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1. 发明公开

KR1020160006257A BIFET 및 고조파 종단 및 관련된 시스템, 장치, 및 방법을 갖는 전력 증폭기 모듈 审中-实审
标题翻译：具有双向和和谐终止的功率放大器模块及相关系统，设备和方法
公开(公告)号：KR1020160006257A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020157037048
申请日：2013-06-13
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 첸,하워드,이. , 구오,이판 , 호앙,딘푸옥,부 , 자나니,메흐란 , 코,틴,민트 , 레톨라,필립,존 , 로비안코,안토니,제임스 , 모디,하르딕,부펜드라 , 응우옌,호앙,몽 , 오잘라스,매튜,토마스 , 페티-위크스,산드라,루이스 , 리드,매튜,션 , 리지,젠스,알브레히트 , 리플리,데이비드,스티븐 , 샤오,홍시아오 , 센,홍 , 선,웨이민 , 선,흐시앙-치흐 , 웰치,패트릭,로렌스 , 잠파디,피터,제이.,주니어 , 장,구오하오
IPC分类号： H03F3/19 , H03F3/24 , H01L23/00 , H01L27/06 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/205
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 본기재의일 특징은, 무선주파수(RF) 신호를증폭하도록구성된전력증폭기를포함하는전력증폭기다이 - 전력증폭기는이종접합쌍극성트랜지스터(HBT) 및 p-타입전계효과트랜지스터(PFET)를포함하고, PFET 은 HBT의콜렉터의층과실질적으로동일한재료를포함하는반도체세그먼트를포함하고, 반도체세그먼트는 PFET의채널에대응함 - ; 전력증폭기의출력에전기적으로접속되고 RF 신호의기본주파수에서임피던스정합을제공하도록구성된부하선; 및전력증폭기의출력에전기적으로접속되고 RF 신호의고조파주파수에대응하는위상에서종단하도록구성된고조파종단회로를포함하는전력증폭기모듈이다. 모듈의다른실시예들이그의관련된방법들및 컴포넌트들과함께제공된다.
摘要翻译：功率放大器模块包括功率放大器，其包括具有集电极的GaAs双极晶体管，邻接集电极的基极和发射极，该集电极在与基极的连接处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度，所述收集器还具有至少第一分级，其中掺杂浓度从所述基底增加; 以及由功率放大器驱动的RF传输线，RF传输线包括在导电层上的导电层和精整电镀，精加工镀层包括金层，接近金层的钯层和靠近金层的扩散阻挡层钯层，扩散阻挡层包括镍，并且其厚度小于0.9GHz处的镍的趋肤深度。模块的其他实施例与其相关方法和组件一起提供。

2. 发明公开

KR1020150039557A 반도체 소자 无效
标题翻译：半导体元件
公开(公告)号：KR1020150039557A
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020140123422
申请日：2014-09-17
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 타카하라요시오 , 미우라타케시
IPC分类号： H01L29/80
CPC分类号： H01L29/737 , H01L29/0692 , H01L29/1004 , H01L29/42304 , H01L29/66242 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/80
摘要： 접합용량을줄일수 있는동시에반도체층의측면이안정화된반도체소자를제공한다. 반도체소자(10)는, 고농도 N형반도체층으로형성되는콜렉터콘택층(16)을구비하고있다. 콜렉터콘택층(16)에는, N형의콜렉터층(15)과, 콜렉터층(15)에적층되고윗면(14a)을구비한고농도 P형반도체층인베이스층(14)과, 윗면(14a)의일부에적층된 N형의에미터층(11)이적층되어있다. 베이스층(14)과콜렉터층(15)의접합면에, 베이스콜렉터층접합부(18)가형성되어있다. 불활성부(19)가, 평면에서볼 때윗면(14a)에있어서베이스전극(13)의외측단부보다도외측에설치되어있다. 불활성부(19)는, 헬륨및 아르곤으로이루어진군으로부터선택한 1의원소가제1 및 2반도체층에이온주입됨으로써형성된다. 불활성부(19)는, 윗면(14a)으로부터베이스콜렉터층접합부(18)보다도아래쪽까지뻗어있다.
摘要翻译：提供了能够同时降低结电容并稳定半导体层的侧面的半导体器件。半导体器件（10）包括由高浓度N型半导体层构成的集电极接触层（16）。 N型集电极层（15），层叠在集电体层（15）上的基极层（14），是具有上侧（14a）的高浓度P型半导体层，以及N型发射极层叠在上侧（14a）的一部分上的层层叠在集电体接触层（16）上。基底集电极层接合部分（18）形成在基底层（14）和集电极层（15）的接合侧上。通过将选自一组氦和氩的一种元素的离子注入到第一半导体层和第二半导体层中而形成非活性部分（19）。非活性部分（19）从上侧（14a）延伸到基底 - 集电极层接合部分（18）下方的位置。

