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1. 发明授权

KR101876587B1 자기 센서 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101876587B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020130025230
申请日：2013-03-08
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 김관수 , 김동준 , 류승한 , 안희백 , 정종열 , 김경수 , 신강섭
IPC分类号： G01R33/07 , G01D5/12
CPC分类号： H01L43/04 , G01R33/0011 , G01R33/0052 , G01R33/07 , H01L43/065 , H01L43/14
摘要： 본발명은복수의홀 소자와자기수속판을구비하여자기장의방향을검출할수 있는자기센서및 그제조방법에관한것으로, 복수의홀 소자가설치된반도체기판; 상기반도체기판상에형성된보호층; 상기보호층상에형성된기초층; 및상기기초층상에형성된자기수속판을구비하되, 상기기초층은, 그표면상에굴곡면을갖는것을특징으로하는것으로서, 굴곡형태를갖는자기수속판을구비함으로써제조공정을간편하게하며, 홀소자의스트레스를일정한균일도로낮추어센서특성을향상시킬수 있다.

2. 发明公开

KR1020170135897A 홀 효과 센싱 요소 审中-实审
标题翻译：霍尔效应传感元件
公开(公告)号：KR1020170135897A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020177031854
申请日：2016-04-01
申请人： 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨
发明人： 테일러,윌리암,피. , 웡,하리안토
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/04 , H01L43/14 , H01L43/10 , G01R33/07
CPC分类号： G01R33/07 , G01R33/0052 , H01L23/481 , H01L27/22 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/065 , H01L43/10 , H01L43/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/4826 , H01L2924/00014
摘要： 일측면에있어서, 홀효과센싱요소(100)는약 100나노미터보다작은두께를갖는홀 플레이트(114) 및상기홀 플레이트와직접접촉되고, 약 0.1나노미터내지약 5나노미터범위의두께를갖는접착층(110)을포함한다. 다른측면에있어서, 센서는홀 효과센싱요소를포함한다. 상기홀 효과센싱요소(100')는반도체물질또는절연체물질의하나를포함하는기판(102), 상기기판과집적접촉되는절연층(106), 약 0.1나노미터내지 5나노미터범위의두께를가지며상기절연층과직접접촉되는접착층(110), 그리고상기접착층과직접접촉되고약 100나노미터보다작은크기를가지는홀 플레이트(114)를구비한다.
摘要翻译：一方面，霍尔效应感测元件100包括厚度小于约100纳米的孔板114和厚度为约0.1纳米至约5纳米的粘合剂层114，它包括110。另一方面，传感器包括霍尔效应传感元件。霍尔效应感测元件100'包括：衬底102，其包括半导体材料或绝缘体材料中的一种;绝缘层106，其与衬底紧密接触;厚度范围在约0.1纳米至5纳米与绝缘层直接接触的粘合剂层110以及与粘合剂层直接接触且尺寸小于约100纳米的孔板114。

3. 发明公开

KR1020170093140A 자기장 센서 및 이를 제작하기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：一种用于磁场传感器并使其方法
公开(公告)号：KR1020170093140A
公开(公告)日：2017-08-14
申请号：KR1020177015398
申请日：2015-11-03
申请人： 멜렉시스 테크놀로지스 엔브이 , 엑스-셀레프린트 리미티드
发明人： 쇼트크리스티안 , 메이틀매튜 , 보워크리스토퍼
IPC分类号： H01L25/16 , H01L25/00 , H01L43/04
CPC分类号： G01R33/07 , G01R33/0052 , G01R33/077 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L43/04 , H01L2224/24146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/92137 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L25/16 , H01L25/50
摘要： 자기장센서및 이를제작하기위한방법자기장을측정하기위한반도체칩(100). 상기반도체칩은자기감지요소(110), 및전자회로(120)를포함한다. 상기자기감지요소(110)는전자회로(120) 상에장착된다. 자기감지요소는전자회로와전기적으로연결된다. 전자회로는제1 기법및/또는제1 물질로제작되며자기감지요소는상기제1 기법/물질과상이한제2 기법및/또는제2 물질로제작된다.
摘要翻译：磁场传感器和用于测量磁场，一种用于制造它的半导体芯片100。半导体芯片包括一个磁敏元件（110），以及电子电路120。磁敏元件110安装在电子电路120上。磁敏元件被电连接到电子电路。所述电子电路由第一方法和/或所述第一材料由第一方法从第二技术和/或第二材料/材料不同的磁检测元件的。

