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1. 发明授权

KR101870244B1 초박형 실리콘 스트레인 게이지 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101870244B1
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：KR1020170050394
申请日：2017-04-19
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김정식 , 최준환
IPC分类号： H01L41/22 , H01L41/331 , H01L41/332 , H01L41/047 , H01L41/18 , H01L41/113 , G01L1/22 , G01L1/04
CPC分类号： H01L41/22 , G01L1/04 , G01L1/22 , H01L41/047 , H01L41/1132 , H01L41/18 , H01L41/331 , H01L41/332
摘要： 본발명은 (a) 지지기판, 산화실리콘(SiO)층및 실리콘(Si)층이순서대로적층된구조를가지는 SOI(silicon on insulator) 기판을준비하는단계; (b) 상기 SOI(silicon on insulator) 기판의실리콘층을붕소(B)로도핑하는단계; (c) 상기붕소를도핑한실리콘층을어닐링(annealing)하는단계; (d) 상기붕소를도핑한실리콘층상에전극용금속층을형성하는단계; (e) 상기전극용금속층을패터닝하여전극을형성하는단계; (f) 건식식각(dry etching)을통해실리콘게이지패턴을형성하는단계; (g) 상기전극및 실리콘게이지패턴상에감광제(photoresist, PR)를이용해보호층을형성하는단계; 및 (h) BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액및 첨가제를포함하는식각용액을이용하는습식식각(wet etching)을통해상기산화실리콘층을제거해상기지지기판으로부터실리콘스트레인게이지를분리하는단계;를포함하는실리콘스트레인게이지의제조방법에대한것으로서, 본발명에따른본 발명에따르면, 스트레인게이지를분리/제조함에있어서, BOE 용액에첨가제가포함된식각용액을이용한습식식각법을사용함으로써, 기존기술에비해보다얇은초박형(20㎛이하)의실리콘스트레인게이지를경제적이고안정적으로제조할수 있다.

2. 发明授权

KR101817069B1 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101817069B1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：KR1020157021714
申请日：2013-12-12
申请人： 베이징 인스티튜트 오브 나노에너지 앤드 나노시스템즈
发明人： 왕,정린 , 우,웬자우 , 웬,시아오안
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/332 , H01L41/18 , H01L41/047 , H01L27/20 , H01L29/78 , G01L1/16
CPC分类号： H01L27/20 , G01L1/16 , G01L9/08 , H01L29/78 , H01L41/0477 , H01L41/0533 , H01L41/1132 , H01L41/187 , H01L41/1876 , H01L41/193 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/317
摘要： 트랜지스터어레이는, 베이스(100) 및베이스(100)를공용하는복수개의트랜지스터유닛(200)을포함한다. 트랜지스터유닛 (200)은, 베이스 (100) 상에위치하는하부전극 (201) 및하부전극인출선; 하부전극 (201) 상의압전재료로구성된압전체(202); 및압전체(202) 상의상부전극 (203); 을포함한다. 트랜지스터어레이의제조방법에있어서, 트랜지스터어레이의트랜지스터유닛(200)은 2단자장치로서, 트랜지스터유닛 (200)의상부전극 (203)과하부전극 (201) 사이에압전특성을가지는압전체(202)를형성하는데, 트랜지스터유닛(200)에작용하는외력에의해트랜지스터어레이의트랜지스터유닛(200)의캐리어수송과정을효과적으로제어또는트리거링한다.

