专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170036963A 반도체 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170036963A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150135840
申请日：2015-09-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권두원
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L27/11582 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L28/00 , H01L2224/32105 , H01L2224/32146 , H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265 , H01L2225/06544 , H01L2924/15311 , H04N5/2253 , H01L2924/00014
摘要： 본발명은웨이퍼레벨로적층된반도체칩을포함하는반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 제1 기판, 상기제1 기판상의제1 금속층들, 및제1 비아그룹을포함하는제1 서브칩, 상기제1 비아그룹은상기제1 금속층들사이에서이들을전기적으로연결하는비아들로이루어지고; 제2 기판, 상기제2 기판상의제2 금속층들, 및제2 비아그룹을포함하는제2 서브칩, 상기제2 비아그룹은상기제2 금속층들사이에서이들을전기적으로연결하는비아들로이루어지며; 상기제1 및제2 서브칩들사이에서, 상기제1 금속층들과상기제2 금속층들을전기적으로연결하는연결부; 및상기제2 기판을관통하여, 상기제2 금속층들과전기적으로연결되는관통비아를포함한다. 평면적관점에서, 상기제1 비아그룹, 상기제2 비아그룹및 상기연결부중 적어도하나는, 상기관통비아와이격된다.
摘要翻译：本发明涉及包括以晶片级堆叠的半导体芯片的半导体器件及其制造方法，并且更具体地涉及包括以晶片级堆叠的半导体芯片的半导体器件，子芯片，第一通孔组由通孔组成，其中通孔电连接其间的第一金属层; 第二子芯片，其包括第二衬底，在所述第二衬底上的第二金属层以及第二通孔组，所述第二通孔组由其间电连接所述第二金属层的通孔组成; 连接部分，其在第一子芯片和第二子芯片之间电连接第一金属层和第二金属层; 并且通过通过第二衬底电连接到第二金属层的通孔。从平面的角度来看，第一通孔组，第二通孔组和连接部中的至少一个与通孔间隔开。

2. 发明公开

KR1020160053346A 나노구조 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：纳米扫描半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160053346A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140151520
申请日：2014-11-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황경욱
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의일 실시예는제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 복수의개구를갖는제1 영역과상기복수의개구에각각위치하며상기제1 영역과는이격된복수의제2 영역을갖는절연막; 상기제2 영역상에배치된유전체나노코어; 및상기유전체나노코어상에순차적으로배치된제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물을포함하는것을특징으로하는나노구조반도체발광소자를제공한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，提供一种纳米结构半导体发光器件，包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 绝缘层，其包括第一区域和第二区域，其中所述第一区域布置在所述基底层的上表面上并且具有多个开口，并且所述第二区域被放置在每个所述开口上并与第一区; 布置在所述第二区域中的电介质纳米芯; 以及多个纳米发光结构，其具有连续堆叠在所述电介质纳米芯上的第一导电型半导体层，有源层和第二导电型半导体层。根据本发明，纳米结构半导体发光器件能够减轻电流泄漏问题。

3. 发明公开

KR1020150085567A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020150085567A
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：KR1020140005291
申请日：2014-01-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종현 , 한상헌 , 현재성 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/04 , H01L29/15 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/8592 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01L2924/00014
摘要： 본발명의실시형태에따른반도체발광소자는, n형반도체층; p형불순물을포함하는복수의제1 레이어와복수의제2 레이어가교대로적층되며, 상기복수의제1 레이어각각의불순물농도는상기 n형반도체층에더 가까이배치되는다른상기제1 레이어의불순물농도보다큰 p형반도체층; 및상기 n형반도체층과상기 p형반도체층사이에배치되는활성층; 을포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，半导体发光器件包括：n型半导体层; p型半导体层，其中包含p型杂质和多个第二层的多个第一层交替排列，并且每个第一层的杂质浓度高于排列更多的另一个第一层的杂质浓度更靠近n型半导体层; 以及布置在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。

4. 发明授权

KR101533731B1 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：发光器件封装及其制造方法
公开(公告)号：KR101533731B1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130109967
申请日：2013-09-12
申请人： 광운대학교 산학협력단
发明人： 김남영 , 왕종 , 저릭그트출룬바타르
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/48
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 본발명에따른발광소자패키지는, 실리콘을포함하며, 발광소자실장영역이정의된기판; 상기기판의제1 면상에형성된절연층구조물(insulation layer structure); 상기절연층구조물상에형성된도전패턴; 상기발광소자실장영역에서, 상기기판및 상기절연층구조물을관통하는적어도하나의서멀비아(thermal via); 상기기판의제2 면상에형성되며, 상기적어도하나의서멀비아와일체로형성된방열층; 및상기도전패턴상에실장된발광소자를포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种发光器件封装及其制造方法。根据本发明，发光器件封装包括：硅; 限定了发光装置安装区域的基板; 绝缘层结构，其形成在所述基板的第一侧上; 形成在所述绝缘层结构上的导电图案; 在所述发光装置安装区域中穿过所述基板和所述绝缘层结构的至少一个热通孔; 辐射层，其形成在所述基板的第二侧上并形成为与至少一个热通孔成一体; 以及安装在导电图案上的发光装置。

