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1. 发明授权

KR102469103B1 박막 밀봉 구조를 갖는 박막형 체적 탄성 공진기 패키지 및 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102469103B1
公开(公告)日：2022-11-21
申请号：KR1020200095230
申请日：2020-07-30
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/17 , H03H9/25 , H03H9/60
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막형체적탄성공진기패키지제조방법은, 기판위에하부전극, 압전층및 상부전극을포함하는박막형체적탄성공진기를형성하는단계와, 상기박막형체적탄성공진기의상부전극과하부전극에전기적으로연결되는복수개의내부패드전극을형성하는단계와, 상기내부패드전극위에 PR 필름을접착하는단계와, 상기 PR 필름을식각하여상기내부패드전극을노출시키는단계, 및상기 PR 필름과노출된내부패드전극상부에밀봉층을형성하는단계를포함하고, 본발명의다른실시예에따른박막밀봉구조를갖는박막형체적탄성공진기패키지는, 기판과, 상기기판위에형성되고, 하부전극, 압전층및 상부전극을포함하는박막형체적탄성공진기와, 상기상부전극과하부전극에전기적으로연결되는복수개의내부패드전극과, 상기내부패드전극상에서내부패드전극에지지되는 PR 필름과, 상기 PR 필름상에적층형성된밀봉층과, 상기 PR 필름과상기밀봉층을관통하는비아를통해상기내부패드전극에연결되는외부패드전극을포함한다. 본발명에의하면, 종래의 WLP 방식에비해투습방지성능이개선되고, 패키지의두께를 1/2로줄인 FBAR 패키지를제공할수 있다.

2. 发明授权

KR102408004B1 표면탄성파 소자 어셈블리 및 그 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR102408004B1
公开(公告)日：2022-06-13
申请号：KR1020200123758
申请日：2020-09-24
IPC分类号： H03H9/05 , H03H9/10 , H03H9/145 , H03H9/25 , H03H3/007
摘要： 본발명에따른표면탄성파소자어셈블리는, 제1-1 면및 그반대면인제1-2 면을가지는제1 기판과, 상기제1-1 면상에형성되는제1 IDT 전극과, 상기제1-1 면상에상기제1 IDT 전극주변에형성되는제1 접속전극과, 상기제1 접속전극상에형성되는제1 접속패드를포함하는제1 표면탄성파소자; 및제2-1 면및 그반대면인제2-2 면을가지는제2 기판과, 상기제2-1 면상에형성되는제2 IDT 전극과, 상기제2-1 면상에상기제2 IDT 전극주변에형성되는제2 접속전극과, 상기제2 접속전극상에형성되는제2 접속패드를포함하는제2 표면탄성파소자를포함하고, 상기제1 표면탄성파소자와상기제2 표면탄성파소자는상기제1-1 면과상기제2-1 면이서로마주보도록배치되고, 상기제1 접속패드와상기제2 접속패드는적어도일부가수직방향으로중첩되어서로전기적으로접합되고, 상기제1 접속패드로부터상기제2 기판의측면을따라상기제2 기판의상기제2-2 면위로연장되도록형성되는접속단자를더 포함하는것을특징으로한다.

3. 发明授权

KR102402296B1 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체 有权
公开(公告)号：KR102402296B1
公开(公告)日：2022-05-26
申请号：KR1020217019298
申请日：2020-11-11
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/25 , G01B15/08
摘要： [과제] 접합체의압전성재료기판이나지지기판의접합면의표면형상의제어에서는억제할수 없는스퓨리어스파를억제하는구조를제공한다. [해결수단] 접합체는, 지지기판, 니오븀산리튬, 탄탈산리튬및 니오븀산리튬-탄탈산리튬으로이루어지는군에서선택된재질을포함하는압전성재료기판및 지지기판과압전성재료기판을접합하고, 압전성재료기판의주면에접하고있는접합층을구비한다. 지지기판의접합면과압전성재료기판의접합면중 적어도한쪽을 X선반사율법에따라측정하고, 이때전반사시의신호강도를 1로하였을때, 접합면으로부터의반사광의상대강도(I)가 1.0×10-4 이상, 1.0×10-1 이하의범위내에서하기식 (1)에따라근사된다. [수학식 1] JPEG112021071753213-pct00005.jpg1278 (θ는접합면에대한입사각이며, a는 1.0×10-5 이상, 2.0×10-3 이하이며, b는 5.0 이상, 9.0 이하이다.)

