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1. 发明授权

KR102050753B1 유연 압전소자 제조방법 및 이로부터 제조된 유연 압전소자 有权
公开(公告)号：KR102050753B1
公开(公告)日：2019-12-02
申请号：KR1020180064076
申请日：2018-06-04
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 나정효 , 이민형 , 신성호
IPC分类号： H01L41/332 , H01L41/317 , H01L41/187 , H01L41/047

2. 发明授权

KR101830209B1 압전 센서 제조 방법 및 이를 이용한 압전 센서 有权
标题翻译：压电传感器的制造方法以及使用其的压电传感器
公开(公告)号：KR101830209B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020170021088
申请日：2017-02-16
申请人： 주식회사 베프스
发明人： 방창혁
IPC分类号： H01L41/29 , H01L41/332 , H01L41/27 , H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/314 , H01L41/18 , H01L41/09
CPC分类号： H01L41/047 , A61B5/1172 , G01B17/06 , H01L27/20 , H01L41/0475 , H01L41/1132 , H01L41/29 , H01L41/332 , H01L41/333 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/27 , H01L41/314
摘要： 본발명에따른압전센서제조방법은베이스기판을식각하여다수의홈을센서어레이패턴형태의몰드를형성하는단계; 상기다수의홈 중안쪽홈에압전소재를주입하고, 바깥쪽홈에전도성소재를주입하는단계; 상기주입된압전소재및 전도성소재를소결하는단계; 상기압전소재및 전도성소재가돌출되도록상기베이스기판을식각하여압전라드및 전도성라드를형성하는단계; 상기베이스기판에절연재를충진하여절연층을형성하는단계; 상기압전라드및 전도성라드가노출될때까지상기절연층을평탄화하는단계; 상기압전소재및 전도성소재의제1 면에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극이형성된베이스기판상에더미기판을본딩하는단계; 상기베이스기판을상기압전라드및 전도성라드가노출될때까지평탄화하는단계; 및상기압전라드및 전도성라드의제2 면에제2 전극을형성하는단계;를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的另一方面，提供了一种制造压电传感器的方法，包括：蚀刻基础衬底以形成传感器阵列图案中的多个凹槽; 将压电材料注入到所述多个凹槽中并将导电材料注入到所述凹槽中; 烧结注入的压电材料和导电材料; 蚀刻基础基板以突出压电材料和导电材料以形成压电杆和导电杆; 用绝缘材料填充基础衬底以形成绝缘层; 平坦化绝缘层直到暴露压电棒和导电棒; 在压电材料和导电材料的第一侧上形成第一电极; 在其上形成有第一电极的基底基板上接合虚设基板; 平坦化基础衬底直到暴露压电棒和导电棒; 并且在压电棒的第二表面和导电棒上形成第二电极。

3. 发明授权

KR101006786B1 압전 진동편의 제조 방법 失效
标题翻译：制造压电振动片的方法
公开(公告)号：KR101006786B1
公开(公告)日：2011-01-10
申请号：KR1020087025679
申请日：2007-03-20
申请人： 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤
发明人： 호키바라아키라 , 야마모토사치
IPC分类号： H03H3/02 , H01L41/332 , C03C15/00
CPC分类号： C03C15/00 , H03H3/02 , H03H2003/026 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49574
摘要： 표면의 변질층이 적고, 설계된 진동 특성과의 차가 적은 진동 특성을 구비한 압전 진동편의 제조 방법을 제공하는 것이다. 메탈 마스크(30)를 제거한 후에, 웨트 에칭을 행하여 음차형 수정 진동편(10)을 분리 형성하므로, 드라이 에칭에 의해 생긴 변질층(23)을 노출할 수 있고, 웨트 에칭에 의해 변질층(23)을 제거할 수 있다. 따라서, 설계된 진동 특성과의 차가 적은 진동 특성을 구비한 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법을 얻을 수 있다.