5. 发明公开

KR1020150033953A 반도체 발광소자 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020150033953A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020130113896
申请日：2013-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한재호 , 김명하
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/42 , F21K9/232 , F21K9/27 , F21K9/90 , F21S41/143 , F21S45/47 , F21Y2115/10 , H01L31/02366 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의일 측면은, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을구비하는발광구조물을마련하는단계와, 상기제1 도전형반도체층의일부가노출되도록상기제2 도전형반도체층및 활성층을메사식각하는단계와, 상기제2 도전형반도체층및 메사식각에의해노출된제1 도전형반도체층상에전도성층을형성하는단계및 상기제1 도전형반도체층의상면이일부식각되어요철을이루도록상기전도성층을건식식각하는단계를포함하는반도체발광소자제조방법을제공한다. 본실시형태에따르면, 외부양자효율이개선된반도체발광소자를용이하게제조할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，一种制造半导体发光器件的方法包括：制备具有第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层的发光结构的步骤; 对第二导电类型半导体层和有源层进行台面蚀刻以暴露第一导电类型半导体层的一部分的步骤; 在通过台面蚀刻工艺暴露的第一导电类型半导体层上形成导电层的步骤; 以及干式蚀刻导电层以在第一导电类型半导体层的上侧形成凹部的步骤。根据本实施方式，能够容易地制造具有提高的外部量子效率的半导体发光元件。

6. 发明公开

KR1020150016711A 멀티-칩 패키지 审中-实审
标题翻译：多芯片包装
公开(公告)号：KR1020150016711A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020130092482
申请日：2013-08-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김길수
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/12
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/02371 , H01L2224/05548 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/4824 , H01L2224/49109 , H01L2224/73207 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： 멀티-칩 패키지는 패키지 기판, 연결 기판, 복수개의 반도체 칩들 및 로직 칩을 포함한다. 패키지 기판은 개구부를 갖는다. 연결 기판은 상기 패키지 기판의 상부면에 배치된다. 반도체 칩들은 상기 연결 기판의 상부면에 적층된다. 반도체 칩들은 상기 연결 기판에 전기적으로 연결된다. 로직 칩은 상기 개구부 내에 배치된다. 로직 칩은 상기 연결 기판과 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결된다. 따라서, 로직 칩이 패키지 기판의 개구부 내에 배치되어 있으므로, 로직 칩으로 인해서 멀티-칩 패키지의 폭이 늘어나지 않게 된다.
摘要翻译：多芯片封装包括：封装基板，连接基板，多个半导体芯片和逻辑芯片。封装基板具有开口部。连接基板设置在封装基板的上表面上。半导体芯片堆叠在连接基板上。半导体芯片电连接到连接基板。逻辑芯片布置在开口部分。逻辑芯片电连接到连接基板和封装基板。逻辑芯片布置在封装衬底的开口部分中。因此，由于逻辑芯片，多芯片封装的宽度不会增加。

7. 发明公开

KR1020140099438A 발광 소자용 기판, 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：发光元件基板，发光模块及制造发光模块的方法
公开(公告)号：KR1020140099438A
公开(公告)日：2014-08-12
申请号：KR1020147007433
申请日：2012-11-09
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 야마모토신지 , 와타나베게이타 , 이시오마사아키
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/64 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L23/49579 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 이 발광 소자용 기판(1)은 발광 소자(2)가 배치되는 한쪽 표면(1a)에 배치되어, Cu, Ag, Al, Cu 합금, Ag 합금 또는 Al 합금 중 어느 하나를 포함하는 제1 층(11)과, Fe 또는 Fe 합금을 포함하는 제2 층(12)과, 다른 쪽 표면(1b)에 배치되어, Cu, Ag, Al, Cu 합금, Ag 합금 또는 Al 합금 중 어느 하나를 포함하는 제3 층(13)을 구비하고, 한쪽 표면은 첨도(Rku)가 10.5 이하로 됨과 함께, 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.15㎛ 이하로 되도록 형성되어 있다.

