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1. 发明授权

KR101885394B1 포토리소그래피 마스크에 의해 처리된 웨이퍼 상의 오류를 교정하기 위한 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR101885394B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020137017957
申请日：2011-12-02
申请人： 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 , 칼 짜이스 에스엠에스 엘티디
发明人： 바이에르,디르크 , 디미트리에브,블라디미르 , 샤로니,오피르 , 베르츠만,나다프
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/84 , G03F7/7035 , G03F7/70466 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要： 본발명은적어도하나의포토리소그래피마스크에의해처리된웨이퍼상의적어도하나의오류를교정하기위한방법에관한것이고, 상기방법은: (a) 웨이퍼처리사이트에서웨이퍼상의상기적어도하나의오류를측정하는단계; 및 (b) 상기적어도하나의포토리소그래피마스크에국부적으로지속적인수정부의적어도하나의배치를도입함으로써상기적어도하나의포토리소그래피마스크를변형시키는단계를포함한다.

2. 发明公开

KR20180072768A 패터닝 공정 오차를 보정하는 장치 및 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180072768A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20187014221
申请日：2016-09-27
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： TEN BERGE PETER , MULKENS JOHANNES CATHARINUS HUBERTUS , KASTRUP BERNARDO , VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS
IPC分类号： G03F1/72 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/72
摘要： 패터닝시스템에서의패터닝디바이스에관한측정및/또는시뮬레이션결과에기초하여제 1 기판의영역이핫 스폿(710)을포함함을식별하는단계, 핫스폿에서의제 1 오차정보(720)를결정하는단계, 및컴퓨터시스템에의하여, 수정된패터닝디바이스를얻기위해제 1 오차정보에기초하여패터닝디바이스를수정하는제 1 수정정보(상기정보는 740에서패터닝디바이스와함께패터닝수정툴로전달됨)를생성하는단계(730)를포함하는방법이개시된다.

3. 发明公开

KR1020170131273A 고종횡비 구조물에서 잔해물 제거 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170131273A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020170062373
申请日：2017-05-19
申请人： 레이브 엘엘씨
发明人： 로빈슨,토드에반 , 어루자,버나브제이. , 로슬러,케네쓰길버트 , 브린클리,데이빗 , 르클레어,제프리이.
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/72 , B08B7/0028 , G01N23/2252 , G01N23/2273 , G01N2021/95676 , G01N2223/6116 , G01N2223/652 , G01Q20/02 , G01Q60/42 , G01Q70/12 , G01Q80/00
摘要： 나노가공공정에서사용되는팁으로부터잔해물을수집하고분석하기위한잔해물수집및 계측시스템이개시되고, 상기시스템은방사선소스, 방사선검출기, 액추에이터및 제어기를포함한다. 상기방사선소스는상기입사방사선을상기팁 상으로지향시키도록동작가능하고, 상기방사선검출기는상기팁으로부터샘플방사선을수신하도록동작가능하고, 상기샘플방사선은입사방사선이직접상기팁에인가된결과생성된다. 상기제어기는액추에이터시스템과방사선검출기에동작가능하게결합되고, 상기제어기는상기샘플방사선에대한상기방사선검출기의제1 응답에기초하여제1 신호를수신하도록동작가능하고, 상기제어기는상기제1 신호에기초하여상기방사선소스와상기방사선검출기중 적어도하나와상기팁 사이의상대운동을수행시키도록동작가능하다.

4. 发明公开

KR1020170101149A 포토리소그래피 마스크의 재료 부재의 결함을 영구적으로 수리하는 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于永久修复光刻掩模的材料构件中的缺陷的方法和设备
公开(公告)号：KR1020170101149A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020170024826
申请日：2017-02-24
申请人： 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
发明人： 오스터,옌스 , 코르니로프,킹아 , 브렛,트리스탄 , 슈나이더,홀스트 , 호프만,톨스텐
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/48
CPC分类号： G03F1/72 , C23C14/048 , C23C14/083 , C23C14/085 , C23C14/10 , C23C14/221 , C23C14/548 , C23C14/5873 , C23C16/047 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/56 , G03F1/26 , H01J37/30
摘要： 본출원은포토리소그래피마스크(105, 210, 220)의재료부재의결함(260, 270, 280)을영구적으로수리하는방법에관한것이며, 상기방법은: (a) 상기포토리소그래피마스크(105, 210, 220)의수리될위치에적어도하나의탄소함유전구체가스및 적어도하나의산화제를제공하는단계; (b) 재료부재의위치에재료를퇴적하도록재료부재의위치에적어도하나의에너지원(127)의도움으로적어도하나의탄소함유전구체가스의반응을시작시키는단계 - 상기퇴적된재료(460, 670, 880)는반응된적어도하나의탄소함유전구체가스의적어도하나의반응산물을포함함 - ; 및 (c) 상기퇴적된재료(460, 670, 880)의탄소비율을최소화하도록상기적어도하나의산화제의가스체적유랑을제어하는단계를포함한다.
摘要翻译：本申请涉及一种方法，用于永久修复光刻掩模（105，210，220）的材料bujaeui缺陷（260，270，280），所述方法包括：（a）所述光刻掩模（105，210，在待修复的含碳前体气体的位置处提供至少一种含碳前体气体和至少一种氧化剂; 该材料（B）的步骤，以启动至少一个所述前体气体反应以bujaeui含碳至少一个能量源（127）旨在帮助材料bujaeui位置的位置处沉积材料，其中沉积材料（460，670，880 ）包含至少一种已经反应的含碳前体气体的至少一种反应产物; 和（c）控制所述至少一种氧化剂的气体体积徘徊，以便最小化材料的积聚（460，670，880）uitan消耗的步骤。

