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1. 发明公开

KR1020140124273A 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：氮化物半导体及其方法
公开(公告)号：KR1020140124273A
公开(公告)日：2014-10-24
申请号：KR1020130041813
申请日：2013-04-16
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈 , 김웅선 , 장태훈
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L21/02241 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要： 본 명세서는, 광전기화학을 이용해 패시베이션층을 형성한 인핸스먼트형 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
이를 위하여, 일 실시예에 따른 반도체 소자는, GaN 층; 상기 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 층; 상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층; 상기 p-GaN 층 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극; 및 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되고, 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극 간 또는 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 간에 형성되는 패시베이션 층을 포함하되, 상기 패시베이션 층은, 상기 p-GaN층의 일부가 산화되어 형성되는 것일 수 있다.
摘要翻译：本说明书提供了具有使用光电化学形成的钝化层的增强型氮化物半导体器件及其制造方法。为此，根据本发明的一个实施例的半导体器件包括GaN层，形成在GaN层上的AlGaN层，形成在AlGaN层上的p-GaN层，形成在AlGaN层上的栅电极形成在AlGaN层的一部分区域上的p-GaN层，源电极和漏电极以及形成在AlGaN层的区域的一部分上并形成在源电极和源极之间的钝化层栅极电极或栅极电极和漏电极之间。钝化层通过部分氧化p-GaN层形成。

2. 发明公开

KR1020060021433A 이물질 방지구조가 형성된 프로젝션 텔레비전 无效
标题翻译：投影电视形成结构用于屏蔽灰尘
公开(公告)号：KR1020060021433A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：KR1020040070167
申请日：2004-09-03
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈
IPC分类号： H04N5/74
CPC分类号： H04N9/3141 , G02B27/0006
摘要： 본 발명은 이물질 방지구조가 형성된 프로젝션 텔레비전에 관한 것으로서, 특히 프로젝션 텔레비전의 내부로 먼지와 같은 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 프로젝션 텔레비전에 관한 것이다.
본 발명에 따른 이물질 방지구조를 가진 프로젝션 텔레비전은 합성계와 램프계 및 렌즈계로 이루어진 광학 엔진부와, 상기 렌즈계에서 투사된 영상을 반사시키는 반사 거울과, 상기 반사 거울에서 조사된 영상이 디스플레이되는 스크린 및 백 커버가 포함되는 프로젝션 텔레비전에 있어서, 상기 프로젝션 텔레비전의 내부 공간을 반사 거울 및 스크린이 위치한 상부 영역과 광학 엔진부가 위치한 하부 영역으로 구분하고 상부 영역과 하부 영역을 차폐하기 위한 차폐막과, 상기 차폐막과 결합되는 상부 개구와 상기 렌즈계 일부가 돌출되는 하부 개구가 형성된 먼지 커버가 포함되는 것을 특징으로 한다.
프로젝션 텔레비전, 먼지

3. 发明公开

KR1020140131167A 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：氮化物半导体及其方法
公开(公告)号：KR1020140131167A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：KR1020130050178
申请日：2013-05-03
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김웅선 , 장태훈 , 신종훈
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 본 명세서는, 순차적으로 적층된 GaN 층, AlGaN 층, p-GaN 층 및 상기 p-GaN층이 일부 산화되어 형성된 게이트 절연막(또는 산화막)을 포함하는 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
이를 위하여, 일 실시예에 따른 반도체 소자는, GaN 층; 상기 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 층; 상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층; 상기 p-GaN 층 상에 형성되는 게이트 산화막층; 상기 게이트 산화막층 상에 형성되는 게이트 전극; 및 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극을 포함할 수 있다.
摘要翻译：提供一种氮化物半导体器件及其方法，其中依次层叠GaN层，AlGaN层，p-GaN层和通过氧化一部分p-GaN层形成的栅极绝缘层（或氧化物层）。为此，根据一个实施例的半导体器件可以包括：GaN层; 形成在GaN层上的AlGaN层; 形成在AlGaN层上的p-GaN层; 形成在p-GaN层上的栅极氧化层; 形成在所述栅极氧化物层上的栅电极; 以及形成在AlGaN层的一部分上的源电极和漏电极。

