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1. 发明授权

KR101832495B1 양면 연마 장치 有权
标题翻译：双面研磨装置
公开(公告)号：KR101832495B1
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR1020110125717
申请日：2011-11-29
申请人： 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤
发明人： 미야시타타다카즈 , 코야마쇼고
IPC分类号： B24B37/04 , B24B7/17 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/28
摘要： 양면연마장치에서, 슬러리공급구멍의일단부는, 연마플레이트의연마면을향해그 내경이점차증가하는암 테이퍼면을구비한다. 상기슬러리공급구멍에대응하는패드구멍은상기슬러리공급구멍을덮는연마패드에형성된다. 상기연마패드의에지는상기슬러리공급구멍내에위치된다. 상기암 테이퍼면과대면하는플랜지부가일단부에형성된고정파이프는상기슬러리공급구멍에고정된다. 상기패드구멍의에지는상기슬러리공급구멍의암 테이퍼면과상기고정파이프의플랜지부사이에끼여지지된다.
摘要翻译：在双面研磨装置中，研磨剂供给孔的一端具有内径朝向研磨板的研磨面逐渐增大的臂锥面。并且，在覆盖浆料供给孔的研磨垫上形成与浆料供给孔对应的垫孔。抛光垫的边缘位于浆料进料孔中。形成在凸缘部分的面向臂锥形表面的一端的固定管被固定到浆料供应孔。垫孔的边缘夹在浆料供给孔的臂锥形表面和固定管的凸缘部分之间。

2. 发明公开

KR20180017004A 워크의 가공장치 审中-公开
标题翻译：工件加工装置
公开(公告)号：KR20180017004A
公开(公告)日：2018-02-20
申请号：KR20177034812
申请日：2016-03-25
申请人： SHINETSU HANDOTAI KK
发明人： YASUDA TAICHI , SASAKI MASANAO
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28
摘要： 본발명은, 외주면에축방향으로형성된적어도 1개의제1 홈을갖는회전축주위로회전가능한센터드럼과, 가공하는워크를삽입하여유지하는유지구멍을갖는캐리어와, 워크를유지한캐리어를끼운상태로, 회전축주위로회전가능한상정반및 하정반과, 상정반의내주부에부착되고, 제1 홈에삽입한선단부를제1 축을따라이동가능한적어도 1개의훅을갖는워크의가공장치로서, 센터드럼은, 추가로, 외주면에축방향으로형성된적어도 1개의제2 홈을갖고, 이제2 홈은, 제1 홈과상이한길이를갖고, 상정반이워크의가공을행한위치보다상방이되는위치에서, 훅을하방으로부터지지하는지지면을갖는워크의가공장치이다. 이에따라, 워크의가공을행한위치보다상방이되는위치에서상정반을정지시켰을때, 상정반의연마면에대하여수직방향의힘이작용해도, 상정반을수평하게유지할수 있다.
摘要翻译：本发明中，并用保持孔的载体通过插入可旋转的中心滚筒，加工工作，对于保持与所述外周表面上沿轴向形成有至少一个第一槽与旋转轴的外周保持工件托架的夹持状态被附接到所述估计一半和hajeong一半，内周半假定围绕旋转轴线可旋转，在第一槽插入作为具有至少一个钩尽可能沿第一轴的工件的移动工作装置的一个前端部，一个中心滚筒，第二槽的长度与第一槽的长度不同，并位于加工工件的位置的上方位置。并从下面支持这项工作。 Yiettara，当停止假定为一半比经受位置的处理工件上方位置时，即使一个垂直力作用相对于所估计的抛光表面的一半，可以保持水平估计的一半。

3. 发明授权

KR101760355B1 양면 연삭 기계에서 매우 얇은 작업물을 재료 제거 가공하기 위한 방법 有权
公开(公告)号：KR101760355B1
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020117023576
申请日：2010-04-01
申请人： 페터 볼터스 게엠베하
发明人： 룬켈프랭크
IPC分类号： B24B7/17 , B24B37/28 , B24B49/12 , B24B7/22 , H01L21/304
CPC分类号： B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/28 , B24B49/12
摘要： 본발명은편평한캐리어(28)에분리가능하게고정되는매우편평한작업물(38)을연삭또는폴리싱가공하는방법에관한것이다. 작업물(38)은캐리어(28)와함께양면연삭기계(10)의적어도하나의로터디스크(22)의홈(23)안으로삽입되어양면연삭기계(10)의작업표면사이에서사이클로이드경로를따라움직이게된다. 양면연삭기계(10)의작업표면에서의제거율은동일하거나, 한가공면에서의제거율은반대측작업표면에서의제거율보다실질적으로작거나, 또는한 작업표면에서는재료제거가수행되지않는다. 일실시형태에서, 두작업물(38)이캐리어(28)에분리가능하게고정되는데, 즉상부면과하부면에고정된다.