5. 发明公开

KR1020170097133A 패터닝 디바이스 토포그래피 유도 위상을 이용하는 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：使用图案化装置形貌诱导相的装置和方法
公开(公告)号：KR1020170097133A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020177019761
申请日：2015-11-26
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 파인더,조제프,마리아
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/201 , G02B17/0652 , G02B17/0657 , G03F1/72 , G03F7/70125 , G03F7/70275 , G03F7/705
摘要： 리소그래피패터닝디바이스의 3-차원토포그래피의속성들을측정하는단계 -패터닝디바이스는패턴을포함하고, 리소그래피투영시스템에서방사선투영빔의단면에패턴을생성하도록구성되고배치됨- , 측정된속성들로부터발생하는파면위상효과들을계산하는단계, 리소그래피투영시스템의리소그래피모델에계산된파면위상효과들을통합하는단계, 및계산된파면위상효과들을통합한리소그래피모델에기초하여리소그래피투영시스템을이용한이미징작동시 사용되는파라미터들을결정하는단계를포함하는방법이개시된다.
摘要翻译：测量光刻图案形成装置的三维形貌的特性，所述图案形成装置包括图案并被配置和布置成在光刻投影系统中的投影光束的横截面中产生图案，计算波前相位效应，将计算出的波前相位效应整合到光刻投影系统的光刻模型中，并基于包含计算的波前相位效应的光刻模型使用光刻投影系统计算用于成像操作中的参数该方法包括以下步骤：

6. 发明授权

KR101737016B1 포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법 有权
公开(公告)号：KR101737016B1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150148822
申请日：2015-10-26
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 김영중 , 황대순 , 박일현
IPC分类号： G03F1/72 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01L21/033 , H01L21/268
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01L21/033 , H01L21/268
摘要： 본발명의실시예는반도체공정에서사용되는포토마스크의수선이필요한경우, 레이저빔을통한가스의해리를통해포토마스크를수선하는포토마스크수선시스템및 수선방법을제공한다. 개시된포토마스크수선시스템은내부에수선하고자하는포토마스크가마련되는챔버; 상기챔버내부를진공으로유지시키기위한진공장치; 상기챔버내에식각가스(etching gas) 및패시베이션가스(passivation gas)를공급하는가스공급장치; 및상기챔버내에서상기포토마스크중 수선하고자하는부분에레이저빔을조사하여상기챔버내의식각가스를해리시키는레이저조사장치;를포함하고, 상기패시베이션가스는상기수선하고자하는부분에흡착되어상기수선하고자하는부분을균일하게식각한다.

7. 发明公开

KR1020170049457A 패턴 검사 방법 및 패턴 검사 장치 无效
标题翻译：模式检查方法和模式检查设备
公开(公告)号：KR1020170049457A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160141939
申请日：2016-10-28
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 이노우에타카후미 , 키쿠이리노부타카
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/66 , G03F1/84 , G03F1/72
CPC分类号： G01N23/2251 , G01N2223/6116 , G06T5/002 , G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/2826 , G03F7/70483 , G03F1/72 , G03F1/84 , H01L22/12 , H01L22/30
摘要： 본발명의일 태양의패턴검사방법은, 복수의전자빔이소정의피치로배치된멀티빔을이용해복수의도형패턴이형성된피검사기판상을주사하여, 멀티빔이조사된것에기인하여피검사기판으로부터방출되는반사전자를포함하는 2 차전자군을검출하고, 멀티빔의빔마다상기빔이주사한제1 영역에대응되는 2 차전자의검출신호로부터얻어지는제1 영역상의왜곡을개별적으로보정하고, 빔마다개별적으로제1 영역상의왜곡이보정된각 제1 영역상의데이터를이용하여제1 영역보다큰 제2 영역단위로제2 영역상의왜곡을보정하고, 제2 영역상의왜곡이보정된피검사화상을피검사화상과동일한영역의참조화상을이용하여비교하고, 결과를출력하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的一个方面的图案检查方法是一种用于通过使用以多个电子束的间距布置的多光束来检查在其上形成有多个图案图案的测试对象板上的图案的方法，并且，根据对应于光束漂移剂1的区域的二次电子的检测信号获得的第一区域上的失真针对多束光束中的每一个光束被单独地校正，通过使用关于第一区域上的失真被校正的第一区域中的每一个的数据校正比第一区域大的第二区域的失真，使用与图像相同区域的参考图像进行比较，并输出结果。

