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1. 发明公开

KR1020060044385A 화합물 반도체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：制备化合物半导体的方法和制备半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020060044385A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020050022583
申请日：2005-03-18
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사또야스오 , 히노도모노리 , 나루이히로노부
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L31/1035 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L33/0062 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 기판과, 이 기판에 대하여 2% 이상의 격자 부정합비를 갖는 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체의 제조 방법에 있어서, 이 방법은 기판상에 격자 부정합비가 두께 방향으로 선정된 분포를 가지고 왜곡(strain)을 감소시키는 버퍼층을 형성하는 제1 에피택셜 성장 단계와; 버퍼층 상에 화합물 반도체층을 형성하는 제2 에피택셜 성장 단계를 포함한다. 이 제1 에피택셜 성장 단계는 600℃ 이하의 성장 온도(deposition temperature)에서 유기 금속 화학 기상 성장(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법에 의해 수행된다.
반도체 장치, 화합물 반도체, 격자 부정합비, 성장 온도

2. 发明授权

KR100339249B1 광학장치 失效
公开(公告)号：KR100339249B1
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：KR1019950703586
申请日：1994-12-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 도이마사도 , 나루이히로노부 , 사하라겐지 , 마쓰다오사무
IPC分类号： G11B7/127 , G11B7/131
摘要： 고, 발광부(1)로부터의 발광 광 L의 피조사부(被照射部)로부터의 귀환 광 L
R 을 수광부(4)로 수광하여 검출하는 광학 소자(21)를 가지고, 수광부(4)의 수광면에 대한 상기 귀환 광의 입사각 α을 0°

3. 发明公开

KR1020050094337A 수증기 산화 장치 失效
标题翻译：蒸汽氧化装置
公开(公告)号：KR1020050094337A
公开(公告)日：2005-09-27
申请号：KR1020047014720
申请日：2003-12-26
申请人： 소니 주식회사
发明人： 다나카요시유키 , 나루이히로노부 , 야마우치요시노리 , 와타나베요시아키 , 다나카사다오
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/31662
摘要： A steam oxidization apparatus capable of providing excellent controllability and reproducibility in the steam oxidation of an oxidized article stored in a reactor by suppressing the condensation of steam in steam entrained inert gas fed to the reactor. The steam oxidation apparatus (78) used when a current constricting structure is formed in a surface emitting laser element by steam- oxidizing a high A1 containing layer comprises the reactor (42) as a reactor device to perform steam oxidization, a steam entrained inert gas system feeding the steam entrained inert gas to the reactor (42), an inert gas system feeding inert gas to the reactor (42), a reactor bypass tube (52) bypassing the steam entrained inert gas system and the inert gas system to the reactor, and an exhaust system exhausting gas exhausted from the reactor (42). The steam oxidation apparatus (78) also comprises an H2O bubbler (60), a second gas tube (68), automatic open/close valves (66A to 66D), a third gas tube (70) near the automatic open/close valves (66A to 66D), and a constant temperature oven (72) storing a part of the reactor (42) on the gas inlet port (42A) side.
摘要翻译：一种蒸汽氧化装置，其能够通过抑制供给到反应器的蒸汽夹带的惰性气体中的蒸汽的冷凝来提供储存在反应器中的氧化物的蒸汽氧化中的优异的可控制性和再现性。当通过蒸汽氧化高含Al层在表面发射激光元件中形成电流收缩结构时使用的蒸汽氧化装置（78）包括作为反应器装置进行蒸汽氧化的反应器（42），蒸汽夹带的惰性气体将蒸汽夹带的惰性气体送入反应器（42）的系统，向反应器（42）供给惰性气体的惰性气体系统，绕过蒸汽夹带的惰性气体系统的反应器旁通管（52）和反应器的惰性气体系统以及排出从反应器（42）排出的气体的排气系统。蒸汽氧化装置（78）还包括H2O起泡器（60），第二气体管（68），自动打开/关闭阀（66A至66D），自动打开/关闭阀附近的第三气体管（70） 66A至66D）和将反应器（42）的一部分储存在气体导入口（42A）侧的恒温炉（72）。

