基本信息:
- 专利标题： 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터에 대한 국부 컬렉터 주입 구조체 및 그 형성 방법
- 专利标题（英）：Local collector implant structure for heterojunction bipolar transistors and method of forming the same
- 专利标题（中）：用于异相双极晶体管的本地收集器植入物结构及其形成方法
- 申请号：KR1020097006195 申请日：2007-09-17
- 公开(公告)号：KR1020090067144A 公开(公告)日：2009-06-24
- 发明人： 파게트프란코이스
- 申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
- 申请人地址： New Orchard Road, Armonk, New York *****, U.S.A.
- 专利权人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
- 当前专利权人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
- 当前专利权人地址： New Orchard Road, Armonk, New York *****, U.S.A.
- 代理人： 신정건; 김태홍
- 优先权： US11/538,848 2006-10-05
- 国际申请： PCT/EP2007/059798 2007-09-17
- 国际公布： WO2008040632 2008-04-10
- 主分类号： H01L29/737
- IPC分类号： H01L29/737 ; H01L29/08 ; H01L21/331
摘要：
A bipolar transistor structure (600) includes an intrinsic base layer (106) formed over a collector layer (104), an emitter (110) formed over the intrinsic base layer, and an extrinsic base layer (108) formed over the intrinsic layer and adjacent the emitter. A ring shaped collector implant structure (604) is formed within an upper portion of the collector layer, wherein the ring shaped collector implant structure is disposed so as to be aligned beneath a peritneter portion of the emitter.
摘要（中）：
双极晶体管结构（600）包括形成在集电极层（104）上的本征基极层（106），形成在本征基极层上的发射极（110）和形成在本征层上的非本征基极层（108） 邻近发射器。 环形收集器植入结构（604）形成在集电器层的上部内，其中环形收集器植入结构被设置成在发射器的铁素体部分下方对准。
公开/授权文献:
- KR101054701B1 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터에 대한 국부 컬렉터 주입 구조체 및 그 형성 방법 公开/授权日：2011-08-08
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/73 | .....双极结型晶体管 |
| ------------------H01L29/737 | ......异质结晶体管 |