基本信息:
- 专利标题： 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Nitride semiconductor and method thereof
- 专利标题（中）：氮化物半导体及其方法
- 申请号：KR1020130041813 申请日：2013-04-16
- 公开(公告)号：KR1020140124273A 公开(公告)日：2014-10-24
- 发明人： 신종훈 , 김웅선 , 장태훈
- 申请人： 엘지전자 주식회사
- 申请人地址： ***, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 专利权人： 엘지전자 주식회사
- 当前专利权人： 엘지전자 주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 代理人： 박장원
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/335
摘要：
본 명세서는, 광전기화학을 이용해 패시베이션층을 형성한 인핸스먼트형 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
이를 위하여, 일 실시예에 따른 반도체 소자는, GaN 층; 상기 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 층; 상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층; 상기 p-GaN 층 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극; 및 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되고, 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극 간 또는 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 간에 형성되는 패시베이션 층을 포함하되, 상기 패시베이션 층은, 상기 p-GaN층의 일부가 산화되어 형성되는 것일 수 있다.
摘要（中）：
이를 위하여, 일 실시예에 따른 반도체 소자는, GaN 층; 상기 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 층; 상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층; 상기 p-GaN 층 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극; 및 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되고, 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극 간 또는 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 간에 형성되는 패시베이션 층을 포함하되, 상기 패시베이션 층은, 상기 p-GaN층의 일부가 산화되어 형성되는 것일 수 있다.
本说明书提供了具有使用光电化学形成的钝化层的增强型氮化物半导体器件及其制造方法。 为此，根据本发明的一个实施例的半导体器件包括GaN层，形成在GaN层上的AlGaN层，形成在AlGaN层上的p-GaN层，形成在AlGaN层上的栅电极 形成在AlGaN层的一部分区域上的p-GaN层，源电极和漏电极以及形成在AlGaN层的区域的一部分上并形成在源电极和源极之间的钝化层 栅极电极或栅极电极和漏电极之间。 钝化层通过部分氧化p-GaN层形成。
摘要（英）：
Herein it should provide a enhancement type nitride semiconductor device and a manufacturing method of forming a passivation layer using a photoelectric chemical.
For this purpose, the semiconductor device in accordance with one embodiment, GaN layer; AlGaN layer formed on the GaN layer; p-GaN layer formed on the AlGaN layer; A gate electrode formed on the p-GaN layer; A source electrode, a drain electrode formed on a partial region of the AlGaN layer; And is formed on a partial region of the AlGaN layer, comprising: a passivation layer formed between the source electrode and the gate electrode or between the gate electrode and the drain, wherein the passivation layer is a part of the p-GaN layer oxide It is may be formed.
公开/授权文献:
- KR102080745B1 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 公开/授权日：2020-04-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT |