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1. 发明授权

KR101893277B1 SiC 기판의 잠상 깊이 추정 방법 有权
公开(公告)号：KR101893277B1
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：KR1020167022409
申请日：2015-03-10
申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤
发明人： 도리미사토시 , 야부키노리히토 , 노가미사토루
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/0201 , H01L21/02019 , H01L21/02024 , H01L21/0475 , H01L21/3065 , H01L29/1608
摘要： SiC 기판의잠상깊이추정방법은, 에칭공정과, 계측공정과, 추정공정을포함한다. 에칭공정에서는, 적어도표면이단결정 SiC로구성되고, 기계가공이행하여진후의 SiC 기판에대해서, Si 분위기하에서가열처리를행함으로써상기 SiC 기판의표면을에칭한다. 계측공정에서는, 에칭공정을행한 SiC 기판의표면거칠기또는잔류응력을계측한다. 추정공정에서는, 계측공정에서얻어진결과에근거하여, 에칭공정전의 SiC 기판의잠상의깊이또는잠상의유무를추정한다.

2. 发明授权

KR101822318B1 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트 有权
公开(公告)号：KR101822318B1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：KR1020167020061
申请日：2012-09-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 개프키이스윌리암 , 커멘댄트키이스 , 리치앤서니
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/30
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
摘要： 반도체플라즈마처리장치내의기판지지어셈블리를위한열적플레이트는,스케일링가능한다중화층 내에배열된다중의독립적으로제어가능한평면형열적존과, 상기평면형열적존을독립적으로제어하고전력을공급하기위한전자기술을포함한다. 각각의평면형열적존은열전기엘리먼트로서적어도하나의펠티에디바이스를사용한다. 상기열적플레이트가합체된기판지지어셈블리는정전기적클램핑전극층 및온도제어형베이스플레이트를포함한다. 상기열적플레이트를제조하는방법은평면형열적존을갖는세라믹또는폴리머시트와, 양전압라인, 음전압라인및 공통라인과, 비아 (via) 를포함한다.

3. 发明公开

KR1020170038113A 캐리어 헤드 멤브레인 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170038113A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020177008442
申请日：2009-03-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 백,영,진 , 바렌티네,멜빈 , 데사이,아브히지트,와이. , 엔구옌,하이 , 바트나가르,아쉬시 , 알라가르사미,라즈쿠말
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/67 , B24B37/30
CPC分类号： H01L21/6838 , B24B37/30 , H01L21/0201 , H01L21/30625 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612
摘要： 기판을평탄화하기위한방법및 장치가제공된다. 기판을단단히지지하기위한향상된커버를구비한기판캐리어헤드가제공된다. 이러한커버는그것내로피팅되는리세스보다큰 비드를가질수 있어서, 압축이리세스내부에서컨포멀밀봉을형성한다. 또한, 헤드는그루브의표면에대한비드의부착을향상시키도록코팅되지아니한채로남겨질수 있다. 커버의표면은비교착(non-stick) 코팅을이용하지아니하면서커버에대한기판의부착을감소시키도록거칠어질수 있다.

4. 发明公开

KR1020160054630A 캐리어 헤드 멤브레인 有权
标题翻译：改进的载体膜
公开(公告)号：KR1020160054630A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020167011653
申请日：2009-03-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 백,영,진 , 바렌티네,멜빈 , 데사이,아브히지트,와이. , 엔구옌,하이 , 바트나가르,아쉬시 , 알라가르사미,라즈쿠말
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/67 , B24B37/30
CPC分类号： H01L21/6838 , B24B37/30 , H01L21/0201 , H01L21/30625 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612
摘要： 기판을평탄화하기위한방법및 장치가제공된다. 기판을단단히지지하기위한향상된커버를구비한기판캐리어헤드가제공된다. 이러한커버는그것내로피팅되는리세스보다큰 비드를가질수 있어서, 압축이리세스내부에서컨포멀밀봉을형성한다. 또한, 헤드는그루브의표면에대한비드의부착을향상시키도록코팅되지아니한채로남겨질수 있다. 커버의표면은비교착(non-stick) 코팅을이용하지아니하면서커버에대한기판의부착을감소시키도록거칠어질수 있다.

