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1. 发明授权

KR102147138B1 정전기 방전 보호 회로 有权
公开(公告)号：KR102147138B1
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：KR1020140006792
申请日：2014-01-20
申请人： 한국전자통신연구원 , 단국대학교 산학협력단
发明人： 양일석 , 남은수 , 이명래 , 구용서
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8238 , H01L27/092

2. 发明授权

KR101758082B1 질화물 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101758082B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020130166516
申请日：2013-12-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 고상춘 , 문재경 , 장우진 , 배성범 , 박영락 , 전치훈 , 문석환 , 장우영 , 김정진 , 장현규 , 나제호 , 남은수
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/47 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/3212 , H01L21/0254 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.

3. 发明公开

KR1020170055394A 캐스코드 스위치 审中-实审
标题翻译： Cascode开关
公开(公告)号：KR1020170055394A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020160028960
申请日：2016-03-10
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 장현규 , 정동윤 , 고상춘 , 김민기 , 이현수 , 남은수 , 전치훈
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/081
摘要： 본발명의실시예에따른캐스코드스위치는입력전압을수신하는제1 드레인단자, 제1 게이트단자, 및제1 소스단자를포함하는제1 트랜지스터, 제1 소스단자와연결된제2 드레인단자, 제1 게이트단자와연결된제2 소스단자, 및외부장치로부터제어신호를수신하도록구성되는제2 게이트단자를포함하는제2 트랜지스터, 및제2 트랜지스터와병렬연결되고, 적어도하나의제너다이오드및 적어도하나의저항소자를포함하는보호회로를포함한다.
摘要翻译：在根据本发明的一个实施方式的串叠开关，耦合到所述第一晶体管的第二漏极端子，其包括第一漏极端子，第一栅极端子的第一源极端子，mitje第一源端，用以接收一输入电压，第一第二个是并联连接至所述晶体管，mitje第二晶体管，至少一个齐纳二极管和至少一个电阻元件和被配置为从第二源终端接收控制信号的第二栅极端，和外部设备连接到栅极端子还有一个保护电路。

4. 发明公开

KR1020170012861A 브릿지 다이오드 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：桥二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170012861A
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020160007195
申请日：2016-01-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정동윤 , 이현수 , 고상춘 , 김민기 , 나제호 , 남은수 , 박영락 , 박준보 , 이형석 , 장현규 , 전치훈
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/778 , H01L29/66
摘要： 본발명의실시예에따른브릿지다이오드를제공한다. 브릿지다이오드는기판상에순차적으로적층되는제 1 하부질화막및 제 1 상부질화막을포함하는제 1 구조, 상기기판상에순차적으로적층되는제 2 하부질화막및 제 2 상부질화막을포함하는제 2 구조, 상기제 1 구조상에배치되는제 1 전극구조체및 상기제 2 구조상에배치되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 1 전극구조체는시계방향으로배열되는제 1 전극, 제 2 전극및 제 3 전극을포함하고, 상기제 2 전극구조체는시계방향으로배열되는제 4 전극, 제 5 전극및 제 6 전극을포함하고, 상기제 1 전극과상기제 6 전극및 상기제 3 전극과상기제 4 전극은서로연결되어외부회로와연결되고, 제 2 전극과제 5 전극은각각외부회로와연결된다.

5. 发明授权

KR101695700B1 아발란치 포토다이오드의 제조방법 有权
标题翻译：制备化合物的方法
公开(公告)号：KR101695700B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020100130537
申请日：2010-12-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 심재식 , 김기수 , 민봉기 , 오명숙 , 권용환 , 남은수
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/02
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/184 , Y02E10/544
摘要： 본발명은아발란치포토다이오드의제조방법에관한것으로, 본발명의제조방법은, 기판의전면에광흡수층, 그래이딩층, 전기장완충층및 증폭층을순차적으로성장시켜에피탁시웨이퍼(Epitaxy wafer)를형성하는단계; 상기증폭층상에확산조절층을형성하는단계; 상기확산조절층상에확산조절층을보호하는보호층을형성하는단계; 상기보호층에서부터상기증폭층의소정깊이까지에칭하여에칭부를형성하는단계; 상기보호층을패터닝하여제1패터닝부를형성하는단계; 상기에칭부및 상기제1패터닝부에확산물질을확산시켜상기증폭층에접합영역과가드링영역을형성하는단계; 상기확산조절층및 상기보호층을제거하고, 상기증폭층상에상기접합영역과연결되는제1전극을형성하는단계; 및상기기판의후면에제2전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명은재현성이확보되고신뢰성이우수한아발란치포토다이오드를제공할수 있다.
摘要翻译：一种方法包括：依次在衬底表面上生长光吸收层，分级层，电场缓冲层和放大层，形成外延晶片; 在放大层上形成扩散控制层; 形成用于保护扩散控制层上的扩散控制层的保护层; 通过从保护层蚀刻到放大层的预定深度来形成蚀刻部分; 通过图案化所述保护层来形成第一图案形成部分; 通过使扩散材料扩散到所述蚀刻部分和所述第一图案形成部分，在所述放大层处形成接合区域和保护区域; 去除扩散控制层和保护层，并形成连接到放大层上的结区的第一电极; 以及在所述基板的后表面上形成第二电极。

