂直孔表面发射激光，用于开关源光学相干光谱系统
公开(公告)号：KR1020160018869A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020167002932
申请日：2014-07-01
申请人： 인피닉스, 인크.
发明人： 마키노,토시히코 , 리,통닝 , 이유,데이비드
IPC分类号： H01S5/183 , G01N21/47 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/18366 , G01B9/02004 , G01N21/4795 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/3412 , H01S5/34313
摘要： 마이크로전자기계시스템(MEMS) 기술의사용을통한파장-튜닝가능수직-캐비티표면-방출레이저(VCSEL)가광 간섭성단층촬영(OCT)에대한스웹(swept) 소스로서제공된다. 상기파장튜닝가능 VCSEL은 VCSEL의하부거울, 활성영역, 및정전기편향에의해이동가능한 MEMS 튜닝가능상부거울을포함한다. GaAs 기반분포된브래그(Bragg) 반사기(DBR) 스택을포함하는하부거울및 GaAs 기반양자점(QD) 층들의다수의스택들을포함하는활성영역은 GaAs 기판상에서에피텍시얼하게성장된다. MEMS 튜닝가능상부거울은서스펜션빔들에의해지지되는멤브레인부분및 유전체 DBR 스택을포함하는상부거울을포함한다. MEMS 튜닝가능양자점들 VCSEL은 100nm보다넓은동작파장범위를커버할수 있으며, 바람직하게는 250과 2950nm 사이에서의중심파장을갖는동작파장범위를커버할수 있으며, 그리고스위핑레이트(sweeping rate)는수 kHz로부터수백 kHz, 그리고최대수 MHz까지가될 수있다.

2. 发明授权

KR101158072B1 발광소자 有权
公开(公告)号：KR101158072B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020090089040
申请日：2009-09-21
申请人： 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 남기범
发明人： 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/1053 , H01S5/341 , H01S5/3412
摘要： 본 발명은 발광 다이오드(LED) 및 레이저 다이오드(LD) 등으로 이용될 수 있는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다중양자우물 구조 내 적어도 한 층에 캐리어 트랩부(carrier trap portion)를 포함하는 발광소자에 관한 것이다.

3. 发明授权

KR100963177B1 광소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：具有衍射波的衍射光栅的光学器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100963177B1
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020080012518
申请日：2008-02-12
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 마츠다마나부
IPC分类号： G02B6/124
CPC分类号： G02B6/124 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/12 , H01S5/1215 , H01S5/1237 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/3412
摘要： 본 발명은 고차 횡모드의 발진을 억제하면서, 기본 횡모드의 도파로 손실의 증대를 억제하는 것이 가능한 광소자를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본원발명의 광소자는, 기판상에 형성된 광도파 구조가 기판의 표면에 평행한 방향으로 광을 도파시키는 광도파로를 획정하는 동시에, 도파광의 횡모드의 광강도 분포를 그 광도파로의 제 1 측으로 편재시킨다. 광도파로의 양측 중, 적어도 제 1 측과는 반대인 제 2 측에, 광도파로를 전파하는 도파광과 결합하는 주회절격자가 배치되어 있다. 광도파로의 양측 중 제 1 측에, 주회절격자와 결합하여 광도파로를 전파하는 도파광을 광도파로가 연장하는 방향과는 다른 방향으로 회절시키는 부회절격자가 배치되어 있다.
리지 형상 클래드층, 주회절격자, 부회절격자, 레지스트 패턴, 마스크 패턴

4. 发明公开

KR1020100039081A 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치 失效
标题翻译：量子氧化铅复合物，其制备方法和包含其的发光装置
公开(公告)号：KR1020100039081A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020080098298
申请日：2008-10-07
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 박경순 , 김배균 , 조동현 , 이인형 , 김재일
IPC分类号： H01L33/04 , B82Y20/00 , B82B3/00
CPC分类号： H01S5/10 , B82Y20/00 , H01L33/502 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2924/00011 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/3412 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01049
摘要： PURPOSE: A quantum dot-metal oxide complex, a manufacturing method thereof, and a light emitting device are provided to improve optical safety by isolating a quantum dot from an external bad environment. CONSTITUTION: A quantum dot-metal oxide complex includes a quantum dot and a metal oxide which makes a three dimensional network with the quantum dot. The surface of the quantum dot is amino-alcohol processed. The ligand of the quantum dot is substituted for a molecule with amine and hydroxyl group. The metal oxide is SiO2, TiO2, Al2O3, or mixture thereof.
摘要翻译：目的：提供量子点金属氧化物络合物，其制造方法和发光器件，以通过将量子点与外部不良环境隔离来提高光学安全性。构成：量子点金属氧化物络合物包括量子点和金属氧化物，其与量子点形成三维网络。量子点的表面是氨基醇处理的。量子点的配体被胺和羟基取代成分子。金属氧化物是SiO 2，TiO 2，Al 2 O 3或其混合物。

