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1. 发明公开

KR1020160049605A 반도체 기반의 홀 센서 审中-实审
标题翻译：基于半导体器件的霍尔传感器
公开(公告)号：KR1020160049605A
公开(公告)日：2016-05-10
申请号：KR1020140146202
申请日：2014-10-27
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 이성우 , 장재형 , 안희백 , 유유신
IPC分类号： G01R15/20 , G01D5/245
CPC分类号： H01L43/065 , G01R33/07
摘要： 본발명은반도체기판의표면에서약 0.7 ~ 2㎛되는센싱영역내에최대도핑농도를가지도록도핑프로파일이개선된홀 센서에관한것이다. 이와같은본 발명에따르면반도체기판의표면과떨어진위치에전류흐름경로가형성되기때문에노이즈특성이개선되고, 기존의홀 센서보다더 적은전류를공급하더라도동일한센싱능력을제공하는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有改进的掺杂分布的霍尔传感器，其在距离半导体衬底的表面0.7-2μm的深度的感测区域中具有最大的掺杂密度。根据本发明，由于电流通道距离半导体衬底的表面一定距离，所以可以提高噪声特性，并且即使比现有的霍尔传感器提供的电流少的话，具有相同的感测能力水平可以维护。

2. 发明公开

KR1020150003044A 반도체 기반의 홀 센서 审中-实审
标题翻译：基于半导体器件的霍尔传感器
公开(公告)号：KR1020150003044A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130075971
申请日：2013-06-28
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 이성우 , 안희백
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/04 , H01L43/06
CPC分类号： G01R33/07
摘要： The present invention relates to a hall sensor based on a semiconductor. The present invention provides the hall sensor based on the semiconductor capable of reducing an offset voltage and improving the uniformity of a hall voltage by forming a plurality of electrodes to measure the variation of a voltage and a current on each edge of a sensing region doped with an N-type which includes at least one angular or one round surface.
摘要翻译：本发明涉及一种基于半导体的霍尔传感器。本发明提供了一种基于半导体的霍尔传感器，能够通过形成多个电极来减小偏移电压并提高霍尔电压的均匀性，以测量掺杂有感测区域的感测区域的每个边缘上的电压和电流的变化包括至少一个角形或一个圆形表面的N型。

3. 发明公开

KR1020140111193A 자기 센서 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140111193A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：KR1020130025230
申请日：2013-03-08
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 김관수 , 김동준 , 류승한 , 안희백 , 정종열 , 김경수 , 신강섭
IPC分类号： G01R33/07 , G01D5/12
CPC分类号： H01L43/04 , G01R33/0011 , G01R33/0052 , G01R33/07 , H01L43/065 , H01L43/14
摘要： The present invention relates to a magnetic sensor and a manufacturing method thereof, capable of detecting the direction of a magnetic field by having a plurality of hole elements and a magnetic procedure plate. The present invention comprises: a semiconductor substrate installed with the hole elements; a protective layer formed on the semiconductor substrate; a base layer formed on the protective layer; and the magnetic procedure plate formed on the base layer, wherein the base layer has a bent plane on the surface. The present invention can simplify a manufacturing process by providing the magnetic procedure plate having a bent form and can improve sensor characteristics by lowering the stress of the hole element to a certain uniformity.
摘要翻译：磁传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种能够通过具有多个孔元件和磁性程序板来检测磁场方向的磁传感器及其制造方法。本发明包括：安装有孔元件的半导体衬底; 形成在半导体衬底上的保护层; 形成在保护层上的基层; 以及形成在所述基底层上的所述磁性过程板，其中所述基底层在所述表面上具有弯曲平面。本发明可以通过提供具有弯曲形状的磁性过程板来简化制造过程，并且可以通过将孔元件的应力降低到一定的均匀性来提高传感器特性。

4. 发明公开

KR1020160062251A 매립형 마그네틱 센서를 갖는 반도체 소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于制造具有BURIED磁传感器的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020160062251A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020140164181
申请日：2014-11-24
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 허버트프랑소와 , 이성우 , 정종열 , 안희백 , 신강섭 , 최성민 , 김영준
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/04
CPC分类号： H01L43/14 , G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/06
摘要： 본발명은 SOI 기판을사용하는 SOI 웨이퍼에서센싱영역이핸드웨이퍼에위치하는매몰된형태로형성하고, 그센싱영역상부에는아날로그및 디지털회로부가제공되도록마그네틱센서를갖는반도체소자의제조방법을제공하고있으며, 이에따라종래보다더 센싱능력이향상되고최적화된마그네틱센서를제조할수 있다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件具有磁传感器，以便在绝缘体上硅（SOI）晶片中使用SOI衬底将其置于手晶片内，同时嵌入其中，并提供模拟和数字电路单元在感测区域的上部。因此，可以制造与现有的磁传感器相比具有改进和优化的感测能力的磁传感器。

