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1. 发明授权

KR101907229B1 연마용 조성물 및 그것을 이용한 연마 방법 有权
公开(公告)号：KR101907229B1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：KR1020137021964
申请日：2012-02-02
申请人： 니타 하스 인코포레이티드 , 가부시키가이샤 사무코
发明人： 데라모토마사시 , 오가타신이치 , 다니모토류이치
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , C09G1/02 , H01L21/02024 , H01L21/30604
摘要： 연마용조성물은, 연마입자를포함하지않고실리콘웨이퍼를연마하는연마용조성물로서, pH 완충제와, 연마촉진제와, 수용성고분자와, 블록형화합물을포함한다. 그결과, 연마용조성물을이용하여, 실리콘웨이퍼를연마함으로써, 0.1μm/min보다큰 연마속도가얻어진다.

2. 发明授权

KR101868657B1 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101868657B1
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR1020137022028
申请日：2012-01-18
申请人： 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
发明人： 츠치야,고스케 , 구보,메구미 , 다카하시,슈헤이
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1409 , H01L21/02024
摘要： 본발명은, 히드록시에틸셀룰로오스, 암모니아, 지립및 물을포함하는조성물 (A)와, 유기산및 유기산염으로부터선택되는적어도 1종을포함하는것을특징으로하는연마용조성물로서, 연마용조성물의전기전도도가조성물 (A)의전기전도도의 1.2배이상 8배이하인것을특징으로하는연마용조성물을제공한다. 이연마용조성물은기판의표면을연마하는용도에서주로사용된다.

3. 发明授权

KR101815502B1 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 有权
公开(公告)号：KR101815502B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020177005264
申请日：2015-05-13
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고자사카즈아키 , 스기모리카츠히사 , 고부치슌야
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/044 , B24B37/10 , H01L21/02024 , H01L21/30625
摘要： 초벌연마용연마액(224)을초벌연마용연마포(223)의연마면에공급하면서, 웨이퍼(W)의표면을연마하는제1 연마공정과, 상기제1 연마공정에이어서, 상기제1 연마공정을끝낸후의상기초벌연마용연마포(223)에수용성고분자를함유하는보호막형성용액(225)을공급하여, 상기웨이퍼(W)의피(被)연마면에상기보호막형성용액(225)을접촉시켜, 상기피연마면에보호막(W1)을형성하는보호막형성공정과, 마무리연마용연마액을상기초벌연마용연마포(223)와는상이한마무리연마용연마포의연마면에공급하면서, 상기웨이퍼(W)의보호막의형성면을연마하는제2 연마공정을구비한다.

4. 发明公开

KR1020170131244A 게터링성의 평가 방법 审中-实审
标题翻译：吸气性评估方法
公开(公告)号：KR1020170131244A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020170060955
申请日：2017-05-17
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 스케가와나오야 , 요코타료헤이 , 후와나루토
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , B24B37/00 , H01L21/02016 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L21/3221 , H01L22/24 , H01L23/544 , H01L29/34
摘要： (과제) 실제제품이될 수있는디바이스웨이퍼에대하여, 게터링성을간이하게평가할수 있도록한다. (해결수단) 웨이퍼의게터링성평가방법으로서, 연마휠을사용하여반도체웨이퍼표면의뒷쪽의이면을연마하여이면에연마흔을형성함과함께반도체웨이퍼의내부이면서연마흔의하부에게터링층을형성하는게터링층형성공정과, 연마흔이형성된이면의적어도단위영역을촬상수단 (31) 에의해촬상하는촬상공정과, 촬상된단위영역에있어서 10 ∼ 500 ㎚의 폭을갖는연마흔의수를계수하는계수공정과, 계수공정에의해계수된연마흔의수가소정값 이상인지여부를비교하는비교공정을포함한다.
摘要翻译：（问题）可以容易地评估可以是真实产品的器件晶片的吸杂性。一种评估晶片吸杂性能的方法，包括以下步骤：用抛光轮抛光半导体晶片背面的后表面以在半导体晶片的后表面上形成软磁底层，通过图像拾取装置（31）形成其上形成有软化部分的背面的背面的至少单位面积的步骤;形成宽度为10-500nm的多个沟槽的步骤并且比较步骤，比较由计数步骤计数的切线的数量是否等于或大于预定值。