8. 发明公开

KR1020170043107A 마스크 리페어를 위한 내구성 있는 금속 필름 퇴적 审中-实审
标题翻译：用于面罩修复的耐用金属薄膜沉积
公开(公告)号：KR1020170043107A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：KR1020170047284
申请日：2017-04-12
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 후앙옌카이 , 추유안치
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/74 , H01L21/0337 , H01L21/0273
摘要： 반도체마스크를리페어하기위한방법및 툴이제공된다. 방법은리페어툴을포함하는리페어챔버내에반도체마스크를배치시키는단계, 및리페어챔버내에제 1 가스및 제 2 가스를공급하는단계를포함한다. 제 1 가스는반도체마스크상의결함을리페어하기위한리페어물질을포함하고, 제 2 가스는극성가스를포함하는것으로, 반도체마스크상의리페어물질의퇴적을돕는다. 방법은리페어툴이결함의부위에서리페어물질을퇴적하여반도체마스크를리페어하기위해제 1 가스및 제 2 가스와상호작용하도록리페어툴을활성화시키는단계, 및리페어챔버로부터리페어된반도체마스크를제거하는단계를더 포함한다. 퇴적된리페어물질의치수는대략 32 나노미터보다작다.
摘要翻译：提供了修复半导体面罩的方法和工具。该方法包括将半导体掩模设置在包括修复工具的修复室中，并且将第一气体和第二气体供应到修复室中。第一气体包括用于修复半导体掩模上的缺陷的修复材料，并且第二气体包括极性气体以辅助将修复材料沉积在半导体掩模上。该方法包括以下步骤：激活修复工具以与第一气体和第二气体相互作用以将修复材料沉积在缺陷的位置处以修复半导体掩模，并且从修复室移除修复的半导体掩模它包括reuldeo。沉积的修复材料的尺寸小于约32纳米。

9. 发明公开

KR1020160134783A 광학 부품 및/또는 웨이퍼의 미리 정해진 3차원 윤곽을 생성하는 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译： / 3用于产生光学部件和/或波形的预定三维轮廓的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160134783A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020167028830
申请日：2015-03-24
申请人： 칼 짜이스 에스엠에스 엘티디 , 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
发明人： 드미트리브,블라디미르 , 게,번드
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F7/00 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70283 , B82Y40/00 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F7/0002 , G03F7/70316 , G03F7/70591 , G21K1/062 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要： 본발명은구성부품및/또는웨이퍼의미리정해진 3차원윤곽을생성하는방법에관한것이며, 이방법은, (a) 상기미리정해진 3차원윤곽으로부터상기구성부품및/또는상기웨이퍼의기존 3차원윤곽의편차를결정하는단계; (b) 상기미리정해진 3차원윤곽으로부터상기 3차원윤곽의상기결정된기존편차를정정하기위한레이저펄스를정의하는하나이상의파라미터세트를갖는적어도하나의 3차원배열의레이저펄스를계산하는단계; 및 (c) 상기미리정해진 3차원윤곽을생성하기위해, 계산된적어도하나의 3차원배열의레이저펄스를상기광학부품및/또는상기웨이퍼에가하는단계를포함한다.
摘要翻译：用于产生部件和/或晶片的预定三维轮廓的方法包括：（a）确定部件和/或晶片的现有三维轮廓与预定三维轮廓的偏差; （b）计算具有一个或多个限定激光脉冲的参数集的激光脉冲的至少一个立体布置，用于将所确定的三维轮廓的现有偏差与预定的三维轮廓进行校正; 和（c）将所计算的激光脉冲的至少一个三维布置应用于所述部件和/或所述晶片以产生所述预定的三维轮廓。

10. 发明公开

KR1020150110276A 향상된 결함 복원성을 갖는 집적 회로를 제조하는 방법 有权
标题翻译：一种整合电路的制作方法，具有增强的缺陷修复能力
公开(公告)号：KR1020150110276A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020140153649
申请日：2014-11-06
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 루이언청 , 위신성 , 천정홍 , 이언안쏘니
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/24 , G03F7/701 , G03F7/70191 , G03F7/7065 , H01L21/0275
摘要： 본발명은극자외선리소그래피(extreme ultraviolet lithography: EUVL0 프로세스를위한방법의일 실시예를제공한다. 방법은리소그래피시스템에마스크를로딩하는것을포함한다. 마스크는결함-복원된영역을포함하고, 집적회로(integrated circuit: IC) 패턴을그 위에형성한다. 방법은 IC 패턴에따라조명모드에서리소그래피시스템의조명기를설정하는것, 조명모드에따라리소그래피시스템에동공필터를구성하는것 및조명모드에서리소그래피시스템에의해동공필터및 마스크로타겟에리소그래피노광프로세스를수행하는것을또한포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方案，提供了一种用于极紫外光刻（EUVL）方法。该方法包括将掩模加载到光刻系统的步骤。掩模包括缺陷修复区域并且在其上限定集成电路（IC）图案。该方法还包括以下步骤：根据IC图案在照明模式下设置光刻系统的照明器; 根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤光器; 以及在所述照明模式下通过所述光刻系统对所述掩模和所述瞳孔滤光器对目标进行光刻曝光处理。

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