4. 发明公开

KR1020060028386A 압전재료의 가공방법 失效
标题翻译：压电材料工作方法
公开(公告)号：KR1020060028386A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：KR1020057021399
申请日：2004-05-20
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 아베다카시 , 리리 , 에사시마사요시
IPC分类号： C04B41/91 , H01L41/332 , H01L21/3065 , H03H3/02
CPC分类号： H01L41/332 , H03H3/02
摘要： A mask (14) having a predetermined film thickness distribution is arranged on a piezoelectric material substrate (11), which is subjected to dry etching by using a working speed difference between the piezoelectric material substrate (11) and the mask (14), thereby obtaining a target 3-dimensional shape. The thickness distribution of the mask (14) is adjusted by pressurized fixation using a reflow, a precision mold (15). It is also possible to work the piezoelectric material substrate (11) into a 3-dimensional shape having an amplified film thickness distribution by adjusting the gas composition used for the dry etching. Thus, it is possible to work piezoelectric material into a predetermined 3-dimensional shape without introducing defects and obtain a highly accurate piezoelectric element of high quality.
摘要翻译：在压电材料基板（11）上设置具有预定的膜厚分布的掩模（14），通过使用压电材料基板（11）和掩模（14）之间的加工速度差进行干蚀刻，由此获得目标三维形状。通过使用回流的加压固定，精密模具（15）来调节掩模（14）的厚度分布。也可以通过调整用于干蚀刻的气体组成，将压电体基板（11）加工成具有放大膜厚分布的3维形状。因此，可以将压电材料制成预定的三维形状而不引入缺陷，并获得高质量的高精度压电元件。

5. 发明授权

KR101870244B1 초박형 실리콘 스트레인 게이지 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101870244B1
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：KR1020170050394
申请日：2017-04-19
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김정식 , 최준환
IPC分类号： H01L41/22 , H01L41/331 , H01L41/332 , H01L41/047 , H01L41/18 , H01L41/113 , G01L1/22 , G01L1/04
CPC分类号： H01L41/22 , G01L1/04 , G01L1/22 , H01L41/047 , H01L41/1132 , H01L41/18 , H01L41/331 , H01L41/332
摘要： 본발명은 (a) 지지기판, 산화실리콘(SiO)층및 실리콘(Si)층이순서대로적층된구조를가지는 SOI(silicon on insulator) 기판을준비하는단계; (b) 상기 SOI(silicon on insulator) 기판의실리콘층을붕소(B)로도핑하는단계; (c) 상기붕소를도핑한실리콘층을어닐링(annealing)하는단계; (d) 상기붕소를도핑한실리콘층상에전극용금속층을형성하는단계; (e) 상기전극용금속층을패터닝하여전극을형성하는단계; (f) 건식식각(dry etching)을통해실리콘게이지패턴을형성하는단계; (g) 상기전극및 실리콘게이지패턴상에감광제(photoresist, PR)를이용해보호층을형성하는단계; 및 (h) BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액및 첨가제를포함하는식각용액을이용하는습식식각(wet etching)을통해상기산화실리콘층을제거해상기지지기판으로부터실리콘스트레인게이지를분리하는단계;를포함하는실리콘스트레인게이지의제조방법에대한것으로서, 본발명에따른본 발명에따르면, 스트레인게이지를분리/제조함에있어서, BOE 용액에첨가제가포함된식각용액을이용한습식식각법을사용함으로써, 기존기술에비해보다얇은초박형(20㎛이하)의실리콘스트레인게이지를경제적이고안정적으로제조할수 있다.

