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    • H03H9/64H03H9/145
    • H03H9/02984H01L41/0477H03H9/02559H03H9/14541H03H9/25H03H9/6483
    • IDT전극이플라스마분위기하에노출된경우에도특성의열화가생기기어려운탄성파장치를제공한다. 압전기판(2)과, 압전기판(2) 상에마련된 IDT전극(3)을포함하고, IDT전극(3)이, 최표층의전극층(3A)을가지는적어도하나이상의전극층과, 최표층의전극층(3A)을보호하는보호전극층(3B)을가지고있으며, 보호전극층(3B)은, 최표층의전극층(3A)보다전기저항률이크고, 최표층의전극층(3A)이, 압전기판(2) 측과는반대측에위치하고있는제1 주면(3a)과, 제1 주면(3a)에이어지는측면(3c)을가지고, 최표층의전극층(3A)에서의제1 주면(3a)과, 제1 주면(3a)으로부터측면(3c)의적어도일부에이르는영역이, 보호전극층(3B)에의해덮여있으며, 보호전극층(3B)이, 최표층의전극층(3A)의측면(3c)의하단(P)을넘지않는, 탄성파장치(1).
    • 提供了即使IDT电极暴露在等离子体气氛中也不易发生特性劣化的弹性波装置。 IDT电极3包括压电基片2和设置在压电基片2上的IDT电极3. IDT电极3包括至少一个电极层,该电极层具有最外面的电极层3A, 保护电极层3B具有比最外层的电极层3A更高的电阻率,并且最外层的电极层3A位于压电基板2侧 电极层3A的最外表面上的第一主表面3a和电极层3A的最外表面上的第一主表面3a以及通向第一主表面3a的侧表面3c, 最外侧电极层3A的侧面3c被保护电极层3B覆盖,保护电极层3B不会超过最外侧电极层3A的侧面3c的下端P 即,声表面波装置(1)。