3. 发明公开

KR1020150028813A 공정 보상된 HBT 전력 증폭기 바이어스 회로 및 방법 审中-实审
标题翻译：过程补偿HBT功率放大器偏置电路和MEHTODS
公开(公告)号：KR1020150028813A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：KR1020157000747
申请日：2013-06-13
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 리플리,데이비드스티븐 , 레톨라,필립존 , 잠파디,주니어,피터제이. , 샤오,홍시아오 , 코,틴,민트 , 오잘라스,매튜,토마스
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/191 , H03F3/21 , H04B1/3827 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L27/06 , H01L29/737
CPC分类号： H03F3/195 , H01L21/8252 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L27/0605 , H01L27/0658 , H01L29/20 , H01L29/7304 , H01L29/7371 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/665 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H03F1/302 , H03F3/191 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/411 , H03F2200/555 , H04B1/3827 , H04B1/40 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 전력 증폭기를 바이어싱하기 위한 시스템에 관한 것이다. 상기 시스템은 전력 증폭기 회로를 포함하는 제1 다이 및 제1 다이의 하나 이상의 조건에 의존하는 전기적 특성을 갖는 수동 소자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 시스템은 제1 다이의 수동 소자의 전기적 특성의 측정에 적어도 부분적으로 기초하는 바이어스 신호를 발생하도록 구성된 바이어스 신호 발생 회로를 포함하는 제2 다이를 포함할 수 있다.
摘要翻译：本公开涉及一种用于偏置功率放大器的系统。该系统可以包括第一管芯，其包括功率放大器电路和具有取决于第一管芯的一个或多个条件的电特性的无源部件。此外，该系统可以包括第二管芯，该第二管芯包括偏置信号产生电路，该偏置信号产生电路被配置为至少部分地基于第一管芯的无源部件的电性质的测量来产生偏置信号。

4. 发明公开

KR1020120101078A 갈륨 나이트라이드 결정, 호모에피택셜 갈륨 나이트라이드계 디바이스 및 이들의 제조 방법 有权
标题翻译：氮化钇晶体，基于氮化镓的器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120101078A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020127015773
申请日：2003-12-22
申请人： 제너럴 일렉트릭 캄파니
发明人： 데블린마크필립 , 박동실 , 르뵈우프스티븐프란시스 , 로우랜드래리버톤 , 나랑크리스티진 , 홍후이콩 , 산드빅피터미카
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/40 , H01L29/812 , H01L29/778
CPC分类号： H01L33/32 , C30B7/105 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L29/2003 , H01L29/6631 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H01L29/7787
摘要： A device which includes at least one epitaxial semiconductor layer disposed on a single crystal substrate comprised of gallium nitride having a dislocation density less than about 10 per cm , substantially no tilt boundaries, and an oxygen impurity level of less than 10 cm . The electronic device may be in the form of lighting applications such as light emitting diode (LED) and laser diode (LD) applications and devices such as GaN based transistors, rectifiers, thyristors, and cascode switches, and the like. Also provided is a method of forming a single crystal substrate comprised of gallium nitride having a dislocation density less than about 10 per cm , substantially no tilt boundaries, and an oxygen impurity level of less than 10 cm , and homoepitaxially forming at least one semiconductor layer on the substrate and an. electronic device.

