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1. 发明公开

KR1020130111577A Ⅲ족 질화물 발광 소자 无效
标题翻译： III-NITRIDE发光装置
公开(公告)号：KR1020130111577A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020137014094
申请日：2011-10-27
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 그런드만,마이클,제이슨 , 가드너,나단,프레드릭 , 고에츠,베르너,칼 , 맥로린,멜빈,바커 , 에플러,존,에드워드 , 레온,프란시스코,알렌산더
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0211 , H01S5/0218 , H01S5/18361 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 소자는 기판 및 상기 기판 상에 성장된 Ⅲ족 질화물 구조를 포함하는데, 상기 Ⅲ족 질화물 구조는 n형 영역과 p형 영역의 사이에 배치된 발광층을 포함한다. 상기 기판은 RAO
3 (MO)
n 이고, 여기에서 R은 3가 양이온(trivalent cation)인 스칸듐(Sc), 인듐(In), 이트륨(Y) 중 하나이고; A는 3가 양이온인 3가 철, 갈륨 및 알루미늄 중 하나이며; M은 2가 양이온인 마그네슘, 망간, 2가 철, 코발트, 구리, 아연 및 카드뮴 중 하나이고; n은 1 이상의 정수이다. 상기 기판은 면내격자상수(in-plane lattice constant) a
substrate 를 갖는다. 상기 Ⅲ족 질화물 구조에서 한 개 이상의 Ⅲ족 질화물 층은 벌크격자상수(bulk lattice constant) a
layer 를 갖는다. [(|a
substrate -a
layer |)/a
substrate ]*100%는 1% 이하이다.

2. 发明公开

KR1020080003871A 질화물 반도체 소자 및 그 제법 无效
标题翻译：氮化物半导体元件及其生产方法
公开(公告)号：KR1020080003871A
公开(公告)日：2008-01-08
申请号：KR1020077025881
申请日：2006-05-08
申请人： 로무 가부시키가이샤
发明人： 나카하라켄
IPC分类号： H01L33/12 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L29/812
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/0079 , H01S5/0211 , H01S5/0217 , H01S5/0218 , H01S5/32341
摘要： A nitride semiconductor element having a structure of improving the crystallinity of a growing nitride semiconductor and capable of very easy peeling off and chip-forming of a substrate, and a production method therefor. When a nitride semiconductor element in which nitride semiconductor layers are laid on a substrate (1) is formed, the substrate consists of MgxZn1-xO (0
摘要翻译：一种氮化物半导体元件及其制造方法，其具有提高生长氮化物半导体的结晶性并能够非常容易地剥离和芯片形成基板的结构。当形成氮化物半导体层放置在基板（1）上的氮化物半导体元件时，衬底由Mg x Zn 1-x O（0

3. 发明公开

KR1020110097006A 질화물 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：制造氮化物半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110097006A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016612
申请日：2010-02-24
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 전기성
IPC分类号： H01S5/10 , H01L33/16 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/1053 , H01L33/16 , H01S5/0211
摘要： 비극성 질화물 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 비극성 (1-100)면 기판을 준비하는 단계와, 의 a 방향과 의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 기판 위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계와, 의 a 방향과 의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 활성층 위에 제 2 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1, 제 2 반도체층 위에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.