4. 发明授权

KR101649978B1 자기 나노구조체들의 스핀 홀 토크 효과들에 기초한 전기적 게이트 3-단자 회로들 및 디바이스들 有权
标题翻译：基于磁性纳米结构的旋转霍尔效应的3-电气化三电极电路和器件
公开(公告)号：KR101649978B1
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020157006023
申请日：2013-08-06
申请人： 코넬 유니버시티
发明人： 버만,로버트에이. , 랄프,다니엘씨. , 파이,치-펭 , 리우,루차오
IPC分类号： G11C11/16 , G11C11/18 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L27/22
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C11/18 , H01L27/228 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 본발명은, 비-휘발성메모리함수, 로직함수등을포함하는다양한어플리케이션들에부합하도록자유자기층의자화를조종하기위해자유자기층에게이트전압의인가및 자유자기층에커플링된스핀홀 효과금속층의충전전류를이용함에의한스핀-편극전자들또는하전입자들의주입의조합을통해, 스핀-전달토크(STT) 효과에기초한 3-단자자기회로들및 디바이스들에관한것이다. 충전전류는제 1 및제 2 전기단자들을통해스핀홀 효과금속층에인가되고, 게이트전압은제 1 및제 2 전기단자들중 어느하나와제 3 전기단자사이에인가된다. 스핀홀 효과금속층은, 충전전류하의스핀홀 효과를통해생성된스핀-편극전류가자유자기층에들어가게하기위해자유자기층에바로접촉하거나자유자기층에인접할수 있다. 또한, 개시된 3-단자자기회로는신호오실레이터회로및 다른어플리케이션들에적용될수 있다.
摘要翻译：通过使用耦合到自由磁性层的旋转霍尔效应金属层中的充电电流，通过注入自旋极化电子或带电粒子的组合，基于自旋转移转矩（STT）效应的3端子磁路和装置，以及将栅极电压施加到自由磁性层以操纵用于各种应用的自由磁层的磁化，包括非易失性存储器功能，逻辑功能等。通过第一和第二电端子将充电电流施加到自旋霍尔效应金属层，并且在第三电端子和第一和第二电端子中的任一个之间施加栅极电压。旋转霍尔效应金属层可以与自由磁性层相邻或与自由磁性层直接接触，以允许在充电电流下通过旋转霍尔效应产生的自旋极化电流进入自由磁性层。公开的三端磁路也可以应用于信号振荡电路和其他应用。

5. 发明授权

KR101457511B1 스핀 홀 효과 자기 장치, 방법, 및 적용 有权
公开(公告)号：KR101457511B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020147006914
申请日：2012-08-17
申请人： 코넬 유니버시티
发明人： 버만,로버트에이. , 리우,루차오 , 랄프,다니엘씨. , 파이,치-펭
IPC分类号： G11C11/16 , G11C11/15 , H01L27/115
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C16/30 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/04 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
摘要： ST-MRAM 구조체, ST-MRAM 구조체를 제조하는 방법, 및 ST-MRAM 구조체에 기인한 ST-MRAM 디바이스를 작동시키는 방법은 각각 스핀 홀 효과 베이스 층을 이용하며, 스핀 홀 효과 베이스 층은 자기 자유 층과 접촉하고, 스핀 홀 효과 베이스 층 내의 측방향 스위칭 전류의 결과로서 자기 자유 층 내의 자기 모멘트 스위칭을 달성한다. 이 결과적인 ST-MRAM 디바이스는 스핀 홀 효과 베이스 층과 접촉하는 자기 자유 층, 비-자기 스페이서 층 및 고정 층을 포함하는 자기저항성 스택을 통해 독립적인 감지 전류 및 감지 전압을 이용한다. 스핀 홀 효과 베이스 층에 대한 바람직한 비-자기 전도체 재료들은 적어도 약 0.05의 스핀 홀 각도 및 스핀 홀 효과 베이스 층의 두께의 약 5 배 이하의 스핀 확산 길이를 갖는 특정 타입의 탄탈룸 재료들 텅스텐 재료들을 포함한다.

6. 发明授权

KR101367089B1 집적 회로들을 위한 구성요소들의 수동 부착을 위한 방법들및 장치 有权
标题翻译：用于集成电路的组件被动连接的方法和装置
公开(公告)号：KR101367089B1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020097002133
申请日：2007-06-04
申请人： 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨
发明人： 샤르마,니르말 , 아라라오,버질 , 막판타이,레오나르도티. , 엥겔,레이몬드더블유. , 테일러,윌리엄피. , 두그,컬스튼 , 가뇽,제이
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/50
CPC分类号： G01D11/245 , G01R33/07 , G01R33/09 , H01L23/49589 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 방법들과 장치는 리드 프레임에 연결된 집적 구성요소를 갖는 센서를 제공한다. 센서는 상기 집적 구성요소로부터 다이의 반대측 상에 있는 외부 리드들을 포함한다. 리프 프레임은 와전류들을 감소시키기 위한 슬롯을 포함한다.