6. 发明授权

KR101830205B1 압전 센서 제조 방법 및 이를 이용한 압전 센서 有权
标题翻译：压电传感器的制造方法以及使用其的压电传感器
公开(公告)号：KR101830205B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020170021755
申请日：2017-02-17
申请人： 주식회사 베프스
发明人： 방창혁
IPC分类号： H01L41/27 , H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/332 , H01L41/29
CPC分类号： B06B1/06 , B06B1/0622 , G02B5/30 , G06K9/0002 , H01L41/0475 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1132 , H01L41/257 , H01L41/27 , H01L41/29 , H01L41/332 , H01L41/43 , H01L41/047 , H01L41/09
摘要： 본발명은압전센서제조방법에관한것으로, 본발명에따른압전센서제조방법은반도체기판을식각하여다수의홈을센서어레이패턴형태의몰드를형성하는단계; 상기홈에압전소재를주입하고소결하는단계; 상기압전소재가돌출되도록반도체기판을식각하여센서어레이패턴형태의압전라드(rod)를형성하되, 상기패턴의일측면에제1 영역이돌출되도록식각하는단계; 상기반도체기판에절연재를충진하여절연층을형성하는단계; 상기압전소재가노출될때까지절연층을평탄화하는단계; 상기압전소재및 절연층의제1 면에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극이형성된반도체기판상에더미기판을본딩하는단계; 상기반도체기판의제2면을상기압전소재가노출될때까지평탄화하는단계; 상기압전소재의제2 면에제2 전극을형성하는단계; 및상기제1 영역을식각하여상기제1 전극을노출시키는단계;를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造压电传感器的方法，根据本发明的压电传感器的制造方法包括刻蚀的步骤，以形成多个的传感器阵列的模制图案形成凹槽的半导体衬底; 将压电材料注入并烧结到凹槽中; 蚀刻所述半导体基板以突出所述压电材料以形成传感器阵列图案形式的压电杆，所述第一区域在所述图案的一侧上突出; 用绝缘材料填充半导体衬底以形成绝缘层; 平坦化绝缘层直到压电材料暴露; 在压电材料的第一表面和绝缘层上形成第一电极; 将虚设衬底接合到其上形成有第一电极的半导体衬底; 平坦化所述半导体衬底的所述第二表面直到所述压电材料被暴露; 在压电材料的第二表面上形成第二电极; 蚀刻第一区域以暴露第一电极。

7. 发明授权

KR101817069B1 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101817069B1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：KR1020157021714
申请日：2013-12-12
申请人： 베이징 인스티튜트 오브 나노에너지 앤드 나노시스템즈
发明人： 왕,정린 , 우,웬자우 , 웬,시아오안
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/332 , H01L41/18 , H01L41/047 , H01L27/20 , H01L29/78 , G01L1/16
CPC分类号： H01L27/20 , G01L1/16 , G01L9/08 , H01L29/78 , H01L41/0477 , H01L41/0533 , H01L41/1132 , H01L41/187 , H01L41/1876 , H01L41/193 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/317
摘要： 트랜지스터어레이는, 베이스(100) 및베이스(100)를공용하는복수개의트랜지스터유닛(200)을포함한다. 트랜지스터유닛 (200)은, 베이스 (100) 상에위치하는하부전극 (201) 및하부전극인출선; 하부전극 (201) 상의압전재료로구성된압전체(202); 및압전체(202) 상의상부전극 (203); 을포함한다. 트랜지스터어레이의제조방법에있어서, 트랜지스터어레이의트랜지스터유닛(200)은 2단자장치로서, 트랜지스터유닛 (200)의상부전극 (203)과하부전극 (201) 사이에압전특성을가지는압전체(202)를형성하는데, 트랜지스터유닛(200)에작용하는외력에의해트랜지스터어레이의트랜지스터유닛(200)의캐리어수송과정을효과적으로제어또는트리거링한다.