4. 发明公开

KR1020160095071A 워크의 두께 측정 장치, 측정 방법, 및 워크의 연마 장치 审中-实审
标题翻译：工作厚度测量装置，测量方法和工件抛光装置
公开(公告)号：KR1020160095071A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020167017957
申请日：2015-01-09
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 후쿠하라후미야
IPC分类号： H01L21/66 , B24B49/12 , B24B37/28 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： B24B49/12 , B24B37/28 , H01L22/12 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L22/30
摘要： 본발명의워크의두께측정장치는, 연마후의워크의적어도일부를액체에침지하는액체침지기와대향하여배치되고, 상기워크의상기액체에침지된부분의표면까지의거리를측정가능한 2개이상의측정기를구비한다. 또한, 본발명의워크의두께측정방법은, 연마후의워크의적어도일부를액체에침지하는공정과상기워크의적어도일부가상기액체에침지된상태로, 상기워크를사이에끼우고대향하여배치되고상기워크의상기액체에침지된부분의표면까지의거리를측정가능한 2개이상의측정기에의해, 상기워크의두께를측정하는공정을포함한다. 본발명의워크의연마장치는, 상기측정장치또는측정방법에의해측정된, 상기워크의두께의정보를수취하는수신부와상기워크의두께의정보에기초하고, 연마레시피의변환또는연마조건의파라미터의보정을행하는연산부를구비한다.

5. 发明公开

KR1020160063362A 캐리어 플레이트 및 워크의 양면 연마 장치 有权
标题翻译：载体板和工件双面抛光装置
公开(公告)号：KR1020160063362A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020167010779
申请日：2014-06-04
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 미우라토모노리
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/28 , H01L21/306 , H01L21/673 , H01L21/02
CPC分类号： B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/67383
摘要： 본발명의워크의양면연마장치용의캐리어플레이트는, 워크를보유지지하는 1개의보유지지공(孔)을갖고, 상기캐리어플레이트의적어도상면에, 상기보유지지공에의해구획되는상기캐리어플레이트의연부(緣部) 사이를연장하는, 복수개의주(主)홈을형성한것을특징으로한다. 또한, 본발명의워크의양면연마장치는, 상정반및 하정반을갖는회전정반과, 상기회전정반의중심부에형성된선 기어와, 상기회전정반의외주부에형성된인터널기어와, 상기상정반과상기하정반의사이에형성된, 상기캐리어플레이트를구비한것을특징으로한다.

6. 发明授权

KR101494912B1 래핑 캐리어 및 방법 有权
标题翻译：研磨载体和方法
公开(公告)号：KR101494912B1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020097010304
申请日：2007-11-19
申请人： 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
发明人： 플레처,티모씨디. , 크리스천슨,토드제이. , 로메로,빈센트디. , 스벤텍,브루스에이.
IPC分类号： B24B37/28 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/28
摘要： 제1 주 표면, 제2 주 표면 및 적어도 하나의 작업편 유지용 개구를 구비한 베이스 캐리어를 포함하고, 상기 개구는 제1 주 표면으로부터 베이스 캐리어를 통해 제2 주 표면으로 연장되고, 베이스 캐리어는 제1 금속을 포함하고, 상기 개구의 원주는 제1 금속으로 구성된 베이스 캐리어의 제3 표면에 의해 한정되고, 제1 주 표면의 적어도 일부 또는 제1 및 제2 주 표면 각각의 적어도 일부는 중합체 영역을 포함하며, 상기 중합체 영역은 적어도 10 주울의 파손일을 갖는 중합체를 포함하는 양면 래핑 캐리어가 제공된다. 또한, 래핑 방법이 제공된다.
캐리어, 중합체, 래핑, 폴리싱, 그라인딩, 연마

