专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101834015B1 하이브리드 수직공진 레이저 有权
标题翻译：混合垂直共振激光器
公开(公告)号：KR101834015B1
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：KR1020117020785
申请日：2010-01-22
申请人： 덴마크스 텍니스케 유니버시테트
发明人： 정일석
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/02 , H01S5/026 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/1838 , H01S5/3095
摘要： 본발명은실리콘플랫폼(3) 상에광자회로용광원(2)을제공하는것이다. 수직공진레이저는상부거울층(4)과기판상의실리콘층(10)에회절격자영역(11)에바닥반사형회절격자(12) 사이에배열된게인영역(101)으로형성된다. 회절격자영역(11)으로부터의빛을수용하는웨이브가이드(18,19)는회절격자영역에연결되거나그 내부에형성되고, VCL용 4개의아웃풋커플러로기능한다. 따라서, 수직레이저모드(16)는실리콘층에형성된평면웨이브가이드의측면평면모드(17,20)에연결되며, 빛은실리콘에 SOI 혹은 CMOS 기판상에예컨대광자회로에구비될수 있다.
摘要翻译：本发明提供了用于硅平台（3）上的光子电路的光源（2）。垂直腔激光器被上反射镜层4形成时，增益区域101布置在衍射光栅区11之间EVA关闭反射型衍射板状技术的硅层10上光栅12。用于接收来自衍射光栅区域11的光的波导18和19连接到或形成在衍射光栅区域内并且用作VCL的四个输出耦合器。因此，垂直激光模式16联接到形成在硅层上的平面波导的侧平面模式（17,20）时，光可以是例如在光子电路中提供的SOI衬底或硅CMOS上。

2. 发明公开

KR1020110126661A 하이브리드 수직공진 레이저 审中-实审
标题翻译：混合垂直孔激光
公开(公告)号：KR1020110126661A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：KR1020117020785
申请日：2010-01-22
申请人： 덴마크스 텍니스케 유니버시테트
发明人： 정일석
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/02 , H01S5/026 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/1838 , H01S5/3095 , H01S5/18361 , H01S5/18386
摘要： 본 발명은 실리콘 플랫폼(3) 상에 광자회로용 광원(2)을 제공하는 것이다. 수직공진 레이저는 상부 거울층(4)과 기판 상의 실리콘 층(10)에 회절격자 영역(11)에 바닥 반사형 회절격자(12) 사이에 배열된 게인 영역(101)으로 형성된다. 회절격자 영역(11)으로부터의 빛을 수용하는 웨이브가이드(18,19)는 회절격자 영역에 연결되거나 그 내부에 형성되고, VCL용 4개의 아웃풋 커플러로 기능한다. 따라서, 수직 레이저 모드(16)는 실리콘 층에 형성된 평면 웨이브가이드의 측면 평면 모드(17,20)에 연결되며, 빛은 실리콘에 SOI 혹은 CMOS 기판 상에 예컨대 광자회로에 구비될 수 있다.

3. 发明授权

KR101013240B1 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101013240B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020080097293
申请日：2008-10-02
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 사이또신이찌 , 아오끼마사히로 , 우찌야마히로유끼 , 아리모또히데오 , 사꾸마노리유끼 , 야마모또지로
IPC分类号： H01S5/00 , H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/1237 , H01S5/125 , H01S5/18341 , H01S5/3004 , H01S5/3427 , H01S2301/176 , H01S2302/00
摘要： 통상의 실리콘 프로세스를 이용하여 용이하게 형성 가능한 방법에 의해, 실리콘 등의 기판 상에, 실리콘이나 그것에 준하는 게르마늄 등의 IV족 반도체를 기본 구성 요소로 한 실리콘 레이저 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. 전자를 주입하는 제1 전극부와, 정공을 주입하는 제2 전극부와, 제1 전극부 및 제2 전극부와 전기적으로 접속된 발광부를 구비하고, 발광부를 단결정의 실리콘으로 하고, 발광부가 제1 면(상면)과 제1 면에 대향하는 제2 면(하면)을 갖고, 제1 및 제2 면의 면방위를 (100)면으로 하고, 제1 및 제2 면에 직교하는 방향의 발광부의 두께를 얇게 하고, 발광부의 근방에 배치된, 제1 유전체로 구성되는 도파로와, 제1 및 제2 유전체를 교대로 인접시킴으로써 형성한 미러를 갖는 극박 실리콘 레이저이다.
실리콘 레이저, IV족 반도체, 극박 실리콘막, 밴드 갭, 에피택셜 성장, 웨트 에칭, 캐리어, 단결정 실리콘
摘要翻译：通过常规的能够使用硅工艺容易地形成，方法，在基板上，例如硅，以提供硅或锗，如半导体的基体组分和类似于它的制造方法的第IV族的硅激光器元件。用于注入电子的第一电极部分，用于注入空穴的第二电极部分，以及电连接到第一电极部分和第二电极部分的发光部分，其中发光部分由单晶硅制成，并且，与第一面相对的第二面（下面），第一面和第二面的面取向为（100）面，与第一面和第二面垂直的方向是一种超薄硅激光器，其具有由第一电介质和第一电介质以及第二电介质构成的波导形成的反射镜，该波导交替地布置在发光部分附近。