3. 发明授权

KR101774301B1 에너지 하베스팅 소자 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：能量收集装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101774301B1
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020110136701
申请日：2011-12-16
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이상균 , 김문근 , 양일석
IPC分类号： H01L41/02 , B81B7/02 , H01L41/12
CPC分类号： H02N2/18 , H01L41/1136 , H01L41/22 , H02N2/188
摘要： 본발명은공진주파수가조절되고, 출력파워를증대시킬수 있는에너지하베스팅소자및 그의제조방법을개시한다. 그의장치는바디와, 상기바디로부터이격된질량추와, 상기질량추에서상기바디까지연장된캔틸레버와, 상기캔틸레버상에형성된제 1 전극층과, 상기제 1 전극층 상에형성된제 1 압전층과, 상기제 1 압전층 상에형성된제 2 전극층과, 상기제 2 전극층 상에형성된제 2 압전층과, 상기제 2 압전층 상에형성된제 3 전극층들과, 상기제 2 전극층과상기제 2 압전층 사이에형성된자성층을포함한다.
摘要翻译：本发明公开了一种能量收集装置及其制造方法，其中谐振频率被调节并且输出功率可被增加。该装置包括主体，与主体间隔开的质量块，从质量块延伸到主体的悬臂，形成在悬臂上的第一电极层，形成在第一电极层上的第一压电层，形成在第一压电层上的第二电极层，形成在第二电极层上的第二压电层，形成在第二压电层上的第三电极层以及形成在第二电极层上的第二电极层，并在其间形成磁性层。

4. 发明公开

KR1020170080291A 접촉 감응 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：接触感应装置和包含该装置的显示装置
公开(公告)号：KR1020170080291A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191658
申请日：2015-12-31
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김태헌 , 함용수 , 이용우 , 고유선 , 임명진 , 최슬기
IPC分类号： G06F3/01 , G06F3/041 , G02F1/1333 , C08L27/16
CPC分类号： G06F3/016 , B32B27/304 , B32B2307/20 , B32B2307/418 , B32B2457/208 , G02F1/13338 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , H01L27/323 , H01L41/1132 , H01L41/193 , H01L41/22 , H01L41/253
摘要： 접촉감응소자및 이를포함하는표시장치가제공된다. 접촉감응소자는강유전성폴리머(Ferroelectric Polymer)로이루어지는제1 전기활성층, 제1 전기활성층의적어도일면에배치된복수의전극및 복수의전극및 제1 전기활성층과접하며전기활성폴리머로이루어지는제2 전기활성층을포함한다. 광투과율이낮은강유전성폴리머로구성된제1 전기활성층상에, 굴절률이낮고전기활성폴리머로이루어진코팅층을형성함으로써, 접촉감응소자의광투과율및 진동강도를동시에향상시킬수 있다.
摘要翻译：提供了一种接触敏感元件和包括该接触敏感元件的显示装置。接触敏感装置是一个铁电聚合物（铁电聚合物）制成的第一电活性层，多个电极和多个电极和第一电活性层的第二电活性层和邻接设置在由一个所述第一电活性层的至少一个表面上的电活性聚合物它包括。由光线透射率较低的铁电聚合物的第一电活性层，通过形成由电活性聚合物的涂层的低折射率，可以提高透光率和触摸敏感设备的振动的同时幅度。

5. 发明授权

KR101738983B1 압전 세라믹 소결체, 압전 세라믹 소결체의 제조 방법 및 전자기기 有权
公开(公告)号：KR101738983B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160057348
申请日：2016-05-11
申请人： 주식회사 모다이노칩
发明人： 박인길 , 노태형 , 박성철 , 정준호 , 이유형 , 정인섭 , 김수찬 , 강우석
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/047 , H04R17/00 , H01L41/09
CPC分类号： H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H04R17/00
摘要： 본발명은압전세라믹소결체, 압전세라믹소결체의제조방법및 전자기기에관한것으로서, 보다상세하게는압전스피커등의전자기기에사용되는압전세라믹소결체, 압전세라믹소결체의제조방법및 이를이용하는전자기기에관한것이다. 본발명의실시예에따른압전세라믹소결체는압전세라믹조성물을소결하여형성되는압전세라믹소결체로서, 상기압전세라믹조성물은, 페로브스카이트(perovskite) 결정구조를가지는압전물질로형성되는배향원료조성물; 및상기배향원료조성물내에분포하며, ABO(A는 2가의금속원소, B는 4가의금속원소)의일반식을가지는산화물로형성되는시드조성물;을포함한다.