6. 发明公开

KR1020160107397A 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160107397A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150029809
申请日：2015-03-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 나제호 , 정동윤 , 고상춘 , 남은수 , 이형석
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/20 , H01L21/31 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/467 , H01L27/0211 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L27/20
摘要： 본발명은반도체소자를제공한다. 반도체소자는동적인움직임으로냉각매체의흐름을발생시키는외팔보를갖는기판, 상기기판상에제공된활성영역, 상기기판상에상기활성영역과이격되어배치되는절연막, 상기절연막상에배치되는하부전극, 상기하부전극상에배치되는압전막및 상기압전막상에배치되는상부전극을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括具有用于产生具有动态运动的冷却介质的流动的悬臂的衬底，在衬底上提供的有源区，布置成与衬底上的有源区间隔开的绝缘膜，布置成在绝缘膜上，布置在下电极上的压电膜和布置在压电膜上的上电极。

7. 发明公开

KR1020150083483A 고전압 구동용 전계효과 트랜지스터 및 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于高电压运行的场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150083483A
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140002967
申请日：2014-01-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 안호균 , 김해천 , 김진식 , 이상흥 , 민병규 , 윤형섭 , 강동민 , 김성일 , 이종민 , 임종원 , 권용환 , 남은수
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/283 , H01L21/28593 , H01L29/2003 , H01L29/42312 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/66477 , H01L29/7787
摘要： 본발명은고전압구동용전계효과트랜지스터및 그의제조방법에관한것으로, 고전압구동이가능하도록게이트머리영역밑에내재된전계전극에의해드레인방향으로확장된게이트머리가지지되는게이트전극구조를포함한다. 이에따라드레인방향으로확장된게이트머리를절연막을이용하여전기적으로이격시킨전계전극으로지지함으로써게이트머리가확장되어있는게이트전극을안정적으로제작할수 있고, 드레인방향으로확장된게이트머리에의해게이트저항이감소하고, 드레인방향으로확장된게이트머리를가지는게이트전극및 게이트에근접된전계전극에의해게이트와드레인사이의전계피크치가감소하여, 소자의파괴전압이높아지는효과를얻을수 있다.
摘要翻译：本发明涉及用于高电压操作的场效应晶体管及其制造方法。场效应晶体管包括栅电极结构，其中栅极通过设置在栅极头区域下方的场电极在漏极方向延伸以实现高电压操作。因此，通过使用绝缘膜通过使用电极分离的场电极来支持在漏极方向上延伸的栅极头，能够稳定地制造具有扩展栅头的栅电极，通过在漏极方向和栅极和漏极之间的场峰值通过具有在漏极方向延伸的栅电极的栅电极和与栅极相邻的场电极而减小，从而提高器件的击穿电压。

8. 发明公开

KR1020140102384A 알루미늄갈륨나이트라이드 템플릿 및 그의 제조방법 및 그의 구조 无效
标题翻译： ALGAN模板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140102384A
公开(公告)日：2014-08-22
申请号：KR1020130015412
申请日：2013-02-13
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 배성범 , 김성복 , 남은수
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/20
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0262 , H01L29/2003
摘要： The present invention relates to an AlGaN template, a method of manufacturing the same, and a structure thereof. A method of manufacturing an AlGaN template according to one embodiment of the present invention includes a step of forming an AlN layer on a substrate; a step of forming a second AlyGa1-yN layer on a first AlxGa1-xN layer; and a step of forming a third AlzGa1-zN layer on the second AlyGa1-yN layer.
摘要翻译：本发明涉及一种AlGaN模板，其制造方法及其结构。根据本发明的一个实施方案的制造AlGaN模板的方法包括在衬底上形成AlN层的步骤; 在第一Al x Ga 1-x N层上形成第二Al y Ga 1-y N层的步骤; 以及在第二Al y Ga 1-y N层上形成第三Al z Ga 1-z N层的步骤。