7. 发明授权

KR101356997B1 반도체 웨이퍼의 양두연삭장치용 정압패드, 이것을 포함하는 양두연삭장치, 및 이것을 이용한 양두연삭방법 有权
标题翻译：用于半导体滤波器的双面磨床的静压板，包括这种静压垫的双面磨床和使用这种静压垫的双面研磨方法
公开(公告)号：KR101356997B1
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020087013523
申请日：2006-11-01
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오이시히로시 , 코바야시켄지
IPC分类号： B24B37/28 , H01L21/304 , B24B7/17 , B82Y99/00
CPC分类号： B24B37/28 , B24B7/228 , B24B49/16
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼의 양두연삭장치에 있어서, 원료 웨이퍼의 양면에 공급된 유체의 정압에 의해 상기 원료 웨이퍼를 그 양면에서 비접촉 지지하는 정압패드로서, 이 정압패드의 원료 웨이퍼를 지지하는 측의 표면에 형성된 포켓을 둘러싸는 돌출부인 랜드의 패턴이, 상기 원료 웨이퍼를 지지하기 위하여 필요한 외주의 랜드 패턴은 상기 원료 웨이퍼의 자전 중심에 대하여 동심원 형상이고, 이 외주의 랜드 패턴보다 내측에 있는 랜드 패턴은 상기 원료 웨이퍼의 자전중심에 대하여 비동심원 형상이고, 또한 상기 정압패드를 이등분하는 모든 직선에 대하여 비대칭인 것을 특징으로 하는 정압패드이다.
이것에 의해, 양두연삭 후의 웨이퍼의 나노토포그라피를 평균한 평균치 성분의 「중간 링」을 최소화할 수 있는 반도체 웨이퍼의 양두연삭장치 및 양두연삭방법이 제공된다.
반도체, 양두, 연삭, 패드, 랜드패턴, 나노토포그라피

8. 发明授权

KR101256310B1 양면 연마 장치의 가공층을 트리밍하는 트리밍 방법 및 트리밍 장치 有权
标题翻译：用于调整双面磨床的工作层的方法和装置
公开(公告)号：KR101256310B1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110074148
申请日：2011-07-26
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 피취게오르그 , 커슈탄미카엘
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
摘要： 본 발명은 트리밍 디스크, 복수 개의 트리밍 본체 및 외측 치형부를 포함하는 하나 이상의 트리밍 장치를 사용하여, 연마재가 결합되어 있고 평평한 공작물의 양면 동시 처리를 위한 그라인딩 장치에 있는 상부 가공 디스크와 하부 가공 디스크의 서로 대향하는 면 상에 적용되는 2개의 가공층을 트리밍하는 방법 및 장치로서, 하나 이상의 트리밍 장치는 롤링 장치와 외측 치형부에 의해, 소정 압력을 받고 연마 작용을 하는 물질을 포함하지 않는 냉각 윤활제가 첨가되는 상태로 가공층에 대해 사이클로이드 경로를 형성하도록 회전하는 가공 디스크들 사이에서 이동되며, 트리밍 본체는 가공층과 접촉할 시에 연마재 물질을 방출하고, 이에 따라 비결합 입자에 의한 가공층으로부터의 재료 제거를 실시하는 것인 가공층의 트리밍 방법 및 장치에 관한 것이다. 이러한 방법을 향상시키기 위한 복수 개의 조치가 구현된다.
트리밍 본체는 트리밍 디스크 상에서 폭이 정해진 링 형상 영역 내에 배치된다. 트리밍 디스크의 외측 치형부는 트리밍 디스크에 대해 높이 조정 가능하다. 그라인딩 장치에 있는 모든 구동부의 회전 방향은 트리밍 또는 드레싱 동안에 2회 이상 변경된다. 2개의 가공층의 사전에 측정된 형상 프로파일에 따라, 하부 가공층과 상부 가공층으로부터 재료 제거량은 서로 독립적으로 변할 수 있다.

9. 发明授权

KR101209271B1 양면 연마 장치와 양면 연마 장치용 캐리어 有权
标题翻译：双面抛光装置和双面抛光装置用托架
公开(公告)号：KR101209271B1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：KR1020090077525
申请日：2009-08-21
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이치복 , 조희돈
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28
摘要： 상기본 발명에의하면, 상정반또는하정반의가변적인물리적상태등을효과적으로양면연마공정에반영할수 있어더욱향상된품질의연마공정을수행할수 있음은물론, 더욱경제적인양면연마장치를제공할수 있다.

10. 发明公开

KR1020120127507A 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光硅溶液及其抛光液的方法
公开(公告)号：KR1020120127507A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020127024384
申请日：2011-03-23
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 오가타신이치 , 다니모토류이치 , 야마사키이치로 , 미쿠리야슌스케
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08 , B24B37/245 , B24B37/28
摘要： Disclosed is a method for polishing a silicon wafer, wherein a surface to be polished of a silicon wafer is rough polished, while supplying a polishing liquid, which is obtained by adding a water-soluble polymer to an aqueous alkaline solution that contains no free abrasive grains, to a polishing cloth. Consequently, the surface to be polished can be polished at high polishing rate and the flatness of the edge portion including roll-off and roll-up can be controlled.

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