4. 发明授权

KR102372594B1 온도 감응 소재의 탄성 모듈러스 변환을 이용한 파동 제어 장치 有权
公开(公告)号：KR102372594B1
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：KR1020200032982
申请日：2020-03-18
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/02
摘要： 본발명은온도감응소재의탄성모듈러스변화를이용한파동제어장치에관한것으로, 온도변화에따라탄성모듈러스가변하는온도감응소재로마련되는파동변환부재와, 상기파동변환부재를통해파동을전파하는파원과, 상기파동변환부재를가열하여파동변환영역을형성하는가열부를포함하며; 상기파원으로부터상기파동변환부재를통해전파되는파동은상기가열부에의해가열되는파동변환영역을통과하면서, 파동의특성이변화하는것을특징으로한다. 이에따라, 메타표면이갖는단점을극복하고, 동일한파원을이용하면서도매질의물리적인구조나모양을변형시키지않고파동의파장, 파형, 이동속도등의특성을제어할수 있고, 파동의제어를위한매질의형상을원하는형상으로바꿀수 있어, 추가적인파원의구입이나새로운매질의디자인및 제작이소요되는시간및 비용을줄일수 있다.

5. 发明授权

KR102369434B1 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102369434B1
公开(公告)日：2022-03-03
申请号：KR1020170050608
申请日：2017-04-19
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/02 , H03H9/56 , H03H9/17
摘要： 캐비티형성홈이형성된기판과, 상기기판상에형성되며, 볼록부를가지는멤브레인층과, 적어도일부분이상기볼록부상에배치되는하부전극과, 적어도일부분이상기볼록부의상부에배치되도록형성되는압전체층및 상기압전체층상에형성되는상부전극을포함하며, 상기캐비티형성홈에의해형성되는제1 공간과상기볼록부에의해형성되는제2 공간에의해캐비티가형성되며, 상기캐비티형성홈은활성영역의하부에배치되며상기볼록부에형성되는경사면은상기캐비티형성홈의외측에배치되는체적음향공진기가개시된다.

6. 发明授权

KR102358899B1 탄성파 장치 有权
公开(公告)号：KR102358899B1
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：KR1020207014980
申请日：2018-11-14
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/145 , H03H9/17
摘要： 스퓨리어스모드를효과적으로억제할수 있는탄성파장치를제공한다. 탄성파장치(1)는실리콘에의해구성된지지기판(2)과, 지지기판(2) 상에직접적또는간접적으로마련된압전체층(5)과, 압전체층(5) 상에마련된 IDT 전극(6)을포함한다. IDT 전극(6)의전극지피치에의해규정되는파장을λ로했을때에, 압전체층(5)의두께는 1λ이하이다. 압전체층(5)을전파하는벌크파의종파성분의음속인 VL이하기의식(1)의음속 VSi-1에대하여하기의식(2)의관계를충족한다. VSi-1=(V2)1/2(m/초) …식(1) VSi-1≤VL …식(2) 식(1)에서의 V2는하기의식(3)의해이다. Ax3+Bx2+Cx+D=0 …식(3)

7. 发明授权

KR102329740B1 탄성파 장치 有权
公开(公告)号：KR102329740B1
公开(公告)日：2021-11-22
申请号：KR1020207006824
申请日：2018-09-26
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/25 , H03H9/64 , H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/09
摘要： 주파수특성의저하를억제하면서내전력성을보다높인다. 제1 IDT 전극(7A) 및제2 IDT 전극(7B)은서로공유하는공통버스바(70)에의해서로직렬접속된다. 제1 음향임피던스층(4A) 및제2 음향임피던스층(4B) 각각에대해, 적어도하나의고음향임피던스층(41) 및적어도하나의저음향임피던스층중 적어도하나가도전층이다. 제1 음향임피던스층(4A)에서의도전층의적어도일부와제2 음향임피던스층(4B)에서의도전층의적어도일부가압전체층(5)의두께방향으로부터의평면에서봤을때 공통버스바(70)와중복되지않는다. 제1 음향임피던스층(4A)에서의도전층과제2 음향임피던스층(4B)에서의도전층이전기적으로절연된다.