6. 发明公开

KR1020170041754A 가변 구조 요소를 갖는 조정가능 마이크로렌즈 审中-实审
标题翻译：可变结构元件的可调微透镜
公开(公告)号：KR1020170041754A
公开(公告)日：2017-04-17
申请号：KR1020177004693
申请日：2015-07-17
申请人： 포라이트 에이에스
发明人： 페이르,존 , 스팻첵,토마스 , 카르타쇼브,블라디미르
IPC分类号： G02B3/14 , G02B26/08 , H01L41/08
CPC分类号： G02B13/0075 , G02B1/041 , G02B1/11 , G02B3/0081 , G02B3/14 , G02B7/028 , G02B26/08 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/098 , H01L41/22
摘要： 본발명은마이크로렌즈를포함하는투명광학소자요소및 조정가능마이크로렌즈의응력및 열적보상을제공하고기계적강도및 곡률을조정하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种提供包括微透镜和可调微透镜的透明光学元件元件的应力和热补偿以及调节机械强度和曲率的方法。

7. 发明公开

KR1020160116863A 적층형 액츄에이터의 제조 방법 有权
标题翻译：多层致动器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160116863A
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150045205
申请日：2015-03-31
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 남산 , 김종현 , 김대현 , 허준 , 서인태 , 이지현
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/27
CPC分类号： H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/27
摘要： 적층형액츄에이터는상호이격되도록구비된전극들및 상기전극들사이에개재되며, 무연압전체를포함하고, 상기무연압전체는아래의화학식1을가진다. [화학식1] NaKNb(Cu,Mn)O(여기서, x는 0 ≤ x ≤0.5, y는 0
摘要翻译：多层致动器包括：设置成彼此间隔开的电极; 以及插入在电极之间的无铅压电体，其中无铅压电体具有如下化学式1：[化学式1] NaxK1-xNb1-y（Cu，Mn）yO3，其中x和y具有组成范围 0≤x≤0.5，0

8. 发明公开

KR1020160097749A 압전 스피커용 압전 소자 有权
标题翻译：压电扬声器用压电元件
公开(公告)号：KR1020160097749A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020150019947
申请日：2015-02-10
申请人： 범진전자 주식회사
发明人： 정세명
IPC分类号： H01L41/047
CPC分类号： H01L41/047 , H01L41/18 , H01L41/22 , H04R17/00
摘要： 본발명은상하로적층되는압전세라믹의전극의위치와크기를달리하여특정주파수에서음압상승에의한음질의저하가원활히방지되도록하는압전스피커용압전소자에관한것으로, 본압전소자는압전세라믹으로형성되는제1 압전세라믹층과; 상기제1 압전세라믹층의상면전체중의일부분에형성되고, 도전성재료로형성되는제1 전극과; 상기제1 전극의상면에적층되고, 압전세라믹으로형성되는제2 압전세라믹층과; 상기제2 압전세라믹층의상면전체중의일부분에형성되고, 상기제1 전극과그 크기와형성위치가서로다르며, 도전성재료로형성되는제2 전극을; 포함한다.
摘要翻译：压电扬声器用压电元件技术领域本发明涉及一种用于压电扬声器的压电元件，其将垂直堆叠的压电陶瓷的电极的位置和尺寸区分开来，以便平滑地防止由于特定频率下的声压的增加导致的声音质量的劣化。压电元件包括：由压电陶瓷形成的第一压电陶瓷层; 形成在所述第一压电陶瓷层的整个上表面的一部分上并由导电材料形成的第一电极; 第二压电陶瓷层，堆叠在第一电极的上表面上并由压电陶瓷形成; 以及第二电极，其形成在第二压电陶瓷层的整个上表面的一部分上，具有与第一电极的尺寸和位置不同的尺寸和位置，并且由导电材料形成。