9. 发明公开

KR1020140089052A 귀환 증폭기 审中-实审
标题翻译：反馈放大器
公开(公告)号：KR1020140089052A
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020130000317
申请日：2013-01-02
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이상흥 , 김성일 , 강동민 , 임종원 , 주철원 , 윤형섭 , 문재경 , 남은수
IPC分类号： H03F1/34 , H03F1/30
CPC分类号： H03F3/08 , H03G1/0047 , H03G1/0088 , H03G3/02 , H03G3/3084 , H03G11/02
摘要： The present invention relates to a feedback amplifier. The feedback amplifier according to the present invention includes an amplification circuit unit which amplifies a burst packet signal inputted from an input terminal and outputs the amplified signal to an output terminal, a feedback circuit unit which is located between the input terminal and the output terminal and is controlled for applying a fixed resistance value to the signal outputted to the output terminal, a packet signal detecting unit which detects the peak of the burst packet signal from the output terminal and controls whether to apply the fixed resistance value, and a bias circuit unit which generates a bias voltage. The feedback circuit unit controls a gain by determining a feedback resistance value for changing the fixed resistance value according to at least one control signal and receiving a bias voltage.
摘要翻译：本发明涉及一种反馈放大器。根据本发明的反馈放大器包括：放大电路单元，其放大从输入端输入的突发分组信号，并将放大的信号输出到输出端;反馈电路单元，位于输入端和输出端之间;以及被控制为对输出到输出端子的信号施加固定电阻值;分组信号检测单元，其检测来自输出端子的突发分组信号的峰值，并控制是否施加固定电阻值;偏置电路单元其产生偏置电压。反馈电路单元通过根据至少一个控制信号确定用于改变固定电阻值并接收偏置电压的反馈电阻值来控制增益。

10. 发明公开

KR1020140077734A 광 수신기에 대한 IQ 불균형 측정 장치 및 IQ 불균형 측정 방법 审中-实审
标题翻译： IQ智能测量设备和智能接收机智能测量方法
公开(公告)号：KR1020140077734A
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：KR1020120146841
申请日：2012-12-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤천주 , 김종회 , 최중선 , 김덕준 , 권용환 , 남은수
IPC分类号： H04B10/07
CPC分类号： H04B10/0731 , H04B10/613 , H04L27/223 , H04L27/364 , H04L2027/0083
摘要： The present invention relates to an IQ imbalance measuring device and an IQ imbalance measuring method and, more specifically, to an IQ imbalance measuring device and an IQ imbalance measuring method for an optical receiver. The IQ imbalance measuring device according to the present invention comprises a light generating unit generating an optical signal and a reference signal and providing an optical receiver with the optical signal and the reference signal; a graph creating unit creating a Lissajous figure by using an I signal and a Q signal output from the optical receiver in response to the optical signal and the reference signal; and a calculating unit calculating IQ imbalance of the optical receiver with reference to the Lissajous figure. The IQ imbalance measuring device and the IQ imbalance measuring method according to the present invention can measure IQ imbalance for the optical receiver with few calculations on a low speed signal.
摘要翻译：本发明涉及IQ不平衡测量装置和IQ不平衡测量方法，更具体地说，涉及一种用于光接收机的IQ不平衡测量装置和IQ不平衡测量方法。根据本发明的IQ不平衡测量装置包括产生光信号和参考信号的光产生单元，并向光接收器提供光信号和参考信号; 图形生成单元，响应于光信号和参考信号，通过使用从光接收器输出的I信号和Q信号来创建李萨如图; 以及计算单元，参考利萨如图来计算光接收机的IQ不平衡。根据本发明的IQ不平衡测量装置和IQ不平衡测量方法可以在低速信号上进行很少的计算来测量光接收机的IQ不平衡。

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