5. 发明授权

KR100781719B1 이온빔 식각을 이용한 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법 失效
标题翻译：使用离子束蚀刻的制备高分子量结构的方法
公开(公告)号：KR100781719B1
公开(公告)日：2007-12-03
申请号：KR1020040026981
申请日：2004-04-20
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 권오대 , 김준연 , 안성재
IPC分类号： H01S5/30 , B82Y10/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L29/0657 , H01L33/105 , H01L33/20 , H01S5/18344 , H01S5/18352 , H01S5/2086 , H01S5/3412 , H01S5/3432 , H01S2301/176
摘要： 본 발명은 이온빔 식각법을 이용하여 활성층(Active region or gain medium)의 직경이 수㎛ 이하에서 수십 ㎚까지의 범위에서 균일한 크기를 가지는 쌍곡면 드럼형 소자를 대량으로 제조할 수 있는 방법과 이로부터 제조된 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법은, 기판 상에 n형 반도체와 p형 반도체의 접합으로 이루어지며, 상기 n형 반도체와 p형 반도체 사이의 경계와 그 부근영역에 활성층을 갖는 에피택시층(epitaxial layer)을 형성하는 단계; 및 이온빔 식각법으로 상기 에피택시 층을 상기 활성층에서 최소의 직경을 갖도록 쌍곡면 드럼 형태로 식각하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 쌍곡면 드럼형 소자는 매우 균일하고 재연성이 좋으며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.
쌍곡면 드럼형, 이온빔 식각, 활성층, 반도체 레이저, 양자점

6. 发明公开

KR1020070061055A 광도파로를 전파하는 광과 회절격자를 결합시킨 광소자 失效
标题翻译：光学器件耦合光传播光学波导与衍射光栅
公开(公告)号：KR1020070061055A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060039511
申请日：2006-05-02
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 마츠다마나부 , 야마모토츠요시
IPC分类号： G02B6/10 , G02B5/18
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/12 , H01S5/1231 , H01S5/1237 , H01S5/125 , H01S5/227 , H01S5/3412
摘要： An optical device for coupling the light transmitted through an optical waveguide and a diffraction grating is provided to transmit the light of a single mode including a basic horizontal mode by supressing transmission of a second horizontal mode. An optical device is composed of an optical waveguide for transmitting a laser beam; a main diffraction grating(11) coupled with the wave-guided light transmitted through the waveguide; and a sub diffraction grating(12) coupled with the wave-guided light transmitted through the waveguide. The main and sub diffraction gratings are coupled with the wave-guided light so that an electric wave of a second horizontal mode of the wave-guided light is much more restricted if the main and sub diffraction gratings are arranged on both sides, in comparison with the electric wave generated if only the main diffraction grating is disposed.
摘要翻译：提供一种用于耦合透过光波导的光和衍射光栅的光学装置，以通过抑制第二水平模式的透射来透射包括基本水平模式的单一模式的光。光学装置由用于透射激光束的光波导构成; 与透射通过波导的波导光耦合的主衍射光栅（11）; 以及与通过波导透射的波导光耦合的副衍射光栅（12）。主和副衍射光栅与波导引导光耦合，使得如果主和副衍射光栅布置在两侧，则波导光的第二水平模式的电波被更多地限制，与如果仅设置主衍射光栅就产生电波。

7. 发明公开

KR1020030045004A 콴텀홀 형성방법 失效
标题翻译：用于制造量子孔的方法
公开(公告)号：KR1020030045004A
公开(公告)日：2003-06-09
申请号：KR1020030033432
申请日：2003-05-26
申请人： 주식회사 엔엠씨텍
发明人： 김훈
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/08 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01S5/3412 , Y10S438/962
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a quantum hole is provided to fabricate a semiconductor light emitting device for generating light of a predetermined color by forming the quantum hole having a fine diameter of a nanometer size. CONSTITUTION: Ions are discharged from an ion gun(40) at a high speed. The discharged ions are focused to form an ion beam. The ion beam is vertically and horizontally deflected by using an injection deflecting unit(46,48) and is injected into a plurality of positions for forming the quantum hole of a semiconductor substrate(44) located in the front of the injection deflecting unit. The speed of the ion beam is controlled by an acceleration speed of the ion beam so that the ions of the ion beam is not injected into the semiconductor substrate because of the impact of the ion beam incident on the semiconductor substrate and the surface of the semiconductor substrate is physically eliminated. The time interval of incidence of the ion beam is set up to have a range in which a quantum hole of a single ion beam type is formed in the semiconductor substrate. The size of the ion beam is properly determined according to the size of the quantum hole and the ion beam is controlled according to the determination value to form the quantum hole.
摘要翻译：目的：提供一种制造量子孔的方法，通过形成具有纳米尺寸的微细直径的量子孔来制造用于产生预定颜色的光的半导体发光器件。构成：离子枪高速排出离子枪（40）。排出的离子被聚焦以形成离子束。离子束通过使用注入偏转单元（46,48）而被垂直和水平地偏转，并被注入多个位置以形成位于注射偏转单元前面的半导体衬底（44）的量子孔。离子束的速度由离子束的加速度控制，使得离子束的离子不会注入到半导体衬底中，因为入射到半导体衬底和半导体衬底上的离子束的冲击衬底被物理清除。离子束的入射时间间隔被设定为具有在半导体衬底中形成单个离子束型的量子孔的范围。根据量子孔的尺寸适当确定离子束的尺寸，根据测定值控制离子束，形成量子孔。