8. 发明授权

KR102320449B1 탄성파 장치, 및 전자부품 모듈 有权
公开(公告)号：KR102320449B1
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：KR1020190165237
申请日：2019-12-12
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/145 , H03H3/08 , H03H9/10 , H03H9/25 , H03H9/64 , H03H9/205
摘要： 탄성파장치의특성의열화를억제한다. 탄성파장치(1)는지지기판(11)과압전체층(122)과 IDT 전극(13)과외부접속전극(142)을포함한다. 압전체층(122)은지지기판(11) 상에형성된다. IDT 전극(13)은압전체층(122) 상에형성된다. 외부접속전극(142)은 IDT 전극(13)에전기적으로접속된다. 외부접속전극(142)은지지기판(11)의두께방향(D1)으로부터의평면에서봤을때, 압전체층(122)과겹쳐있지않다. 지지기판(11)은공동부(114)를가진다. 공동부(114)는두께방향(D1)으로부터의평면에서봤을때, 지지기판(11)의적어도단부에형성된다.

9. 发明授权

KR102312071B1 멀티플렉서 有权
公开(公告)号：KR102312071B1
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：KR1020190135057
申请日：2019-10-29
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/72 , H03H9/25 , H03H9/02 , H04B1/52
摘要： 복수개의탄성파필터를가지는멀티플렉서에서 IMD의발생을저감시키고, 통과특성이뛰어난멀티플렉서를제공한다. 멀티플렉서(1)는제1 경로상에배치된필터(22)와, 제2 경로상에배치된필터(12)와, 제3 경로상에배치된필터(21)를포함하고, 필터(22)의통과대역내의송신신호(B1Tx)와필터(12)의통과대역내의송신신호(B3Tx)로부터생기는상호변조왜곡 IMD의주파수가필터(21)의통과대역에포함된다. 필터(22)는제1 경로상에배치된 1개이상의직렬암공진회로와, 제1 경로상의대응하는노드와그라운드를잇는경로상에배치된 1개이상의병렬암공진회로를가지며, 1개이상의직렬암공진회로및 1개이상의병렬암공진회로중, Port1에가장가까운공진회로중 적어도하나의공진회로는서로직렬로접속된복수개의분할공진자로이루어지는분할공진자군에의해구성되어있다.

10. 发明授权

KR102295454B1 전자 부품 및 그것을 구비하는 모듈 有权
公开(公告)号：KR102295454B1
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：KR1020197031291
申请日：2018-04-09
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/25 , H03H9/145
摘要： 전자부품(1)은, 압전성기판(2)과, 제1 기능소자(4a)와, 제1 배선(3a)과, 절연막(5, 7)과, 제1 도전막(8a)과, 제1 외부접속단자(9a)를구비한다. 제1 기능소자(4a)는, 압전성기판(2) 상에배치된다. 제1 배선(3a)은, 압전성기판(2) 상에배치되며, 제1 기능소자(4a)와전기적으로접속된다. 절연막(5, 7)은, 압전성기판(2) 상에배치되며, 제1 기능소자(4a)가수용되는제1 중공부(12)를형성한다. 제1 도전막(8a)은, 절연막(5, 7) 상에배치되며, 절연막(5, 7)을관통하여제1 배선(3a)과전기적으로접속되는부분을갖는다. 제1 외부접속단자(9a)는, 제1 도전막(8a) 상에형성되며, 또한, 압전성기판(2)의두께방향으로부터본 평면에서보아제1 기능소자(4a)의적어도일부와겹치는위치에배치된다.

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