4. 发明公开

KR1020020008922A 프로젝터의 램프 고정구조 无效
标题翻译：用于固定投影灯的结构
公开(公告)号：KR1020020008922A
公开(公告)日：2002-02-01
申请号：KR1020000041894
申请日：2000-07-21
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈
IPC分类号： G03B21/20
CPC分类号： G03B21/2046
摘要： PURPOSE: Structure for fixing a lamp in a projector is provided to move the lamp while over heating, to prevent crack of the lamp cause by overheat expansion and to improve operational safety of the projector. CONSTITUTION: Structure for fixing a lamp of a projector comprises a lamp holder(20) supporting a lamp(10); a returning unit elastically returning the lamp into an original position; a frame(14) attached to a front side of a funnel(12); a tension guide(40) installed on a front unit of the lamp holder; a floor face(201) mounted on the lamp holder; a fixing protrusion(24) formed on the floor face of the lamp holder; and a fixing groove(20a) mounted on an upper portion of the front unit of the lamp holder. The frame of the lamp is attached to the front unit of the lamp holder to move the lamp. Thereby, the structure for fixing the lamp of the projector moves the lamp while over heating. Moreover, the structure for fixing the lamp of the projector prevents crack of the funnel or a neck while deforming the funnel or the frame of the lamp caused by heating the lamp.
摘要翻译：目的：在投影机中固定灯泡的结构是为了在过热时移动灯泡，以防止灯泡由于过热膨胀引起的裂纹，并提高了投影机的操作安全性。构造：用于固定投影仪的灯的结构包括支撑灯（10）的灯座（20）; 返回单元将灯弹性地返回到原始位置; 附接到漏斗（12）的前侧的框架（14）; 安装在所述灯座的前部单元上的张力导向件（40）安装在所述灯座上的地板面（201）形成在所述灯座的地板面上的固定突起（24）以及安装在灯座前部的上部的固定槽（20a）。灯的框架连接到灯座的前单元以移动灯。因此，用于固定投影仪的灯的结构在过热时移动灯。此外，用于固定投影仪的灯的结构防止漏斗或颈部的裂纹，同时使由灯加热导致的漏斗或灯架的变形变形。

5. 发明公开

KR1020020008296A 프로젝터의 램프 어셈블리 失效
标题翻译：投影机灯泡组装
公开(公告)号：KR1020020008296A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：KR1020000041892
申请日：2000-07-21
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈
IPC分类号： G03B21/20
CPC分类号： G03B21/16 , G02B7/008 , G03B21/145 , G03B21/2086 , H04N9/3144
摘要： PURPOSE: A lamp assembly of projector is provided to efficiently radiate heat of a lamp concentrated in an iron and to prevent deformation or breakage of a funnel caused by overheating. CONSTITUTION: Lamp assembly of a projector comprises a funnel(12) having an iron(14) on a rear portion; a net(16) surrounding the iron; a connecting bolt(18) protruded form the iron; a lamp(10) mounted on a side of the funnel; a connecting terminal(13) mounted on the lamp; a high voltage cable(30) engaged with the connecting bolt and the connecting terminal of the lamp; a lamp holder(20) supporting the lamp; a radiating plate(40) inserted to the iron of the lamp by a through hole(40a); a ring shaped terminal(32) mounted on the high voltage cable; a nut(34) fixing the radiating plate on the connecting bolt; and a washer(35). The radiating plate is contacted to a surface of the iron to extend the surface of the iron. Thereby, the lamp assembly of the projector efficiently radiates heat of the lamp concentrated in an iron to prevent deformation or breakage of the funnel caused by overheating.
摘要翻译：目的：提供投影仪灯组件，以有效地辐射集中在熨斗中的灯泡的热量，并防止过热引起的漏斗变形或破裂。构成：投影仪的灯组件包括在后部具有铁（14）的漏斗（12）; 围绕铁的网（16）连接螺栓（18），其从所述铁中突出; 安装在漏斗一侧的灯（10）安装在所述灯上的连接端子（13）与连接螺栓和灯的连接端接合的高压电缆（30）支撑灯的灯座（20）通过通孔（40a）插入灯的熨斗的散热板（40）; 安装在高压电缆上的环形端子（32）; 将散热板固定在连接螺栓上的螺母（34）和垫圈（35）。辐射板与铁的表面接触以延伸铁的表面。因此，投影机的灯组件有效地散发集中在铁中的灯的热量，以防止过热引起的漏斗变形或破裂。

6. 发明公开

KR1020050070490A 프로젝션 타입의 영상표시기기용 램프커버구조 无效
标题翻译：投影型视频显示器具的灯罩结构
公开(公告)号：KR1020050070490A
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：KR1020030100079
申请日：2003-12-30
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈
IPC分类号： H04N5/74
CPC分类号： G03B21/00
摘要： 본 발명은 프로젝션 TV 또는 프로젝터 등과 같은 영상표시기기의 램프커버구조에 관한 것으로, 일단이 영상표시기기의 광학엔진측 냉각팬의 유체흐름경로 상에 배치되고 타단이 그 영상표시기기의 리어캐비닛에 고정되며, 그 냉각팬과 마주하는 부분에 유체흐름용 개구부를 형성하는 적어도 하나의 지지리브가 구비되고, 이 지지리브에는 마운팅부가 형성된 지지체와; 상기 광학엔진측 램프로부터 발생되는 열을 냉각팬을 통해 외부로 원활히 배출시킬 수 있게 함과 아울러 소음의 발생을 억제하고, 그 광학엔진측 램프로부터 발생되는 빛은 리어캐비닛의 외부로 새어 나오지 않도록 일측 네크부분이 상기 지지체의 마운팅부와 패스너를 통해 결합되고 반대편 넓은부분은 리어캐비닛의 외부로 배치되는 호온형 램프커버로 이루어진 것을 특징으로 한다. 그에 따라, 본 발명은 공기흐름을 원활하게 하여 냉각팬의 냉각효율을 높이고, 소음의 발생도 차단시킬 수 있게 하며, 나아가 램프로부터 발생되는 빛이 램프커버의 외부로 새어 나오지 않게 한다.