4. 发明授权

KR100688763B1 알루미늄 갈륨 인듐 질화물 구조 형성 방법 有权
标题翻译：通过激光熔化制造的铝焊接结构的厚度定型
公开(公告)号：KR100688763B1
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020000005426
申请日：2000-02-03
申请人： 루미레즈 엘엘씨
发明人： 코만캐리카터 , 키쉬프레드에이 , 컨알스코트 , 크라메스마이클알 , 마틴폴에스
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/465 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/105 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/32341 , Y10S117/915
摘要： 수직 광학 경로, 예를 들면 고품질 미러를 구비하고 수직 공동 표면 발광 레이저나 공진 공동 발광 또는 검출 장치를 구비하는 발광 디바이스는 웨이퍼 본딩이나 금속 납땜 기술을 사용하여 이루어질 수 있다. 발광 영역은 유전체가 분포된 브래그 반사기(DBR)를 포함하는 하나 또는 두 반사기 스택을 삽입한다. 유전체 DBR은 발광 디바이스에 침착되거나 부착될 수 있다. GaP, GaAs, InP 또는 Si의 호스트 스택은 유전체 DBR 중 하나에 부착된다. 전기 접점은 발광 디바이스에 부가된다.

5. 发明授权

KR100641925B1 알루미늄 갈륨 인듐 질화물 구조 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： WAFER BONDED AlxGayInzN结构
公开(公告)号：KR100641925B1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：KR1020000005424
申请日：2000-02-03
申请人： 루미레즈 엘엘씨
发明人： 코만캐리카터 , 컨알스코트 , 키쉬프레드에이2세 , 크라메스마이클알 , 너미코아토브이 , 송윤-규
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/105 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/465 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/34333 , Y10S438/977
摘要： 수직 광학 경로, 예를 들면 고품질 미러를 구비하고 수직 공동 표면 발광 레이저나 공진 공동 발광 또는 검출 장치를 구비하는 발광 디바이스는 웨이퍼 본딩이나 금속 납땜 기술을 사용하여 이루어질 수 있다. 발광 영역은 유전체가 분포된 브래그 반사기(DBR)를 포함하는 하나 또는 두 반사기 스택을 삽입한다. 유전체 DBR은 발광 디바이스에 침착되거나 부착될 수 있다. GaP, GaAs, InP 또는 Si의 호스트 스택은 유전체 DBR 중 하나에 부착된다. 전기 접점은 발광 디바이스에 부가된다.

6. 发明授权

KR100527108B1 반도체 광소자의 제작 방법 有权
标题翻译：制造半导体光学器件的方法
公开(公告)号：KR100527108B1
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020030085359
申请日：2003-11-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 송현우 , 한원석 , 김종희 , 주영구 , 권오균 , 박상희
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18341 , H01S5/02461 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18363
摘要： 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

7. 发明公开

KR1020010053855A 유기물 마이크로 공진 레이저 失效
标题翻译：有机微波共振激光
公开(公告)号：KR1020010053855A
公开(公告)日：2001-07-02
申请号：KR1019990054395
申请日：1999-12-02
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 추혜용 , 이정익 , 김성현 , 도이미 , 박혁 , 황도훈 , 정태형
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/343 , H01S5/36
摘要： PURPOSE: An organics micro resonant laser is provided to minimize an optical loss and to improve a current supplying property into an active area in a cavity by introducing an upper mirror layer and forming the upper mirror layer with a ring shape around an active layer. CONSTITUTION: In an organics micro resonant laser, an under mirror layer(320) is formed on a substrate. An under electrode(330) is formed on the under mirror layer. An illuminant layer is formed on the under electrode. An upper electrode(350) is formed in a peripheral part of the illuminant layer. An upper mirror layer(360) is formed on an active layer(340) in the peripheral part. The under mirror layer and the upper mirror layer consist of SiOx/TiOx or SiOx/MgOx and have a DBR multi-layer structure having a thickness of λ/4n respectively.
摘要翻译：目的：提供一种有机微型共振激光器，以通过引入上镜层并在活性层周围形成具有环形形状的上镜面镜面来最小化光损耗并且改善在腔中的有源区域中的电流供应特性。构成：在有机微型共振激光器中，在衬底上形成底镜层（320）。在下镜面层上形成下电极（330）。在下电极上形成发光体层。上部电极（350）形成在发光体层的周边部分。在周边部分的有源层（340）上形成上镜层（360）。底镜层和上镜层由SiOx / TiOx或SiOx / MgOx组成，分别具有λ/ 4n厚度的DBR多层结构。