8. 发明授权

KR101594467B1 하이브리드 레이저 有权
标题翻译：混合激光
公开(公告)号：KR101594467B1
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020137031304
申请日：2012-05-16
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 시사크매튜엔 , 존스리차드 , 유제니바유제니아디
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/1032 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/3412 , H01S2301/166
摘要： 본발명의실시예는실리콘기반 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 장치로및 이와함께통합될수 있는, 전기적으로펌핑된하이브리드반도체레이저를제공한다. 하이브리드레이저의능동영역은퀀텀웰 또는퀀텀도트로구성된다. 본발명의실시예에따른장치는장거리데이터송신과마찬가지로퍼스널컴퓨터, 서버및 데이터센터에서및 그주위에서데이터를전송하는데 사용될수 있다.

9. 发明公开

KR1020140041605A 양자 나노 도트, 2차원 양자 나노 도트 어레이 및 이것을 사용한 반도체 장치 및 제조 방법 无效
标题翻译：量子纳米尺寸，二维量子纳米阵列和使用其的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140041605A
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020137034817
申请日：2012-06-13
申请人： 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
发明人： 사무카와세이지
IPC分类号： H01L31/04 , H01S5/343
CPC分类号： H01L29/66977 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/32139 , H01L29/127 , H01L29/66 , H01L31/035218 , H01L31/076 , H01L31/078 , H01L51/0093 , H01S5/3412 , H01S5/343 , H01S2304/00 , Y02E10/548
摘要： 양자 나노 도트, 2차원 양자 나노 도트 어레이 및 이들을 사용한 반도체 장치 및 제조 방법을 제공한다. 양자 나노 도트(3)는, 반도체로 이루어지고, 2차원 방향의 외경(外徑)이 반도체 중의 여기자의 보어 반경의 2배 이하이다. 2차원 양자 나노 도트 어레이(1)는, 양자 나노 도트(3)를 2차원으로 균일하게 배치하고, 양자 나노 도트(3)의 간격이 1 ㎚보다 큰 간격으로 배치하여 구성된다. 또한, 양자 나노 도트 어레이(10) 사이에 충전되는 반도체 또는 절연체로 이루어지는 중간층(6)을 포함할 수도 있다. 양자 나노 도트는 고배향이며 또한 고밀도이므로, 양자구속 효과가 높다. 그러므로, Si로 이루어지는 양자 나노 도트(3)는, 직접 천이적 발광이 생긴다. 또한, 중간층(6)을 포함하는 2차원 양자 나노 도트 어레이(10)는, 광학 특성이나 수송 특성을 제어할 수 있다.

10. 发明授权

KR101374512B1 Ⅲ족-Ⅴ족 반도체 코어-헤테로쉘 나노결정 有权
标题翻译： Ⅲ-Ⅴ半导体核 - 异质纳米晶体
公开(公告)号：KR101374512B1
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020087001156
申请日：2006-06-15
申请人： 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디.
发明人： 바닌,우리 , 아하로니,아사프
IPC分类号： H01L33/00 , C30B29/60
CPC分类号： C30B29/60 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/883 , C30B7/005 , H01L33/24 , H01S5/3412 , Y10T428/2991
摘要： 본 발명은 코어 및 다중 쉘들을 포함하는 코어/멀티쉘 반도체 나노결정에 관한 것으로서, Ⅰ-형 밴드 오프셋과 약 400 nm의 가시광선부터 약 1600 nm의 NIR까지의 영역을 포함하는 밝고 조절가능한 방출을 제공하는 높은 광냉광 양자수득률을 나타낸다.
나노결정
摘要翻译：本发明提供了一种包含核和多个壳的核/多壳半导体纳米晶体，其表现出I型带偏移和高光致发光量子产率，从而提供了可见光范围从1600nm附近的约400nm到NIR的可见光范围。

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