7. 发明公开

KR1020030036612A 조명장치 失效
标题翻译：固定灯结构
公开(公告)号：KR1020030036612A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020037000639
申请日：2001-07-13
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈
IPC分类号： G03B21/20
CPC分类号： G03B21/2046
摘要： PURPOSE: A structure for fixing a lamp is provided to prevent a funnel or a neck from cracking although the lamp is heated, thereby extending life of a product, and maintain an optical axis center. CONSTITUTION: A lamp(10) includes a funnel(12), a frame(14) attached to a front surface of the funnel, and a connecting bolt(19) installed at a rear of the funnel. A lamp holder(20) supports the lamp inside in a state that the lamp holder maintains certain gaps with the frame of the lamp. A tension guide includes an insertion protrusion(40a) formed at both ends to be inserted into a lower part of the lamp holder, a curve part(40b) forming contact points with the lamp, and a hook part(40d) put on the front surface of the lamp holder.
摘要翻译：目的：提供用于固定灯的结构，以防止灯加热时漏斗或颈部开裂，从而延长产品的使用寿命并保持光轴中心。构成：灯（10）包括漏斗（12），附接到漏斗的前表面的框架（14）和安装在漏斗后部的连接螺栓（19）。灯座（20）在灯架与灯框架保持一定间隙的状态下将灯支撑在内部。张力引导件包括形成在两端的插入突起（40a），插入灯座的下部，与灯形成接触点的弯曲部分（40b）和放置在前面的钩部分（40d）灯座表面。

8. 发明授权

KR102080745B1 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102080745B1
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：KR1020130041813
申请日：2013-04-16
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈 , 김웅선 , 장태훈
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335

9. 发明授权

KR101951421B1 질화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101951421B1
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：KR1020120087452
申请日：2012-08-09
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈 , 조성무
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/10

10. 发明公开

KR1020140020575A 질화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140020575A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020120087452
申请日：2012-08-09
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈 , 조성무
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： Disclosed are a nitride semiconductor element and a manufacturing method thereof. The embodiments of the present invention are able to minimize the leakage current and the reduction of breakdown voltage by firstly doping iron atoms and carbon atoms into a nitride thin film in order and then forming an un-doped layer on the top. In the embodiment of the present invention, iron, which does not affect the crystalizability during the growth of the nitride thin film, is firstly doped in the lower part and then carbon is doped in the area under the memory effect due to the iron doping so that the amount of dislocation as well as the number of free electrons existing on the thin film can be reduced. The embodiments of the present invention do not compromise the features of a two-dimensional electron gas (2DEG) channel and bring a high pressure resistance effect, by making the nitride thin film have high resistance. Also, by minimizing the leakage current when the element operates at high voltages and at the same time preventing reduction in the carrier density (number of carriers) or in the electron mobility of the 2DEG channel, the stability and the reliability of the element can be improved. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Form a first highly-resistant layer on a substrate using a first doping material; (S121) Stop the injection of the first doping material; (S123) Inject a second doping material; (S125) Stop the injection of the second doping material; (S130) Form an active layer on a second highly-resistant layer; (S140) Form a barrier layer on the active layer; (S150) Touch a source electrode and a drain electrode onto the barrier layer; (S160) Touch a gate electrode
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体元件及其制造方法。本发明的实施例能够通过首先将铁原子和碳原子掺杂到氮化物薄膜中，然后依次在顶部形成未掺杂的层，从而最小化漏电流和降低击穿电压。在本发明的实施例中，首先在下部掺杂不影响氮化物薄膜生长期间的结晶性的铁，然后由于铁掺杂而在存储效应下的区域中掺杂碳可以减少位错量以及存在于薄膜上的自由电子数。通过使氮化物薄膜具有高电阻，本发明的实施例不损害二维电子气（2DEG）通道的特征并带来高耐压性。此外，通过使元件在高电压下工作时的漏电流最小化，同时防止载流子密度（载流子数）或2DEG通道的电子迁移率降低，元件的稳定性和可靠性可以为改进。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）使用第一掺杂材料在衬底上形成第一耐高温层; （S121）停止第一掺杂材料的注入; （S123）注入第二掺杂材料; （S125）停止第二掺杂材料的注入; （S130）在第二高阻层上形成活性层; （S140）在有源层上形成阻挡层; （S150）将源电极和漏极接触到阻挡层上; （S160）触摸栅电极

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