9. 发明公开

KR1020160088893A 다층 압전 중합체 필름 디바이스 및 방법 审中-实审
标题翻译：多层压电聚合物薄膜器件及方法
公开(公告)号：KR1020160088893A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020167015765
申请日：2014-11-18
申请人： 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
发明人： 슈얼트크레이크알 , 보니파스앤드류피 , 파츠맨데렉더블유
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/22 , H01L41/193 , G06F3/041 , H01L41/257 , H01L41/253 , H01L41/113
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/016 , G06F3/0414 , H01L41/193 , H01L41/22 , H01L41/257 , H01L41/277 , H01L41/083 , H01L41/113 , H01L41/253
摘要： 터치패널은제1 압전층과제2 압전층 사이에배치된절연체코어층을갖는터치센서를포함한다. 각각의압전층은분극압전중합체(poled piezoelectric polymer)를포함한다. 터치센서는제1 압전층 위에배치된적어도제1 세트의개별적으로어드레스가능한전극들및 제2 압전층 위에배치된적어도하나의제2 전극을추가로포함한다. 회로가제1 세트의전극들및 제2 전극에결합된다. 회로는터치센서의터치표면에적용된터치에응답하여제 2 전극에대해레퍼런스된제1 세트의전극들중 적어도하나의전극의전기신호의변화를검출하도록구성된다.

10. 发明公开

KR1020160083768A 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 트랜지스터 및 그래핀 단일 전자 트랜지스터 및 전자 터널링 그래핀 트랜지스터 审中-实审
公开(公告)号：KR1020160083768A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020150000307
申请日：2015-01-02
申请人： 이윤택
发明人： 이윤택
IPC分类号： H01L41/18 , C01B31/04 , H01L41/22
CPC分类号： H01L41/18 , C01B32/182 , H01L41/22
摘要： 본발명은하나이상의그래핀과드레인전극이비동일평면을구비한형태에서, 하나이상의그래핀의하부에구비된하나이상의 Piezo(피에조)물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중선택되는것이, 상기하나이상의그래핀의회로와교차되는장벽조정회로의전압으로인하여하나이상의그래핀을하나이상의굽힘변형으로구비하여, 전기의 On/Off를조절하되, b. 상기하나이상의그래핀과드레인전극사이에하나이상의그래핀의 Fermi level(페르미레벨)의높이를조절하는것을구비하여전기의 On/Off를조절하는것; 을구비하는것을특징으로하는그래핀의하나이상의굽힘변형을구비하여전기의 On/Off를조절하는트랜지스터를제공한다. 또한, 본발명은하나이상의그래핀과드레인전극이비동일평면을구비한형태에서, 상기하나이상의그래핀의회로와교차되는장벽조정회로의전압으로인하여, 상기장벽조정회로의하부에구비되는하나이상의그래핀에정전기적인인력을유발하여, 하나이상의그래핀을하나이상의굽힘변형으로구비하여, 전기의 On/Off를조절하되, 하나이상의그래핀과드레인전극사이에하나이상의그래핀의 Fermi level(페르미레벨)의높이를조절하는것을구비하여전기의 On/Off를조절하는것; 을구비하는것을특징으로하는그래핀의하나이상의굽힘변형을구비하여전기의 On/Off를조절하는트랜지스터를제공한다. 또한, 본발명은하나의공통섬 전극에터널접합을통해연결된드레인전극과절연층으로연결되는하나이상의그래핀으로구성되는두 개의전극으로구성된형태에서, 하나이상의그래핀의하부에구비된하나이상의 Piezo(피에조)물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중선택되는것이, 상기하나이상의그래핀의회로와교차되는장벽조정회로의전압으로인하여하나이상의그래핀과절연층을하나이상의굽힘변형으로구비하되, a. 전자가섬 전극에터널하는단계, 및 b. 터널이드레인전극에위치하는단계, 및 c. 전자가드레인전극의페르미레벨에도달하는단계; 를구비하는것을특징으로하는그래핀단일전자트랜지스터를제공한다. 또한, 본발명은하나이상의그래핀과드레인전극이비동일평면을구비하고사이에절연층을구비한형태에서, 하나이상의그래핀의하부에구비된하나이상의 Piezo(피에조)물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중선택되는것이, 상기하나이상의그래핀의회로와교차되는장벽조정회로의전압으로인하여하나이상의그래핀과절연층을하나이상의굽힘변형으로구비하되, a. 하나의전자가하나이상의그래핀과드레인전극의사이에구비되는절연층의터널을통과하는단계, 및 b. 드레인전극에도달하는단계; 를구비하는것을특징으로하는전자터널링그래핀트랜지스터를제공한다.

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