8. 发明授权

KR100271700B1 면발광형 반도체레이저 失效
标题翻译：表面发射半导体激光
公开(公告)号：KR100271700B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019930004813
申请日：1993-03-26
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 우오미가즈히사 , 사가와미스즈 , 다까이아쯔시
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/18361 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/2224 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34306
摘要： 면발광형 반도체레이저에 관한 것으로써, 소자저항의 감소 및 신뢰성의 향상을 위해, 반도체기판상에 적어도 광을 발생하는 활성층을 p형의 반도체다층막 반사경과 n형의 반도체 다층막 반사경 사이에 마련한 적층구조체를 갖는 면발광형 반도체레이저에 있어서, p형의 반도체다층막 반사경을 형성하는 굴절율이 다른 적어도 2종류의 반도체층간의 전도대측 밴드끝 불연속에너지값이 가전자대측 밴드끝 불연속에너지값보다도 크며, 또한 n형의 반도체다층막 반사경을 형성하는 굴절율이 다른 적어도 2종류의 반도체층간의 가전자대측 밴드끝 불연속 에너지값이 전도대측 밴드끝 불연속에너지값보다도 크게 한다.
이러한 면발광형 반도체레이저를 채용하는 것에 의해, 소자저항의 감소 및 신뢰성이 향상된다.

9. 发明公开

KR1020000057891A ＩｎＡｌＧａＮ 발광 장치 및 수직 전도 ＡｌＩｎＧａＮ 발광 장치 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造发光装置的装置和方法
公开(公告)号：KR1020000057891A
公开(公告)日：2000-09-25
申请号：KR1020000005186
申请日：2000-02-02
申请人： 루미레즈 엘엘씨
发明人： 코만캐리카터 , 키쉬프레드에이2세 , 크라메스마이클알 , 마틴파울에스
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01S5/0216 , H01S5/0421 , H01S5/18341 , H01S5/32341
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting device(LED) is provided an InAlGaN LED by eliminating a light emitting layer from a sapphire growth substrate. CONSTITUTION: A method for manufacturing a light emitting device(LED) comprises the steps of: growing an InAlGaN light emitting structure having a device layer of first and second polarities, on a growth substrate; depositing a first ohmic metal layer on an exposed side of the InAlGaN light emitting structure; depositing a second ohmic metal layer on a host substrate; and adhering the first and second ohmic metal layers to a wafer to form a first electrical contact on an interface of the wafer.
摘要翻译：目的：通过从蓝宝石生长衬底去除发光层，提供了一种用于制造发光器件（LED）的方法。构成：制造发光器件（LED）的方法包括以下步骤：在生长衬底上生长具有第一和第二极性的器件层的InAlGaN发光结构; 在所述InAlGaN发光结构的暴露侧上沉积第一欧姆金属层; 在主机衬底上沉积第二欧姆金属层; 以及将所述第一和第二欧姆金属层粘附到晶片以在所述晶片的界面上形成第一电接触。

10. 发明公开

KR1020160147766A 3D 레이저 스캐너 审中-实审
标题翻译： 3D 3D激光扫描仪
公开(公告)号：KR1020160147766A
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020167029873
申请日：2015-03-26
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 델프스크리스토프 , 피셔프랑크 , 슈닛처라이너 , 리더부쉬하이코 , 디트리히니클라스 , 필라드가엘
IPC分类号： G01S17/42 , H01S5/183 , G01S7/481 , G01S17/58 , G01S17/89 , G02B26/08 , H01S5/026
CPC分类号： G01S17/42 , G01S7/4814 , G01S7/4817 , G01S17/58 , G01S17/89 , G02B26/0833 , H01S5/0261 , H01S5/0264 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/18341
摘要： 본발명은위치인식구역(30) 내에포지셔닝된객체(4)를측정하기위한모듈(2)에관한것이며, 상기모듈(2)은일차빔(3, 3', 3")을생성하도록구성되고, 상기모듈(2)은스캐닝미러구조물(7, 7')을가지며, 이스캐닝미러구조물(7, 7')은위치인식구역내에서일차빔(3, 3', 3")에의해스캐닝동작(31)이실행되도록제어될수 있고, 상기모듈(2)은, 스캐닝미러구조물(22)의한 편향위치에서객체(4)와일차빔(3, 3', 3")의상호작용을통해이차신호(5)가생성될때 이이차신호(5)가검출될수 있도록구성되고, 상기모듈(2)은스캐닝미러구조물(7, 7')의상기편향위치에기초하여위치인식정보를생성하도록구성되고, 상기모듈(2)은반도체레이저소자(6)를가지며, 이반도체레이저소자(6)는일차빔(3, 3', 3")을생성하고이차신호(5)를검출하도록구성된다.
摘要翻译：一种用于测量位于位置查找区中的物体的模块; 所述模块被配置用于产生主波束; 所述模块具有扫描镜结构; 扫描镜结构是可控制的，以允许主光束在位置查找区域内执行扫描运动; 所述模块被配置为当响应于所述主光束与所述物体在所述扫描镜结构的偏转位置的相互作用而产生所述次级信号时，允许检测到次级信号; 所述模块被配置为产生作为所述扫描镜结构的偏转位置的函数的位置查找信息; 该模块具有半导体激光器部件; 所述半导体激光器部件被配置为用于产生所述主光束并用于检测所述次级信号。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式