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1. 发明授权

KR101022661B1 금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 소자를 구비한 대전류 제어회로,그 대전류 제어회로를 포함하는 시스템 失效
标题翻译：包括金属 - 绝缘体转换模块的大电流控制电路和包含相同电路的系统
公开(公告)号：KR101022661B1
公开(公告)日：2011-03-22
申请号：KR1020080091266
申请日：2008-09-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현탁 , 김봉준 , 윤선진
IPC分类号： G05F3/24
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L23/62 , H01L27/067 , H01L27/082 , H01L2924/0002 , H03K17/14 , H03K17/567 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 발열문제를 해결하면서도 작은 사이즈로 대전류를 제어하고 스위칭할 수 있는 금속-절연체 전이(MIT) 소자를 구비한 대전류 제어회로, 그 대전류 제어회로를 포함하는 시스템을 제공한다. 그 대전류 제어회로는 전류구동소자로 연결되고, 소정 전이 전압에서 불연속 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)를 겪는 MIT 소자, 및 상기 전류구동소자와 상기 MIT 소자 사이에 연결되어 상기 MIT 소자의 온-오프(On-Off) 스위칭을 제어하는 스위칭제어 트랜지스터;를 포함하여, 상기 전류구동소자로 입력 또는 출력되는 대전류를 스위칭한다. 한편, MIT 소자는 발열 방지를 위한 발열방지 트랜지스터가 연결됨으로써 MIT-TR 복합소자를 구성할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 대전류 제어회로

2. 发明授权

KR101496786B1 반도체장치 및 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101496786B1
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：KR1020140033329
申请日：2014-03-21
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 후세인할리드하산 , 사이토쇼지
IPC分类号： H03K17/687 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0207 , H01L27/0211 , H01L27/082 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/2003 , H03K17/163 , H03K2017/6878 , Y10T307/826 , Y10T307/832 , Y10T307/858
摘要： 본 발명은, 스위칭 손실을 저감할 수 있는 반도체장치 및 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 반도체장치는, 제1게이트를 갖고 상기 제1게이트로부터의 신호로 온 오프가 제어되는 제1소자부와, 제2게이트를 갖고 상기 제2게이트로부터의 신호로 온 오프가 제어되는 제2소자부를 갖는 반도체 소자와, 상기 제1게이트 및 상기 제2게이트에 접속되고, 상기 반도체 소자를 턴온할 때에는 상기 제1소자부와 상기 제2소자부를 동시에 턴온하고, 상기 반도체 소자를 턴오프할 때에는 상기 제2소자부를 상기 제1소자부보다도 지연해서 턴오프하도록 상기 제1게이트와 상기 제2게이트에 신호를 전송하는 신호 전송수단을 구비한 것을 특징으로 한다.

3. 发明公开

KR1020180085580A 정전기 방전 보호소자 有权
公开(公告)号：KR1020180085580A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：KR1020170009307
申请日：2017-01-19
申请人： 단국대학교 산학협력단
发明人： 구용서
IPC分类号： H01L27/02 , H03K17/081 , H01L27/082
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L27/082 , H03K17/08116
摘要： 낮은트리거전압과높은전류구동능력을갖는정전기방전보호소자가개시된다. 이는종래의 PNP 바이폴라트랜지스터와 NPN 바이폴라트랜지스터만으로동작하는 LVTSCR 구조에서 P웰및 P+영역을추가로형성하여방전경로상에바이폴라트랜지스터를추가동작시킴으로써감내특성을향상시키고, 높은전류구동능력을갖는정전기방전보호소자를제공한다.

4. 发明授权

KR100777161B1 파워 트랜지스터가 내장된 집적회로 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：集成电路复用功率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100777161B1
公开(公告)日：2007-11-16
申请号：KR1020060055871
申请日：2006-06-21
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 김동수 , 김원찬 , 김인수 , 서송하 , 정영태
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/80 , H01L21/337 , H01L21/20
CPC分类号： H01L27/082 , H01L21/8222
摘要： An integrated circuit having a power transistor and a manufacturing method thereof are provided to increase capacitance of collector current by applying the collector current of the power transistor in a vertical direction through a lower surface of a substrate. An integrated circuit includes a first conductive type high-density substrate(101), a first conductive type low-density epitaxial layer(102), a second conductive type low-density epitaxial layer(103), at least one small signal transistor(110), and at least one power transistor(120). The power transistor includes a base region(124) and an emitter region(125) formed on the second conductive type low-density epitaxial layer, and a collector region formed on the first conductive type high-density substrate. The small signal transistor includes a second conductive type first buried layer(111), a first conductive type second buried layer(112), a second conductive type third buried layer(113), a base region(114), an emitter region(115), and a collector region(116).
摘要翻译：提供一种具有功率晶体管及其制造方法的集成电路，通过在垂直方向上施加功率晶体管的集电极电流，从而提高集电极电流的电容。集成电路包括第一导电型高密度衬底（101），第一导电型低密度外延层（102），第二导电型低密度外延层（103），至少一个小信号晶体管（110））和至少一个功率晶体管（120）。功率晶体管包括形成在第二导电型低密度外延层上的基极区域（124）和发射极区域（125）以及形成在第一导电型高密度衬底上的集电极区域。小信号晶体管包括第二导电型第一掩埋层（111），第一导电型第二掩埋层（112），第二导电型第三掩埋层（113），基极区域（114），发射极区域（115））和收集器区域（116）。