7. 发明公开

KR1020170115084A 센서 및 센서의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：传感器和传感器的制造方法
公开(公告)号：KR1020170115084A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020177024931
申请日：2016-06-07
申请人： 가부시키가이샤 덴소
发明人： 이토우다케시 , 구보타다카미츠 , 고노요시유키
IPC分类号： G01P1/02 , G01D5/245
CPC分类号： H01L43/04 , G01D5/145 , G01D5/24428 , H01L23/3107 , H01L25/16 , H01L27/22 , H01L43/065 , H01L43/14 , H03H7/06
摘要： 센서는전원리드(31, 431), 접지리드(32, 432) 및신호리드(33, 433)를가지는집적회로(30, 130, 430)와, 상기전원리드에접속되어있는전원터미널(35, 85, 95)과, 상기접지리드에접속되어있는접지터미널(36, 76, 96)과, 상기신호리드에접속되어있는제 1 신호터미널(37, 67, 77, 87, 97)과, 상기제 1 신호터미널과전기적으로접속되어있는제 2 신호터미널(38, 68, 98)과, 일단이상기터미널중 어느하나에접속되고, 타단이상기터미널중 다른어느하나에접속되어있는필터부재(41∼43, 45)와, 상기집적회로, 상기터미널및 상기필터부재를밀봉하고있는밀봉체(50, 550)를구비한다. 상기터미널은각각일부가상기밀봉체로부터노출되어있다.
摘要翻译：传感器电源线（31，431），接地引线（32，432）和用于具有集成电路（30，130，430）和电源端子（35，其连接到所述电源引线的信号引线（33，433），以及连接到信号引线和接地端子的第一信号端子（37,67,77,87,97）第一信号端子和电第二信号端子（38，68，98），并且花枝终端连接到连接到被连接到任何其它的其他单衣花枝的端子部件（41〜43的过滤器的移相器的一端，45 以及密封集成电路，端子和过滤器构件的密封构件（50,550）。每个端子部分地从密封构件暴露。

8. 发明公开

KR1020170107392A 반도체 장치와 그것의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170107392A
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020170031209
申请日：2017-03-13
申请人： 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 기시마츠오 , 다카하마미에이 , 다카하시히로시 , 에비하라미카 , 히오카다카아키
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/14
CPC分类号： H01L27/22 , G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/14
摘要： 복수의홀 소자가설치된반도체기판과, 상기반도체기판상에설치된자기수속기능을갖는자성체를갖고, 상기반도체기판상의상기자성체의종단면외형형상에있어서, 그외주부의적어도일부에대략 1/4 원형형상을갖는부분과이것과연결되는부분으로서, 상기반도체기판과대략평행한부분을갖는것을특징으로하는반도체장치및 그것의제조방법을제공한다.
摘要翻译：并且，在半导体基板上设置具有磁收敛功能的磁性体，其中，在半导体基板上的磁性体的纵截面的轮廓形状中，另一个周边部的至少一部分具有大致1/4圆形以及连接到半导体衬底的部分，半导体衬底具有与半导体衬底基本平行的部分，以及制造半导体器件的方法。

9. 发明公开

KR1020170041749A 효율적인 스핀 전달 토크를 위한 향상된 스핀 홀 효과에 기초한 회로들 및 디바이스들 审中-实审
标题翻译：基于改进自旋霍尔效应的有效自旋转移力矩电路与器件
公开(公告)号：KR1020170041749A
公开(公告)日：2017-04-17
申请号：KR1020177004415
申请日：2015-07-17
申请人： 코넬 유니버시티
发明人： 버만,로버트에이. , 응우옌,민-하이 , 파이,치-펭 , 랄프,다니엘씨.
IPC分类号： G11C11/16 , G11C11/18 , H01L27/22 , H01L29/66 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L29/66984 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 다양한적용을위해자기자유층에커플링된스핀홀 효과(SHE) 금속층을이용함으로써스핀토크전달(STT) 및스핀홀 효과에기초한디바이스들또는회로들이개시된다. SHE 및 STT의이러한조합에기초한 STT 효과의효율또는세기는 SHE 금속층과자기자유층 사이의계면변형에의해, 또는특정불순물또는다른수단으로 SHE 금속을도핑함으로써 SHE 금속층을변형또는가공함에의해향상될수 있다.
摘要翻译：基于所述自旋力矩转移（STT）和自旋霍尔效应装置或电路通过使用用于各种应用的自由磁性层上的耦合自旋霍尔效应（SHE）金属层进行说明。效率或基于SHE的这种组合的STT效果的强度，和STT将由作为SHE金属层和由层，或某些杂质，或者所述材料的SHE金属层之间的界面应变的装置的自自由通过其他手段掺杂到SHE金属可以改善有。

10. 发明公开

KR1020140113964A 자기 센서 및 자기 센서 장치, 자기 센서의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁传感器和磁传感器装置以及磁传感器制造方法
公开(公告)号：KR1020140113964A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：KR1020147020169
申请日：2013-12-03
申请人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 푸꾸나까,도시아끼 , 하세가와,히데노리
IPC分类号： G01R33/07 , H01L43/06 , H01L43/04
CPC分类号： G01R33/07 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/97 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 펠릿(10)과, 펠릿(10)의 주위에 배치된 복수의 리드 단자(22 내지 25)와, 펠릿(10)이 갖는 복수의 전극부와 각 리드 단자(22 내지 25)를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 금속 세선(31 내지 34)과, 펠릿(10)의 이면을 덮는 절연 페이스트(40)와, 펠릿(10)과 복수의 금속 세선(31 내지 34)을 덮는 몰드 수지(50)를 구비한다. 절연 페이스트(40)의 적어도 일부와, 각 리드 단자(22 내지 25)의 이면의 적어도 일부는, 몰드 수지(50)로부터 각각 노출되어 있다.

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