8. 发明公开

KR1020130105544A 내열성이 향상된 양자점- 고분자 복합체, 상기 복합체의 제조 방법, 상기 복합체를 포함하는 광학요소, 및 상기 광학요소의 제조방법 有权
标题翻译：耐热微胶囊型量子点聚合物复合材料，复合材料的制造方法，包括复合材料的光学元件和光学元件的制造方法
公开(公告)号：KR1020130105544A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020130028174
申请日：2013-03-15
申请人： 세종대학교산학협력단
发明人： 서영수 , 박상율 , 김효선 , 양희성
IPC分类号： C09K11/02 , C08L101/00 , C08K9/10
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y10T428/1393 , Y10T428/31801 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a micro capsule type quantum dot-polymer is provided to provide a quantum dot-polymer composite having excellent quantum dot dispersity and capable of stably maintaining quantum efficiency for long term. CONSTITUTION: A manufacturing method of a micro capsule type quantum dot-polymer comprises a step of forming a polymer solution by heating a first polymer having a polar functional group in a side chain and a second polymer with a higher molecular weight than that of the first polymer, in a first solvent (S13); a step of forming a mixture by adding a quantum dot dispersion in which quantum dots capped by a capping layer in a second solvent into the polymer solution(S17); and a step of forming a quantum dot-polymer composite in which the quantum dots are dispersed in a polymer matrix by cooling the mixture (S19). [Reference numerals] (S11) Preparing a polymer having a polar functional group in a side chain and a polymer with a higher molecular weight; (S13) Forming a polymer solution by heating the polymer having a polar functional group in a side chain and the polymer with a higher molecular weight than that of the first polymer, in a first solvent; (S15) Preparing a quantum dot dispersion in which quantum dots capped by a capping layer in a second solvent in a second solvent; (S17) Forming a mixture by adding a quantum dot dispersion in the polymer solution; (S19) Forming a quantum dot-polymer composite by cooling the mixture
摘要翻译：目的：提供一种微胶囊型量子点聚合物的制造方法，以提供具有优异的量子点分散性并能够长期稳定地保持量子效率的量子点聚合物复合材料。构成：微胶囊型量子点聚合物的制造方法包括通过在侧链中加热具有极性官能团的第一聚合物和分子量高于第一聚合物的第二聚合物形成聚合物溶液的步骤聚合物，在第一溶剂（S13）中; 通过在第二溶剂中加入量子点分散体形成混合物的步骤，其中将由第二溶剂中的覆盖层覆盖的量子点添加到聚合物溶液中（S17）; 以及通过冷却混合物形成量子点分散在聚合物基质中的量子点聚合物复合物的步骤（S19）。（附图标记）（S11）制备侧链具有极性官能团的聚合物和分子量较高的聚合物; （S13）在第一溶剂中通过加热侧链具有极性官能团的聚合物和分子量高于第一聚合物的聚合物形成聚合物溶液; （S15）准备量子点色散，其中量子点在第二溶剂中由第二溶剂中的覆盖层盖住; （S17）通过在聚合物溶液中加入量子点分散体形成混合物; （S19）通过冷却混合物形成量子点聚合物复合材料

9. 发明公开

KR1020120106543A 발광 장치 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120106543A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020117030754
申请日：2010-06-21
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 다끼네,겐지
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명은 발광 효율이 높고, 또한, 배광의 불규칙성이 적은 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 관한 발광 장치(100)는, 발광 소자(101)와, 발광 소자(101)를 수납하는 오목부(102)를 구비하고, 오목부(102)의 측벽은, 발광 소자(101)로부터의 광을 반사시키는 광 반사부(103)와, 발광 소자(101)로부터의 광을 외부에 투과시키는 광 투과부(104)를 일체로서 구비하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明具有高的发光效率，而且，本发明的一个目的是提供小型的发光装置的光分布的不规则性。根据本发明的发光器件100包括发光元件101和用于容纳发光元件101的凹部102.凹部102的侧壁连接到发光元件101 用于反射发光元件101的光的光反射部分103和用于将来自发光元件101的光透射到外部的光透射部分104。

10. 发明授权

KR101180350B1 와이어 본딩 검사 시스템 및 방법 有权
标题翻译： WIRE BONDING检查系统和方法
公开(公告)号：KR101180350B1
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：KR1020110138796
申请日：2011-12-21
申请人： (주)이즈미디어
发明人： 김종원 , 양상규
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/49 , H01L22/12 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/05553 , H01L2224/4809 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48465 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/789 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： PURPOSE: A wire bonding inspection system and method are provided to improve accuracy of wire bonding inspection by determining whether a wire is normally bonded or not by using a bonding direction of the wire. CONSTITUTION: A camera(120) takes a photograph of a substrate in which a semiconductor chip is mounted. An image processing unit(140) detects an inspection target wire portion in an image recorded in the camera. A storing unit(150) stores reference date for determining normal connection of the inspection target wire portion. A normality determining unit(160) determines whether a wire is normally connected or not by using the reference date and an angle of the inspection target wire portion. A camera driving unit(130) controls the height of the camera.
摘要翻译：目的：提供一种引线接合检查系统和方法，通过使用线的接合方向确定线是否正常结合来提高引线接合检查的精度。构成：相机（120）拍摄安装有半导体芯片的基板的照片。图像处理单元（140）检测记录在相机中的图像中的检查目标线部分。存储单元（150）存储用于确定检查对象线部分的正常连接的基准日期。正常判定单元（160）通过使用参考日期和检查对象线部分的角度来判定线是否正常连接。相机驱动单元（130）控制相机的高度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式