5. 发明授权

KR101131320B1 분리 집적회로 장치 有权
标题翻译：隔离集成电路设备
公开(公告)号：KR101131320B1
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：KR1020097022107
申请日：2008-02-27
申请人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
发明人： 윌리엄스리차드케이. , 디즈니도날드레이 , 찬와이티엔
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/823878 , H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L21/823892 , H01L29/0649 , H01L29/0821 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명에 의한 반도체 장치를 위한 분리 구조체는 플로어 분리영역, 상기 플로어 분리영역 위에 유전체 충전 트렌치, 및 상기 트렌치로부터 상기 플로어 분리영역으로 하방 연장하는 측벽 분리영역을 포함한다. 이 구조체는 상기 기판 안에서 에칭되어야할 트렌치의 깊이를 제한하는 동안 반도체 구조체 내의 비교적 깊은 분리 포켓을 제공한다. MOSFET, 바이폴라 트랜지스터, 다이오드, 및 JFET를 포함하는 여러 장치가 상기 분리 포켓에 형성된다.
摘要翻译：用于半导体器件的隔离结构包括地板隔离区域，位于地板隔离区域上方的电介质填充沟槽以及从沟槽底部向下延伸到地板隔离区域的侧壁隔离区域。该结构在半导体衬底中提供了较深的隔离袋，同时限制了必须在衬底中被蚀刻的沟槽的深度。在隔离的袋中形成MOSFET。

6. 发明公开

KR1020100036221A 분리 집적회로 장치 有权
标题翻译：隔离集成电路设备
公开(公告)号：KR1020100036221A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020097022107
申请日：2008-02-27
申请人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
发明人： 윌리엄스리차드케이. , 디즈니도날드레이 , 찬와이티엔
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/823878 , H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L21/823892 , H01L29/0649 , H01L29/0821 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H01L2924/0002 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： An isolation structure for a semiconductor device comprises a floor isolation region, a dielectric filled trench above the floor isolation region and a sidewall isolation region extending downward from the bottom of the trench to the floor isolation region. This structure provides a relatively deep isolated pocket in a semiconductor substrate while limiting the depth of the trench that must be etched in the substrate. A variety of devices, including MOSFETs, bipolar transistors, diodes, and JFETs, are formed in the isolated pocket.
摘要翻译：用于半导体器件的隔离结构包括地板隔离区域，位于地板隔离区域上方的电介质填充沟槽以及从沟槽底部向下延伸到地板隔离区域的侧壁隔离区域。该结构在半导体衬底中提供了较深的隔离袋，同时限制了必须在衬底中被蚀刻的沟槽的深度。在隔离的袋中形成各种器件，包括MOSFET，双极晶体管，二极管和JFET。

7. 发明公开

KR1020090067144A 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터에 대한 국부 컬렉터 주입 구조체 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：用于异相双极晶体管的本地收集器植入物结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020090067144A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020097006195
申请日：2007-09-17
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 파게트프란코이스
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L29/0821 , H01L29/66242 , H01L29/7371 , H01L29/7378
摘要： A bipolar transistor structure (600) includes an intrinsic base layer (106) formed over a collector layer (104), an emitter (110) formed over the intrinsic base layer, and an extrinsic base layer (108) formed over the intrinsic layer and adjacent the emitter. A ring shaped collector implant structure (604) is formed within an upper portion of the collector layer, wherein the ring shaped collector implant structure is disposed so as to be aligned beneath a peritneter portion of the emitter.
摘要翻译：双极晶体管结构（600）包括形成在集电极层（104）上的本征基极层（106），形成在本征基极层上的发射极（110）和形成在本征层上的非本征基极层（108）邻近发射器。环形收集器植入结构（604）形成在集电器层的上部内，其中环形收集器植入结构被设置成在发射器的铁素体部分下方对准。