4. 发明公开

KR1020010085668A 반도체 발광 장치의 제조 방법 및 반도체 발광 장치 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010085668A
公开(公告)日：2001-09-07
申请号：KR1020010010033
申请日：2001-02-27
申请人： 소니 주식회사
发明人： 히라타쇼지 , 나루이히로노부
IPC分类号： H01S3/02
CPC分类号： H01S5/164 , H01L33/0062 , H01S5/0207 , H01S5/1064 , H01S5/2081
摘要： PURPOSE: To provide a manufacturing method of semiconductor light emitting devices by which the device provided with a window structure can be obtained easily without requiring a high-level of processing technique. CONSTITUTION: This manufacturing method is for the semiconductor devices constituted by arranging semiconductor light emitting elements on a substrate 1. By patterning a first multilayered film 16 deposited on a substrate 1, a groove pattern P is formed, which is provided with a wide width part W1 having a wider opening width compared with that of each narrow width part W2 on both sides of the part W1. While covering the groove patterns P, a second multilayered film 26 is formed by epitaxial growth, in which an N-type second lower clad layer 22, a second active layer 23, a P-type second upper clad layer 24 and a P-type cap layer 45 are laminated in order. By patterning the cap layer 45, a current injection layer 25a is laid on the second multilayered film 46 in the groove pattern P and extended along the longitudinal direction of the groove pattern P.
摘要翻译：目的：提供一种可以容易地获得具有窗口结构的装置的半导体发光器件的制造方法，而不需要高水平的处理技术。构成：该制造方法是通过在基板1上配置半导体发光元件构成的半导体器件。通过图案化沉积在基板1上的第一多层膜16，形成凹槽图案P，其形成有宽宽度部分 W1与W1的两侧的每个窄宽度部分W2相比具有较宽的开口宽度。在覆盖沟槽图案P的同时，通过外延生长形成第二多层膜26，其中N型第二下包层22，第二有源层23，P型第二上覆层24和P型盖层45依次层叠。通过图案化盖层45，电流注入层25a铺设在槽图案P中的第二多层膜46上并沿着槽图案P的纵向方向延伸。

5. 发明授权

KR100266836B1 반도체레이저 失效
公开(公告)号：KR100266836B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019920006707
申请日：1992-04-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 나루이히로노부 , 히라다쇼지
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 본원 발명의 반도체레이저는 주면(主面)이 {100} 결정면으로 이루어지고 ＜011＞ 결정축방향으로 연장하는 스트라이프형의 메사돌기를 가진 기판을 구비한다. 제1의 하부클래드층과 제2의 상부클래드층이 기판상에 형성되고, 활성층이 제1 및 제2의 클래드층의 사이에 삽입된다. 제1 및 제2의 클래드층과 활성층은, 메사돌기의 양측으로부터 연장되고 메사돌기의 위에서 서로 맞닿는 2개의 경사면에 의해 단면 3각형상부와 이 단면 3각형상부의 양측으로 분단된다. 반도체레이저는 또한 단면 3각형상부의 양측에 형성된 전류블록층과, 이 전류블록층과 단면 3각형상부를 덮는 제3의 클래드층과, 이 제3의 클래드층상에 형성된 캡층을 가진다. 활성층이 발광할 수 있도록 공급전류가 대략 단면 3각형상부의 활성층을 통해 흐른다.

6. 发明公开

KR1019960701439A 광학장치 失效
公开(公告)号：KR1019960701439A
公开(公告)日：1996-02-24
申请号：KR1019950703586
申请日：1994-12-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 도이마사도 , 나루이히로노부 , 사하라겐지 , 마쓰다오사무
IPC分类号： G11B7/127 , G11B7/131
摘要： 발광부(1)와 수광부(4)가 공통의 기판(9)상에 근저배치되고, 발광부(1)로부터의 발광광 L의 피조사부(被照射部)로부터의 귀환된 L
R 을 수광부(4)에 의하여 수광검출하는 광학소자(21)를 가지고, 수광부(4)의 수광면에서의 상기 귀환광의 입사각
을 0
〈
〈90°로 한다.

7. 发明授权

KR101164240B1 면 발광 반도체 레이저 및 그 제조 방법 및 전자 소자의제조 방법 失效
标题翻译：表面发射半导体激光器及其制造方法和电子器件的制造方法
公开(公告)号：KR101164240B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020050047633
申请日：2005-06-03
申请人： 소니 주식회사
发明人： 와따나베요시아끼 , 나루이히로노부 , 구로미즈유이찌 , 야마우찌요시노리 , 다나까요시유끼
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18394 , H01S2301/166
摘要： 본 발명은, 싱글 가로 모드 모양의 단봉성 빔에서의 레이저 발진이 가능한 면 발광 반도체 레이저 및 그와 같은 면 발광 반도체 레이저를 용이하게 또한 높은 수율로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공한다. n형 반도체 기판(11) 위에 포스트형 메사 구조의 면 발광 반도체 레이저를 제조하는 경우에, 메사부를 형성하고, p측 전극(20) 및 n측 전극(23)까지 형성한 후, p측 전극(20) 및 n측 전극(23) 사이에 전압을 인가하여 출력광을 추출하면서 면 발광 반도체 레이저를 수증기 분위기에 노출시킴으로써, p형 DBR층(17)의 최상층의 p형 Al
w Ga
1-w As층(17b)에 Al 산화층(21)을 형성하여, 오목 렌즈 모양의 굴절율 분포를 형성한다.
반도체 기판, 반사층, 개구, 절연막, 단봉성 빔