4. 发明公开

KR1020010089540A 광전자 장치를 위한 화합물 반도체 구조 无效
标题翻译：光电器件的化合物半导体结构
公开(公告)号：KR1020010089540A
公开(公告)日：2001-10-06
申请号：KR1020017006894
申请日：1999-12-03
申请人： 아리조나 보드 오브 리전츠
发明人： 장용-행 , 다우드필립 , 브라운볼프강
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0211 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/2063 , H01S5/3211 , H01S5/32358 , H01S5/3403 , H01S5/3422 , H01S5/3425 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H01S2302/00 , Y10S257/918
摘要： 기판, 및상기기판위에배치된액티브영역을포함하는화합물반도체장치가제공된다. 액티브영역은적어도 2개의상이한비정규형층을포함하는데, 제1층은 InGaPAsSb형식을갖고, 제2층은 InGaPAsSb형식을갖는다. 제1층은적어도 In, Ga 및 As를포함하고, 제2 층은적어도 Ga, As 및 Sb를포함한다. 기판은 GaAs 또는 AlGaAs ( 0
摘要翻译：提供了一种复合半导体器件，其包括衬底和设置在衬底上方的有源区。有源区包括至少两个不同的假晶层，第一层具有In x Ga 1-x P y As z Sb 1-y-z形式，第二层具有InqGa1-qPrAssSb1-r-s形式。第一层至少包括In，Ga和As，第二层至少包括Ga，As和Sb。衬底优选为GaAs或AlpGa1-pAs（0

5. 发明公开

KR1020110096989A 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110096989A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016594
申请日：2010-02-24
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이은아 , 강민구
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/1082
摘要： m-면을 이용한 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제 1 영역과, 적어도 하나의 돌출부를 갖는 제 2 영역을 포함하는 기판과, 기판의 제 2 영역 위에 형성되는 제 1 전극과, 기판의 제 1 영역 위에 형성되고, 다수의 기능층이 적층되는 반도체층과, 반도체층 위에 형성되는 제 2 전극을 포함하여 구성될 수 있다.
摘要翻译：一种氮化物半导体器件以及涉及一种制造方法中，所述第一区域和所述至少一个第一电极和所述基板要在基片的第二区域中形成，包括具有表面间的突起的第一区域的基板形成在半导体层的第一区域上并具有堆叠在其上的多个功能层的半导体层以及形成在半导体层上的第二电极。

6. 发明公开

KR1020110096689A 질화물계 반도체 광전 소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体的光电装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110096689A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016063
申请日：2010-02-23
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 최윤호
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/30 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/34 , H01S5/0211 , H01S5/309
摘要： 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 반극성면 기판상에 형성되는 질화물계 광전 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법의 일 예는, 반극성면 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 제1 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층 상에 양자 우물 구조로 우물(well)과 장벽(barrier)이 서로 다른 물질로 형성되는 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다. 따라서, 본 발명에 따르면, 질화물계 반도체 상에 양자 우물(QV) 구조로 제작되는 반도체 광전 소자에서 장벽 물질을 우물 물질과 서로 다르게 함으로써, 인듐(In) 함유량을 제거함으로써 비발광 결함 밀도를 감소시킬 수 있으며, 상기한 경우에 비발광 결함을 통한 누설 전류를 억제하여 소자의 광 특성 및 일드(yield)를 향상시킬 수 있다.

7. 发明授权

KR100707187B1 질화갈륨계 화합물 반도체 소자 失效
标题翻译：甘基化合物半导体器件
公开(公告)号：KR100707187B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050033197
申请日：2005-04-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이성남 , 백호선 , 손중곤 , 사공탄
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/2231 , H01S5/34333
摘要： 기판 위에 성장되는 박막의 표면특성이 향상되도록 구조가 개선된 질화갈륨계 화합물 반도체 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 질화갈륨계 화합물 반도체 소자는 (0001)면에 대하여 소정방향으로 그 표면이 0°보다 크고 1°보다 작은 경사각(off angle) 만큼 기울어진 Al
x In
y Ga
1-xy N 기판(0≤x≤1, 0≤y≤1, 그리고 0≤x+y≤1) 및 상기 기판의 표면 상에 성장된 질화갈륨계 화합물 반도체층을 포함한다.