5. 发明授权

KR101780844B1 벌크 규소를 연마하기 위한 조성물 및 방법 有权
标题翻译：用于抛光硅块的组合物和方法
公开(公告)号：KR101780844B1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020127029918
申请日：2011-04-06
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 라이스브라이언 , 화이트마이클 , 존스라몬 , 클라크존
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , B24B37/02 , B24B1/00 , B24B9/06 , C09G1/02 , H01L21/02
CPC分类号： B24B1/00 , B24B9/065 , B24B37/02 , C09G1/02 , H01L21/02021 , H01L21/02024
摘要： 본발명은 (a) 실리카, (b) 규소의제거속도를증가시키는하나이상의화합물, (c) 하나이상의테트라알킬암모늄염, 및 (d) 물을포함하고, pH가 7 내지 11인연마조성물에관한것이다. 본발명은기판을상기연마조성물로연마하는방법을추가로제공한다.
摘要翻译：本发明的（a）二氧化硅，（b）用于提高硅的移除速率，（c）一种或多种化合物包含至少一种四烷基铵盐，和（d）水，pH为约7至11的关系做组合物会的。本发明进一步提供了用抛光组合物抛光基材的方法。

6. 发明授权

KR101774850B1 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101774850B1
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020137028156
申请日：2012-04-03
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 사토,미치토
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L29/34 , H01L21/0201 , H01L21/02024
摘要： 본발명은, 연마시에외주에처짐이형성된반도체웨이퍼에있어서, 상기반도체웨이퍼의중심과외주처짐개시위치사이에서의상기반도체웨이퍼의두께방향의변위량이 100㎚이하이고, 상기반도체웨이퍼의중심이볼록한형상이고, 상기반도체웨이퍼의외주처짐량이 100㎚이하이며, 또한, 상기외주처짐개시위치가상기반도체웨이퍼의외주단으로부터 20㎜이상중심측또는 ESFQR의측정대상이되는상기반도체웨이퍼의외주부보다중심측인것을특징으로하는반도체웨이퍼를제공한다. 이에따라, 동일한가공조건으로, SFQR, ESFQR, ZDD, ROA, GBIR, SBIR 등의복수의평탄화도지표를동시에만족시킬수 있는반도체웨이퍼및 그제조방법을제공하는것을목적으로한다.

7. 发明授权

KR101768553B1 캐리어 플레이트 및 워크의 양면 연마 장치 有权
公开(公告)号：KR101768553B1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：KR1020167010779
申请日：2014-06-04
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 미우라토모노리
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/28 , H01L21/306 , H01L21/673 , H01L21/02
CPC分类号： B24B37/28 , H01L21/02024
摘要： 본발명의워크의양면연마장치용의캐리어플레이트는, 워크를보유지지하는 1개의보유지지공(孔)을갖고, 상기캐리어플레이트의적어도상면에, 상기보유지지공에의해구획되는상기캐리어플레이트의연부(緣部) 사이를연장하는, 복수개의주(主)홈을형성한것을특징으로한다. 또한, 본발명의워크의양면연마장치는, 상정반및 하정반을갖는회전정반과, 상기회전정반의중심부에형성된선 기어와, 상기회전정반의외주부에형성된인터널기어와, 상기상정반과상기하정반의사이에형성된, 상기캐리어플레이트를구비한것을특징으로한다.