5. 发明公开

KR1020160027588A 반도체 발광소자 有权
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160027588A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140115574
申请日：2014-09-01
申请人： 주식회사 세미콘라이트
发明人： 전수근
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/02 , H01L21/0201 , H01L21/02027 , H01L33/10 , H01L33/20
摘要： 본개시는반도체발광소자에있어서, 복수의반도체층, 반사층, 제1 전극및 제2 전극; 그리고, 복수의반도체층을기준으로반사층의반대측에구비되며, 육면체형상을가지는성장기판;으로서, 복수의반도체층이형성되는하면(a lower face), 하면과대향하는상면(an upper face), 하면과상면을이어주는일면(a face), 하면과상면을이어주는타면(another face), 일면의대향면(an opposite face to the face), 및타면의대향면(another opposite face to the another face)을가지며, 타면은일면보다길고, 타면은성장기판의결정면들중 하나와나란하게절단된면이고, 일면은결정면들과나란하지않게절단된면이며, 일면및 일면의대향면으로부터각각인접한복수의반도체층의측면까지의거리의합은타면및 타면의대향면으로부터각각인접합복수의반도체층의측면까지의거리의합과같거나큰 것을특징으로하는반도체발광소자에관한것이다.
摘要翻译：本公开涉及半导体发光器件。半导体发光器件包括多个半导体层，反射层，第一电极，第二电极和生长衬底，该衬底包括在反射层相对于多个半导体层的相对侧并且具有六面体形状。半导体发光器件包括其上形成有多个半导体层的下表面，面向下表面的上表面，用于连接下表面和上表面的表面，以及用于连接下表面和上表面，表面的相对表面和另一表面的另一相对表面。另一个表面比表面长。与生长基底的晶体表面中的一个平行地切割另一个表面。切割表面不与晶体表面平行。与表面和相对表面分别相邻的表面与表面的相对表面与半导体层的侧表面的距离的总和等于或大于与另一表面的距离之和另一表面的表面与半导体层的与另一个表面的另一个表面和另一个表面的另一相对表面独立相邻的侧表面。

6. 发明公开

KR1020140049278A 백화현상에 저항성이 있는 점착제 조성물 및 이를 이용한 전자 장치 无效
标题翻译：耐水性粘合剂组合物和使用其的电子设备
公开(公告)号：KR1020140049278A
公开(公告)日：2014-04-25
申请号：KR1020120115330
申请日：2012-10-17
申请人： (주)엘지하우시스
发明人： 김장순 , 최태이 , 팽주현
IPC分类号： C09J123/22 , C09J7/02 , H01L21/02
CPC分类号： C09J123/22 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/40 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/318 , H01L21/0201
摘要： The present invention relates to a whitening resistant adhesive composition and an electronic device using the same, and more specifically, to a whitening resistant adhesive composition and an electronic device using the same, wherein the composition has whitening resistance by improving barrier properties against water by including a rubber-based polymer.
摘要翻译：本发明涉及耐白化的粘合剂组合物和使用其的电子装置，更具体地，涉及耐白化的粘合剂组合物和使用其的电子装置，其中通过包括橡胶基聚合物。

7. 发明公开

KR1020110040737A 반도체 웨이퍼의 세정 및 마이크로-에칭방법 有权
标题翻译：清洗和微蚀刻半导体滤波器的方法
公开(公告)号：KR1020110040737A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020100100527
申请日：2010-10-14
申请人： 썬 케미칼 코포레이션
发明人： 바로버트케이. , 챈레이몬드
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0201 , H01L21/02052 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: A method for cleaning and micro-etching semiconductor wafers is provided to use a sufficient amount of an aqueous alkaline solution including 4 class ammonium-hydroxide, alkali metal hydroxide, and mid-level alkoxylate, thereby eliminating inorganic and organic contaminants from the semiconductor wafers. CONSTITUTION: A semiconductor ingot is provided. A semiconductor ingot including inorganic and organic contaminants is formed by cutting the semiconductor ingot. A semiconductor wafer is micro-etched. Aqueous alkaline cleaning and micro-etching compositions include at least one chelating agent.
摘要翻译：目的：提供一种清洁和微蚀刻半导体晶片的方法，使用足量的碱性水溶液，包括4级氢氧化铵，碱金属氢氧化物和中等级别的烷氧基化物，从而从半导体中消除无机和有机污染物晶圆。构成：提供半导体晶锭。通过切割半导体锭形成包括无机和有机污染物的半导体锭。半导体晶片被微蚀刻。水性碱性清洗和微蚀刻组合物包括至少一种螯合剂。