8. 发明公开

KR1020090023672A ＺｎＯ계 반도체 소자 无效
标题翻译：基于ZNO的半导体元件
公开(公告)号：KR1020090023672A
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：KR1020097000196
申请日：2007-06-08
申请人： 로무 가부시키가이샤
发明人： 나카하라겐 , 유지히로유키 , 다무라겐타로 , 아카사카슌스케 , 가와사키마사시 , 츠카자키아츠시 , 오토모아키라
IPC分类号： H01L21/363 , H01L33/02
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/267 , H01L29/7782 , H01L29/7787 , H01L33/0083 , H01L33/16 , H01S5/0211 , H01S5/3202 , H01S5/327
摘要： A ZnO-based semiconductor element by which a flat ZnO-based semiconductor layer can be grown on an MgZnO substrate having a major surface on the lamination side directed in the direction of c-axis. On an MgxZn1-xO (0
摘要翻译： ZnO基半导体元件可以在层叠侧的c轴的方向上具有主表面的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。在具有至少以m轴方向倾斜为主表面的+ C面（0001）的Mg x Zn 1-x O（0 <= x <1）衬底（1）上，ZnO类半导体层（2-6）外延生长。在ZnO基半导体层（5）上形成p电极（8），在Mg x Zn 1-x O基板（1）的下侧形成n电极（9）。当在MgxZn1-xO基板（1）的表面上形成规则地沿m轴方向排列的台阶时，防止称为步骤聚束的现象，并且层叠在基板（1）上的半导体层的膜的平面度可以是增强。

9. 发明公开

KR1020070014054A 3족 질화물계 디바이스용 규소-탄소-게르마늄(ＳｉＣＧｅ)기판 无效
标题翻译：用于III类氮化物装置的硅碳锗（SICGE）基板
公开(公告)号：KR1020070014054A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020060069842
申请日：2006-07-25
申请人： 아바고 테크놀로지스 이씨비유 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 로빈즈버지니아엠
IPC分类号： H01L33/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01S5/021 , H01S5/0211
摘要： An SiCGe substrate for a third group nitride based device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a dislocation defect density and to enhance a device performance. A silicon-carbon layer(102) is formed. A silicon-carbon-germanium layer(104) is formed on the silicon-carbon layer. At this time, an SiCGe substrate(110) is completed. An electronic element(106) is directly formed on the silicon-carbon-germanium layer. The electronic device contains a third group nitride. The silicon-carbon-germanium layer has a first lattice constant of 3.09 angstrom. The silicon-carbon-germanium layer has a second lattice constant of 3.11 angstrom.
摘要翻译：提供了一种用于第三组氮化物基器件的SiCGe衬底及其制造方法，以减少位错缺陷密度并提高器件性能。形成硅 - 碳层（102）。硅 - 碳 - 锗层（104）形成在硅 - 碳层上。此时，完成SiCGe衬底（110）。在硅 - 碳 - 锗层上直接形成电子元件（106）。电子器件包含第三组氮化物。硅 - 碳 - 锗层的第一晶格常数为3.09埃。硅 - 碳 - 锗层具有3.11埃的第二晶格常数。

10. 发明公开

KR1020060110700A 질화갈륨계 화합물 반도체 소자 失效
标题翻译：基于GAN的化合物半导体器件
公开(公告)号：KR1020060110700A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：KR1020050033197
申请日：2005-04-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이성남 , 백호선 , 손중곤 , 사공탄
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/2231 , H01S5/34333
摘要： A gallium-nitride-based compound semiconductor device is provided to improve surface morphology and to prevent hillock by tilting a surface of an AlxInyGa1-x-yN substrate with off angle. A surface of an AlxInyGa1-x-yN substrate(0
摘要翻译：提供了一种氮化镓基化合物半导体器件，用于通过倾斜Al x In y Ga 1-x-y N衬底的表面来改善表面形态并防止小丘。 AlxInyGa1-x-yN衬底的表面（0 <= x <= 1,0,0 <= y <= 1，0 <= x + y <= 1）（11）在偏角较大的表面上倾斜比零度小于一度。在Al x In y Ga 1-x-y N衬底的表面上生长氮化镓基化合物半导体层（20）。氮化镓系化合物半导体层包括n型包覆层（21），n型导光层（22），多量子阱活性层（23），p型导光层（24））和p型覆层（25）。

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