8. 发明公开

KR1020170080616A 연마용 조성물 审中-实审
标题翻译：磨料成分
公开(公告)号：KR1020170080616A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020177014192
申请日：2015-10-30
申请人： 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
发明人： 다카하시슈헤이 , 도마츠마사토시
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC分类号： C09K3/1409 , B24B1/00 , B24B37/042 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/14 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L29/1608 , B24B37/00
摘要： 1500Hv 이상의비커스경도를갖는연마대상재료를연마하기위한연마용조성물이제공된다. 이연마용조성물은, 당해연마용조성물의산화환원전위 ORP[mV]와, 상기연마대상재료의산화환원전위 ORP[mV]의관계가, ORP-ORP≥100mV를만족한다.
摘要翻译：提供了用于抛光维氏硬度为1500Hv或更高的抛光材料的抛光组合物。在抛光组合物的氧化还原电位ORP [mV]和待抛光材料的氧化还原电位ORP [mV]之间的关系中，防锈膜用组合物满足ORP-ORP≤100mV。

9. 发明公开

KR1020170051442A 반도체 웨이퍼의 가공방법, 접합웨이퍼의 제조방법, 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 审中-实审
标题翻译：加工半导体晶片，键合晶片的制造方法，和外延晶片的生产过程
公开(公告)号：KR1020170051442A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020177006471
申请日：2015-08-19
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 미야자와,유키 , 키다,타카히로 , 타카노,토모후미
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12 , B24B21/04
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/02 , H01L21/02428 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/76254 , H01L22/26 , H01L27/12
摘要： 본발명은, 표면및 이면을갖고, 주연단부에, 표면측의면취면, 이면측의면취면, 및단면으로이루어진면취부를갖는반도체웨이퍼의표면측의면취면, 이면측의면취면, 단면, 및표면또는이면의면취면에인접하는최외주부의각 부를경면연마하는반도체웨이퍼의가공방법에있어서, 표면측의면취면을경면연마하는공정및 이면측의면취면을경면연마하는공정보다후에, 단면의경면연마및, 표면또는이면의최외주부의경면연마를동일공정에서행하고, 이동일공정에서행하는단면및 최외주부의경면연마에의해, 표면또는이면의최외주부의롤오프량을조정하는반도체웨이퍼의가공방법이다. 이에따라, 반도체웨이퍼의최외주부보다내측의형상을무너뜨리지않고, 최외주부에원하는처짐형상을정도좋게형성할수 있으며, 또한가공후의반도체웨이퍼의단면의형상이예리해지지않도록가공할수 있는반도체웨이퍼의가공방법이제공된다.
摘要翻译：本发明具有的前表面和后表面，圆周边缘的横截面，包括，前侧倒角表面，背面侧倒角表面，并在半导体晶片的表面侧的斜切表面具有倒角部时上侧的斜切表面，的横截面，并根据所述最外面的半导体晶片的加工方法，以反映邻近于表面或后表面的倒角表面的外周部的各部分的抛光，它是镜面抛光步骤和背面侧的斜切表面镜面研磨前的倒角表面的步骤之后，进行镜面研磨的半导体晶片，和在相同的工艺的端面的背面的最外部分的表面或镜面抛光的，通过执行yidongil处理部的镜面抛光，和最外部分，调整表面的最外部分或后表面的滚降量处理方法。 Yiettara，不扭曲的内侧比半导体晶片最外部分的形状，并且可以形成良好的程度在最外部分中的期望的偏转形状，并且处理的处理方法可半导体晶片，以便不成为更尖锐处理后的半导体晶片的端面的形状它现在可用。

10. 发明授权

KR101719029B1 연마용 조성물 및 린스용 조성물 有权
公开(公告)号：KR101719029B1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020137010085
申请日：2011-09-20
申请人： 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
发明人： 츠치야,고스케 , 다카하시,슈헤이
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/04 , C09G1/02 , H01L21/02
CPC分类号： C09K13/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/02052 , H01L21/30625
摘要： 본발명의실리콘웨이퍼용연마용조성물및 실리콘웨이퍼용린스용조성물은폴리옥시에틸렌부가물을포함하는비이온성계면활성제를포함한다. 폴리옥시에틸렌부가물의 HLB값은 8 내지 15이다. 폴리옥시에틸렌부가물의중량평균분자량은 1400 이하이다. 폴리옥시에틸렌부가물의옥시에틸렌평균부가몰수는 13 이하이다. 연마용조성물중 및린스용조성물중 폴리옥시에틸렌부가물의함유량은 0.00001 내지 0.1 질량%이다.

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