5. 发明授权

KR102116147B1 매립형 마그네틱 센서 有权
公开(公告)号：KR102116147B1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：KR1020140026765
申请日：2014-03-06
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 허버트프랑소와 , 이성우 , 정종열 , 안희백 , 신강섭 , 최성민 , 김영준
IPC分类号： G01R33/07

6. 发明授权

KR102140358B1 잡음 감소를 위한 분리 구조를 갖는 통합 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102140358B1
公开(公告)日：2020-08-03
申请号：KR1020160178432
申请日：2016-12-23
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 김현철 , 안희백 , 정인철 , 이정환 , 이경호
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423 , H01L21/762 , H01L29/66

7. 发明授权

KR102019514B1 반도체 기반의 홀 센서 有权
公开(公告)号：KR102019514B1
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：KR1020130075971
申请日：2013-06-28
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 이성우 , 안희백
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/04 , H01L43/06

8. 发明授权

KR101903828B1 반도체 기반의 홀 센서 有权
公开(公告)号：KR101903828B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020140146202
申请日：2014-10-27
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 이성우 , 장재형 , 안희백 , 유유신
IPC分类号： G01R15/20 , G01D5/245
CPC分类号： H01L43/065 , G01R33/07
摘要： 본발명은반도체기판의표면에서약 0.7 ~ 2㎛되는센싱영역내에최대도핑농도를가지도록도핑프로파일이개선된홀 센서에관한것이다. 이와같은본 발명에따르면반도체기판의표면과떨어진위치에전류흐름경로가형성되기때문에노이즈특성이개선되고, 기존의홀 센서보다더 적은전류를공급하더라도동일한센싱능력을제공하는이점이있다.

9. 发明授权

KR101876587B1 자기 센서 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101876587B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020130025230
申请日：2013-03-08
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 김관수 , 김동준 , 류승한 , 안희백 , 정종열 , 김경수 , 신강섭
IPC分类号： G01R33/07 , G01D5/12
CPC分类号： H01L43/04 , G01R33/0011 , G01R33/0052 , G01R33/07 , H01L43/065 , H01L43/14
摘要： 본발명은복수의홀 소자와자기수속판을구비하여자기장의방향을검출할수 있는자기센서및 그제조방법에관한것으로, 복수의홀 소자가설치된반도체기판; 상기반도체기판상에형성된보호층; 상기보호층상에형성된기초층; 및상기기초층상에형성된자기수속판을구비하되, 상기기초층은, 그표면상에굴곡면을갖는것을특징으로하는것으로서, 굴곡형태를갖는자기수속판을구비함으로써제조공정을간편하게하며, 홀소자의스트레스를일정한균일도로낮추어센서특성을향상시킬수 있다.

10. 发明公开

KR1020150105530A 매립형 마그네틱 센서 审中-实审
标题翻译： BURIED MAGNETIC SENSOR
公开(公告)号：KR1020150105530A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：KR1020140026765
申请日：2014-03-06
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 허버트프랑소와 , 이성우 , 정종열 , 안희백 , 신강섭 , 최성민 , 김영준
IPC分类号： G01R33/07
CPC分类号： H01L43/065 , G01R33/072
摘要： 본 발명은 반도체 기판 내부에 마그네틱 필드 센싱 소자(또는 홀 소자)가 매몰된 형태로 형성하고, 그 마그네틱 필드 센싱 소자(또는 홀 소자)의 상부에는 아날로그 및 디지털 회로부가 제공되도록 구조가 개선된 마그네틱 필드 센싱 소자(또는 홀 소자) 및 마그네틱 센서(또는 홀 센서)를 제공하고 있으며, 이에 따라 종래보다 더 작은 사이즈의 마그네틱 센서(또는 홀 센서)를 제조할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种具有改进结构的磁场感测装置（或霍尔装置）和磁传感器（或霍尔传感器），以便在待埋设的半导体衬底上形成磁场感测装置（或霍尔装置），并提供模拟和数字电路部分位于磁场感测装置（或霍尔装置）的上侧。因此，与现有的磁传感器相比，可以制造具有小尺寸的磁传感器（或霍尔传感器）。

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