8. 发明授权

KR100769958B1 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 및 그것을 구비하는 증폭기 有权
标题翻译：异相双极晶体管和放大器，包括它们
公开(公告)号：KR100769958B1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：KR1020060036085
申请日：2006-04-21
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 스즈키사토시 , 야마모토요시쓰구 , 오가와노부유키
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/0821
摘要： 이득의 콜렉터 전압 의존성을 저감할 수 있는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 및 그것을 구비하는 증폭기를 제공한다. N
+ 형 콜렉터 콘택층(6)위에는, N형 콜렉터층(10)이 부분적으로 형성되어 있다. N형 콜렉터층(10)은, N
+ 형 콜렉터 콘택층(6)위에 부분적으로 형성된 비교적 공핍화 하기 어려운 N형 콜렉터층(5)과, N형 콜렉터층(5)위에 전면적으로 형성된 비교적 공핍화 하기 쉬운 N형 콜렉터층(4)으로 이루어진다. N형 콜렉터층(4)위에는, 고농도의 P형 불순물을 포함하는 P
+ 형 베이스층(3)이 전면적으로 형성되어 있다.
콜렉터층, 베이스층, 공핍화, 증폭기

9. 发明公开

KR1020060084665A 보호회로를 내장한 절연게이트형 반도체 장치 失效
标题翻译：具有保护电路的绝缘栅双极晶体管
公开(公告)号：KR1020060084665A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050005441
申请日：2005-01-20
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 지인환 , 전병철 , 최영환 , 김수성 , 한민구
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L29/7371
摘要： 본 발명은 보호회로를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; 이하 IGBT라 칭함)에 관한 것이다. 본 발명의 절연 게이트형 반도체 장치는 제1 도전형의 반도체층과; 상기 반도체층의 제1 영역에 형성된 주 IGBT 소자와; 상기 주 IGBT 소자에서 비정상적인 고전류가 흐를 경우 이를 감지하기 위해 상기 제1 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제2 영역에 형성된 플로팅 웰과; 상기 플로팅 웰로부터 인가되는 감지신호에 따라 상기 주 IGBT 소자에 흐르는 전류를 감소시키기 위해 상기 제2 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제3 영역에 형성된 MOSFET 소자를 구비하는 보호회로를 포함함을 특징으로 한다.
절연게이트 바이폴라 트랜지스터, 스위칭 소자, 애벌런치 에너지, 플로팅 웰

10. 发明公开

KR1020060065423A 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060065423A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020050030296
申请日：2005-04-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이종민 , 주철원 , 이경호 , 김성일 , 민병규
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/66318
摘要： 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 형성되는 제1 에피층과, 상기 제1 에피층 상부의 소정영역이 노출되도록 형성되는 제2 에피층과, 상기 제2 에피층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 전류차단층 및 부컬렉터층과, 상기 부컬렉터층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 컬렉터층 및 베이스층과, 상기 베이스층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 에미터층 및 에미터캡층과, 상기 에미터캡층의 상부, 노출된 상기 베이스층, 상기 부컬렉터층, 상기 제2 에피층 및 상기 제1 에피층의 소정영역에 각각 형성되는 에미터전극, 베이스전극, 컬렉터전극, 다이오드용 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 컬렉터전극과 상기 제1 전극, 상기 에미터전극과 상기 제2 전극을 각각 전기적으로 연결시키는 제1 및 제2 금속배선을 포함함으로써, 종래의 반도체 소자와 분리된 다이오드를 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 금속선으로 연결하는 방법보다 간단한 공정을 통해 PN 접합 다이오드를 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 연결할 수 있으므로 전체 회로에서 차지하는 면적이 감소되며, 금속선에서 나타날 수 있는 저항과 손실 등이 감소될 수 있는 효과가 있다.
이종접합 쌍극자 트랜지스터, PN 접합 다이오드, 화합물반도체

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