8. 发明公开

KR1020080109568A 리페어 장치의 팁 및 그 제조방법 失效
标题翻译：修理装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080109568A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070058041
申请日：2007-06-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김용대
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0201 , G03F1/60 , G03F1/72 , H01L21/0274
摘要： A tip of the repair apparatus and manufacturing method thereof are provided to make tip flexibly move in a defect site by the tension of a cantilever tip so that damage is not given on the defect peripheral area. A tip of the repair apparatus comprises a silicon substrate(230), a opening, and a cantilever tip. The opening is made of the outline pattern of rectangular in the silicon substrate. The cantilever tip is extended to an inner side from the fixed region of the outline pattern of opening. The cantilever tip is bended toward the upper direction of the silicon substrate.
摘要翻译：提供修复装置的尖端及其制造方法，以使端头通过悬臂尖端的张力灵活地移动到缺陷部位，从而不会对缺陷周边区域造成损伤。修复装置的尖端包括硅衬底（230），开口和悬臂尖端。开口由硅衬底中的矩形轮廓图形构成。悬臂尖端从开口轮廓图案的固定区域延伸到内侧。悬臂尖端朝着硅衬底的上方弯曲。

9. 发明授权

KR100848782B1 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템 失效
标题翻译： N2气体控制系统用于光电转换过程
公开(公告)号：KR100848782B1
公开(公告)日：2008-07-28
申请号：KR1020070083775
申请日：2007-08-21
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 강명길
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/7085 , G03F7/70858 , H01L21/0201
摘要： A nitrogen gas control system for a photoresist changing process is provided to prevent damage to a wafer caused by performing a post process at the state that nitrogen gas is compressed after the photoresist changing process, by blocking the supply of nitrogen gas automatically. A door switch(32) is installed at a predetermined position adjacent to an entrance of a semiconductor manufacturing apparatus for receiving a photoresist, and is switched according to the opening of the entrance. A relay(33) includes a coil for receiving current according to the switching state of the door switch and a relay switch to be switched by electromagnetic force. A solenoid valve(35) is formed to open/close an air supply path by using the electromagnetic force generated according to the current applied to the coil. A nitrogen gas air operation valve(40) is operated by the air flow in an opening state of the solenoid valve, in order to control the supply of nitrogen gas by opening/closing a nitrogen gas supply path.
摘要翻译：提供了一种用于光致抗蚀剂改变过程的氮气控制系统，以防止在光致抗蚀剂改变过程之后在氮气被压缩的状态下通过执行后处理而导致的晶片损坏，通过自动地阻止氮气供应。门开关（32）安装在与用于接收光致抗蚀剂的半导体制造装置的入口相邻的预定位置处，并且根据入口的开口被切换。继电器（33）包括用于根据门开关的开关状态接收电流的线圈和通过电磁力切换的继电器开关。电磁阀（35）形成为通过使用根据施加到线圈的电流产生的电磁力来打开/关闭供气路径。为了通过打开/关闭氮气供给路径来控制氮气的供给，在电磁阀的打开状态下，通过空气流动操作氮气空气运转阀（40）。

10. 发明授权

KR101722540B1 캐리어 헤드 멤브레인 有权
标题翻译：载体头膜
公开(公告)号：KR101722540B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020167011653
申请日：2009-03-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 백,영,진 , 바렌티네,멜빈 , 데사이,아브히지트,와이. , 엔구옌,하이 , 바트나가르,아쉬시 , 알라가르사미,라즈쿠말
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/67 , B24B37/30
CPC分类号： H01L21/6838 , B24B37/30 , H01L21/0201 , H01L21/30625 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612
摘要： 기판을평탄화하기위한방법및 장치가제공된다. 기판을단단히지지하기위한향상된커버를구비한기판캐리어헤드가제공된다. 이러한커버는그것내로피팅되는리세스보다큰 비드를가질수 있어서, 압축이리세스내부에서컨포멀밀봉을형성한다. 또한, 헤드는그루브의표면에대한비드의부착을향상시키도록코팅되지아니한채로남겨질수 있다. 커버의표면은비교착(non-stick) 코팅을이용하지아니하면서커버에대한기판의부착을감소시키도록거칠어질수 있다.
摘要翻译：提供了用于平坦化衬底的方法和设备。提供了一种具有用于牢固地支撑基板的改进的盖的基板载体头。这种覆盖物可以具有比嵌入其中的凹槽更大的凸缘，从而在压缩凹槽内形成保形密封。而且，头部可以不涂覆以改善珠子与凹槽表面的粘附。盖的表面可以被粗糙化以减少基材对盖的粘附而不使用不粘涂层。

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