5. 发明公开

KR1020140079345A 반도체장치 및 반도체 소자 有权
标题翻译：半导体器件和半导体元件
公开(公告)号：KR1020140079345A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020140061526
申请日：2014-05-22
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 후세인할리드하산 , 사이토쇼지
IPC分类号： H03K17/687 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0207 , H01L27/0211 , H01L27/082 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/2003 , H03K17/163 , H03K2017/6878 , Y10T307/826 , Y10T307/832 , Y10T307/858
摘要： The present invention is to provide semiconductor apparatus and a semiconductor device which are capable of reducing the switching loss. The semiconductor apparatus according to the present invention includes a semiconductor device which has a first device unit which has a first gate and is turned on and off by a signal from the first gate and a second device unit which has a second gate and is turned on and off by a signal from the second gate; and a signal transmission unit which is connected to the first and second gates, turns on the first and second device units when turning on the semiconductor device, and transmits a signal to the first and second gates to turn off the second device unit with a delay compared to the first device unit when turning off the semiconductor device.
摘要翻译：本发明提供能够降低开关损耗的半导体装置和半导体装置。根据本发明的半导体装置包括半导体器件，其具有第一器件单元，该第一器件单元具有第一栅极并且通过来自第一栅极的信号导通和截止，以及具有第二栅极并导通的第二器件单元并通过来自第二门的信号关闭; 以及连接到第一和第二门的信号传输单元，当接通半导体器件时，接通第一和第二器件单元，并且将信号发送到第一和第二门以延迟第二器件单元与关闭半导体器件时的第一器件单元相比。

6. 发明公开

KR1020080007137A 반도체 디바이스 및 보호 회로 有权
标题翻译：半导体器件和保护电路
公开(公告)号：KR1020080007137A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：KR1020070070237
申请日：2007-07-12
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 다카하시유키오
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0259 , H01L27/082
摘要： A semiconductor device and a protection circuit are provided to obtain an electrostatic discharge damage protection circuit having a high electrostatic discharge damage resistance without enlarging a layout size of the protection circuit. A well is formed in a region in which a protection circuit of an input/output terminal is arranged. A plurality of emitter diffusion layers are formed on the well and have a conductive type opposite to the conductive type of the well. A plurality of first collector diffusion layers are formed on the well and have a conductive type opposite to the conductive type of the well. A plurality of second collector diffusion layers are formed on the well and have a conductive type opposite to the conductive type of the well. A base diffusion layer is formed on the well and has the same conductive type as the conductive type of the well. An insulating layer is formed to isolate the emitter diffusion layers, the first collector diffusion layers, the second collector diffusion layers, and the base diffusion layer, respectively. A first bipolar transistor(10A) includes the emitter diffusion layers, the first collector diffusion layers, and the base diffusion layer. A second bipolar transistor(10B) includes the emitter diffusion layers, the second collector diffusion layers, and the base diffusion layer. A third bipolar transistor(10C) includes the first collector diffusion layers, the second collector diffusion layers, and the base diffusion layers. The emitter diffusion layers are electrically connected to the input/output terminal. The first collector diffusion layer is electrically connected to a first power supply terminal. The second collector diffusion layers and the base diffusion layer are electrically connected to a second power supply terminal.
摘要翻译：提供半导体器件和保护电路以获得具有高静电放电损伤电阻的静电放电损坏保护电路，而不增加保护电路的布局尺寸。在其中布置有输入/输出端子的保护电路的区域中形成阱。在阱上形成多个发射极扩散层，并具有与阱的导电类型相反的导电类型。在阱上形成多个第一集电极扩散层，并具有与阱的导电类型相反的导电类型。多个第二集电极扩散层形成在阱上并且具有与阱的导电类型相反的导电类型。在阱上形成基极扩散层，并具有与导电类型相同的导电类型。形成绝缘层以隔离发射极扩散层，第一集电极扩散层，第二集电极扩散层和基极扩散层。第一双极晶体管（10A）包括发射极扩散层，第一集电极扩散层和基极扩散层。第二双极晶体管（10B）包括发射极扩散层，第二集电极扩散层和基极扩散层。第三双极晶体管（10C）包括第一集电极扩散层，第二集电极扩散层和基极扩散层。发射极扩散层电连接到输入/输出端。第一集电极扩散层与第一电源端子电连接。第二集电极扩散层和基极扩散层与第二电源端子电连接。