8. 发明公开

KR1020160083676A 습식 및 건식 식각공정을 이용한 압저항형 압력센서 제조방법 有权
标题翻译：使用湿法和干蚀刻工艺制造压力传感器的制造方法
公开(公告)号：KR1020160083676A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020150000064
申请日：2015-01-02
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김정식 , 전기화
IPC分类号： H01L41/332 , H01L41/18
CPC分类号： H01L41/332 , H01L41/18
摘要： 본발명은압저항형압력센서(piezoresistive pressure sensor) 및그 제조방법에관한것으로, 본발명에따르면, TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 식각용액을이용한습식식각방법및 딥트렌치(Deep trench) ICP를이용한건식식각방법을이용하여오프셋및 온도보상기능을가지는반도체압저항형압력센서를제작하고, 제작된압력센서들의성능을검증하는과정을수행함으로써, 최적의식각용액의조성및 식각방법을제시할수 있도록구성되는습식및 건식식각공정을이용한압저항형압력센서제조방법이제공되며, 또한, 상기한바와같이구성되는습식및 건식식각공정을이용한압저항형압력센서제조방법을이용하여제조되는것에의해, 오프셋및 온도보상기능을가지는반도체압저항형압력센서및 그러한압력센서를포함하는센서시스템이제공된다.
摘要翻译：压阻式压力传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种压阻式压力传感器及其制造方法。根据本发明，提供了一种制造压阻式压力传感器的方法，其使用湿法和干法蚀刻工艺，其通过执行具有偏移和温度补偿功能的半导体压阻式压力传感器的制造方法来提出蚀刻溶液的最佳组成，使用使用四甲基氢氧化铵（TMAH）蚀刻溶液的湿蚀刻方法和使用深沟槽电感耦合等离子体（ICP）的干蚀刻方法，并验证制造的传感器的性能。此外，如上所述，具有偏移和温度补偿功能的半导体压阻式压力传感器以及包括压力传感器的传感器系统可以通过使用使用湿法和干法蚀刻工艺制造半导体压阻式压力传感器的方法来制造。

9. 发明公开

KR1020090015899A 압전 진동편의 제조 방법 失效
标题翻译：制造压电振动片的方法
公开(公告)号：KR1020090015899A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020087025679
申请日：2007-03-20
申请人： 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤
发明人： 호키바라아키라 , 야마모토사치
IPC分类号： H03H3/02 , H01L41/332 , C03C15/00
CPC分类号： C03C15/00 , H03H3/02 , H03H2003/026 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49574
摘要： Provided is a method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece having less deteriorated layer on the surface and having vibrating characteristics with less difference compared with designed vibrating characteristics. Since a tuning fork type crystal vibrating piece (10) is separately formed by wet etching after removing a metal mask (30), a deteriorated layer (23) generated by dry etching is exposed, and the deteriorated layer (23) can be removed by wet etching. Thus, the method for manufacturing the tuning fork type crystal vibrating piece (10) having less difference compared with the designed vibrating characteristics is obtained.
摘要翻译：本发明提供一种与设计的振动特性相比具有较差劣化层的压电振动片的制造方法，具有较小的振动特性。由于在除去金属掩模（30）之后通过湿法蚀刻分开形成音叉型水晶振动片（10），所以通过干蚀刻产生的劣化层（23）被暴露，并且可以通过湿蚀刻。因此，获得了与设计的振动特性相比差的音叉型水晶振动片（10）的制造方法。

10. 发明公开

KR20180048978A 파인 피치 초음파 트랜듀서 통합을 위한 릴리스 홀 및 콘택 비아 审中-公开
公开(公告)号：KR20180048978A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：KR20187009311
申请日：2016-09-02
IPC分类号： B06B1/02 , B06B1/06 , B81B3/00 , B81B7/04 , B81C1/00 , H01L41/332
CPC分类号： B06B1/0292 , B06B1/0622 , B81B3/0021 , B81B3/0097 , B81B7/04 , B81C1/00134 , B81C1/00214 , H01L41/332
摘要： 고밀도 MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)에대한방법들, 시스템들, 컴퓨터-판독가능매체들및 장치들이제시된다. 일부실시예들에서, 기판상에마이크로-전자-기계적디바이스를제조하기위한방법은디바이스의층을통해릴리스비아를에칭하는것을포함한다. 방법은공동의원하는위치에액세스하기위한도관으로서릴리스비아를사용하여디바이스의층에공동을생성하는것을더 포함하고, 공동은디바이스의트랜듀서의움직임을가능하게한다. 이어서, 방법은층을통한전기전도성경로를형성하기위해저 임피던스, 전기전도성재료를릴리스비아에증착하는것을포함한다. 마지막으로, 방법은전기전도성재료를트랜듀서의전극에전기적으로커플링하는것을포함한다.

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