8. 发明公开

KR1020060048158A 면 발광 반도체 레이저 및 그 제조 방법 및 전자 소자의제조 방법 失效
标题翻译：表面发射半导体激光器及其制造方法和电子器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020060048158A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050047633
申请日：2005-06-03
申请人： 소니 주식회사
发明人： 와따나베요시아끼 , 나루이히로노부 , 구로미즈유이찌 , 야마우찌요시노리 , 다나까요시유끼
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18394 , H01S2301/166
摘要： 본 발명은, 싱글 가로 모드 모양의 단봉성 빔에서의 레이저 발진이 가능한 면 발광 반도체 레이저 및 그와 같은 면 발광 반도체 레이저를 용이하게 또한 높은 수율로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공한다. n형 반도체 기판(11) 위에 포스트형 메사 구조의 면 발광 반도체 레이저를 제조하는 경우에, 메사부를 형성하고, p측 전극(20) 및 n측 전극(23)까지 형성한 후, p측 전극(20) 및 n측 전극(23) 사이에 전압을 인가하여 출력광을 취출하면서 면 발광 반도체 레이저를 수증기 분위기에 노출시킴으로써, p형 DBR층(17)의 최상층의 p형 Al
w Ga
1-w As층(17b)에 Al 산화층(21)을 형성하여, 오목 렌즈 모양의 굴절율 분포를 형성한다.
반도체 기판, 반사층, 개구, 절연막, 단봉성 빔

9. 发明公开

KR1020050010746A 박막 형성 장치 无效
公开(公告)号：KR1020050010746A
公开(公告)日：2005-01-28
申请号：KR1020047002262
申请日：2003-06-17
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사사끼고오지 , 나루이히로노부 , 야나시마가쯔노리 , 메메자와아끼히꼬
IPC分类号： H05B33/10 , C23C14/12 , C23C16/12
CPC分类号： C23C14/228 , C23C14/12
摘要： 기판 표면에 원료 가스가 균일하게 공급되고, 기판 표면에 형성되는 유기 박막의 막 두께를 균일하게 할 수 있는 박막 형성 장치이다. 진공 챔버(11)와, 진공 챔버(11) 내에 설치된 기판 홀더(12)와, 기판 홀더(12)의 기판 장착면(12a)을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 단부(22)를 구비한 박막 형성 장치이며, 가스 공급 단부(22)는 기판 장착면(12a)에 원료 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치이다.

10. 发明公开

KR1020040097898A 면발광형 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：平面放电型半导体激光器件，其中包括电流限制层及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040097898A
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：KR1020040032307
申请日：2004-05-07
申请人： 소니 주식회사
发明人： 구로미즈유이치 , 나루이히로노부 , 야마우치요시노리 , 다나카요시유키 , 와타나베요시아키
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/18311 , H01S5/305 , H01S5/343 , H01S2301/166
摘要： PURPOSE: A plane emission type semiconductor laser device including a current confinement layer and a fabricating method thereof are provided to restrain oxidation of a restrain high-Al-content layer by using a high-Al-content layer dependent on a density of an n-type impurity. CONSTITUTION: A plane emission type semiconductor laser device includes a lower reflector, a light emission layer, and an upper reflector having a current confinement layer. The plane emission type semiconductor laser device is formed on a stepped substrate(42) including an upper level part(42a), a stepped part(42b), and a lower level part(42c) lower than the upper level part and surrounding the upper level part with the step part therebetween. The current confinement layer(64) includes, on the upper side of the upper level part of the stepped substrate, a current injection region comprised of an unoxidized high-Al-content layer having substantially the same shape as the plan-view shape of the upper level part and substantially the same size as the size of the upper level part, The current confinement layer includes, as a current confinement region, an annular Al oxide layer(64B) obtained by oxidizing the high-Al-content layer around the current injection region. The high-Al-content layer is doped with an n-type impurity in an impurity concentration of 1x10¬17 to 1x10¬18 cm¬-3.
摘要翻译：目的：提供一种包括电流限制层及其制造方法的平面发射型半导体激光器件，其通过使用依赖于n型阱的密度的高Al含量层来抑制抑制高Al含量层的氧化。型杂质。构成：平面发射型半导体激光器件包括下反射器，发光层和具有电流限制层的上反射器。平面发射型半导体激光器件形成在包括上层部分（42a），阶梯部分（42b）和下层部分（42c）的阶梯式衬底（42）上，并且围绕上层其间具有台阶部分。电流限制层（64）在阶梯式衬底的上层部分的上侧包括由未氧化的高Al含量层构成的电流注入区域，其具有基本上与形状为上限部分和与上部部分的尺寸大致相同的尺寸。电流限制层包括通过围绕电流氧化高Al含量层而获得的环形Al氧化物层（64B）作为电流限制区域，注射区域。高Al含量层掺杂有杂质浓度为1×10 17至1×10 18 cm -3的n型杂质。

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