7. 发明公开

KR1020170121906A 바이폴라 접합 트랜지스터 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：双极结晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170121906A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020160050756
申请日：2016-04-26
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 김주형
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/73 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/732
CPC分类号： H01L27/082 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0813 , H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/41708 , H01L29/6625 , H01L29/735
摘要： 바이폴라접합트랜지스터와그 제조방법이개시된다. 상기바이폴라접합트랜지스터는, 기판내에배치된복수의이미터영역들과, 상기기판내에배치되며상기이미터영역들을각각감싸도록구성된복수의베이스영역들과, 상기기판내에배치되며상기베이스영역들을감싸도록구성된컬렉터영역을포함한다.
摘要翻译：公开了一种双极结型晶体管及其制造方法。双极结型晶体管，和设置在所述衬底本米区域，设置在所述衬底中的多个和多个基站的区域被配置成分别包围所述sanggiyi米区域，设置在所述衬底集电极配置为环绕所述基区它包括一个区域。

8. 发明授权

KR101504164B1 반도체장치 및 반도체 소자 有权
标题翻译：半导体器件和半导体元件
公开(公告)号：KR101504164B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020140061526
申请日：2014-05-22
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 후세인할리드하산 , 사이토쇼지
IPC分类号： H03K17/687 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0207 , H01L27/0211 , H01L27/082 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/2003 , H03K17/163 , H03K2017/6878 , Y10T307/826 , Y10T307/832 , Y10T307/858
摘要： 본 발명은, 스위칭 손실을 저감할 수 있는 반도체장치 및 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 반도체장치는, 제1게이트를 갖고 상기 제1게이트로부터의 신호로 온 오프가 제어되는 제1소자부와, 제2게이트를 갖고 상기 제2게이트로부터의 신호로 온 오프가 제어되는 제2소자부를 갖는 반도체 소자와, 상기 제1게이트 및 상기 제2게이트에 접속되고, 상기 반도체 소자를 턴온할 때에는 상기 제1소자부와 상기 제2소자부를 동시에 턴온하고, 상기 반도체 소자를 턴오프할 때에는 상기 제2소자부를 상기 제1소자부보다도 지연해서 턴오프하도록 상기 제1게이트와 상기 제2게이트에 신호를 전송하는 신호 전송수단을 구비한 것을 특징으로 한다.

9. 发明公开

KR1020140053059A 반도체장치 및 반도체 소자 有权
标题翻译：半导体器件和半导体元件
公开(公告)号：KR1020140053059A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020140033329
申请日：2014-03-21
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 후세인할리드하산 , 사이토쇼지
IPC分类号： H03K17/687 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0207 , H01L27/0211 , H01L27/082 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/2003 , H03K17/163 , H03K2017/6878 , Y10T307/826 , Y10T307/832 , Y10T307/858
摘要： The present invention provides a semiconductor device and a semiconductor element for reducing switching loss. The semiconductor device according to the present invention is provided with: a semiconductor element having a first element unit having a first gate and a second element unit having a second gate, wherein the first element unit is turned on/off by a signal from the first gate and the second element unit is turned on/off by a signal from the second gate; and a signal transmitting means connected to the first gate and the second gate, wherein the signal transmitting means simultaneously turns on the first element unit and the second element unit when the semiconductor element is turned on, turns off the second element unit after turning off the first element unit when the semiconductor element is turned off, and transmits signals to the first gate and the second gate.
摘要翻译：本发明提供一种用于降低开关损耗的半导体器件和半导体元件。根据本发明的半导体器件具有：半导体元件，具有具有第一栅极的第一元件单元和具有第二栅极的第二元件单元，其中第一元件单元通过来自第一栅极的信号导通/截止栅极和第二元件单元通过来自第二栅极的信号导通/截止; 以及连接到第一栅极和第二栅极的信号发送装置，其中当半导体元件导通时，信号发送装置同时接通第一元件单元和第二元件单元，在关闭第二元件单元之后关闭第二元件单元第一元件单元，并且将信号发送到第一栅极和第二栅极。

10. 发明授权

KR101050761B1 배열형 수평 바이폴라 트랜지스터를 이용한 수소이온 감지소자 有权
标题翻译：氢气离子感应装置使用阵列浇注的横向BJT
公开(公告)号：KR101050761B1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020100015058
申请日：2010-02-19
申请人： 경북대학교 산학협력단
发明人： 강신원 , 권혁춘 , 염세혁
IPC分类号： G01N27/414 , H01L29/786
CPC分类号： G01N27/4148 , H01L27/082
摘要： PURPOSE: A hydrogen-ion sensor using an array of lateral bipolar transistors is provided to enable adjustment by base current in a state of fixing emitter voltage, enhance sensitivity eight times compared with single gated later BJT and significantly reduce production cost. CONSTITUTION: A sensing unit makes contact with a reference electrode and ion solution to sense hydrogen ion. Floating gate is connected to a side collector, a base, an emitter, a vertical collector and a reference electrode. An LBJT(Lateral Bipolar Junction Transistor) has a ring shape, in which an emitter is surrounded by the floating gate and the side collector.
摘要翻译：目的：提供使用横向双极晶体管阵列的氢离子传感器，以便在固定发射极电压的状态下能够通过基极电流进行调节，与单次门控以后的BJT相比提高了8倍的灵敏度，并显着降低了生产成本。构成：感测单元与参比电极和离子溶液接触以感测氢离子。浮栅连接到侧集电极，基极，发射极，垂直集电极和参考电极。 LBJT（横向双极结晶体管）具有环状，其中发射极被浮动栅极和侧面集电极包围。

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