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1. 发明授权

KR101854937B1 플라즈마 처리 챔버들에서 기생 플라즈마 방지 有权
公开(公告)号：KR101854937B1
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR1020137002011
申请日：2011-07-18
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리치앤서니 , 울랄사우랍 , 마르티네즈래리
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32798 , H01L21/6833 , Y10T156/10
摘要： 플라즈마처리챔버의부품에서공극공간들내 기생플라즈마는슬리브와함께공극공간들의내부에전기전도성의표면을덮는것에의하여제거될수 있다. 공극공간들은상부전극및 기판지지체와같은챔버부품내의가스홀들, 리프트핀 홀들, 헬륨통로들, 도관들및/또는플리넘일수 있다.

2. 发明授权

KR101643828B1 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트 有权
标题翻译：具有用于半导体加工的平面热区的热板
公开(公告)号：KR101643828B1
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020147010282
申请日：2012-09-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 개프키이스윌리암 , 커멘댄트키이스 , 리치앤서니
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/30
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
摘要： 반도체플라즈마처리장치내의기판지지어셈블리를위한열적플레이트는,스케일링가능한다중화층 내에배열된다중의독립적으로제어가능한평면형열적존과, 상기평면형열적존을독립적으로제어하고전력을공급하기위한전자기술을포함한다. 각각의평면형열적존은열전기요소로서적어도하나의펠티에디바이스를사용한다. 상기열적플레이트가합체된기판지지어셈블리는정전기적클램핑전극층 및온도제어형베이스플레이트를포함한다. 상기열적플레이트를제조하는방법은평면형열적존을갖는세라믹또는폴리머시트와, 양전압라인, 음전압라인및 공통라인과, 비아 (via) 를포함한다.

3. 发明公开

KR1020160091456A 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트 审中-实审
标题翻译：具有用于半导体处理的平面热区的热板
公开(公告)号：KR1020160091456A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020167020061
申请日：2012-09-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 개프키이스윌리암 , 커멘댄트키이스 , 리치앤서니
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/30
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165 , H01L21/683 , H01L21/30 , H01L21/324 , H01L21/6833
摘要： 반도체플라즈마처리장치내의기판지지어셈블리를위한열적플레이트는,스케일링가능한다중화층 내에배열된다중의독립적으로제어가능한평면형열적존과, 상기평면형열적존을독립적으로제어하고전력을공급하기위한전자기술을포함한다. 각각의평면형열적존은열전기엘리먼트로서적어도하나의펠티에디바이스를사용한다. 상기열적플레이트가합체된기판지지어셈블리는정전기적클램핑전극층 및온도제어형베이스플레이트를포함한다. 상기열적플레이트를제조하는방법은평면형열적존을갖는세라믹또는폴리머시트와, 양전압라인, 음전압라인및 공통라인과, 비아 (via) 를포함한다.
摘要翻译：用于在半导体等离子处理装置的基板支撑组件的热板，刻度被布置在所述复用层独立地控制独立可控的面方向的导热区和含有该电子用于供电的面方向的导热区。每个平面热区使用至少一个珀尔帖装置作为热电元件。包含热板的衬底支撑组件包括静电夹持电极层和温控基板。制造热板的方法包括具有平面热区和正电压线，负电压线和公共线以及通孔的陶瓷或聚合物片。

4. 发明公开

KR1020140063840A 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트 有权
标题翻译：具有用于半导体加工的平面热区的热板
公开(公告)号：KR1020140063840A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020147010282
申请日：2012-09-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 개프키이스윌리암 , 커멘댄트키이스 , 리치앤서니
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/30
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165 , H01L21/683 , H01L21/30 , H01L21/324 , H01L21/6833
摘要： 반도체 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지 어셈블리를 위한 열적 플레이트는,스케일링 가능한 다중화 층 내에 배열된 다중의 독립적으로 제어가능한 평면형 열적 존과, 상기 평면형 열적 존을 독립적으로 제어하고 전력을 공급하기 위한 전자 기술을 포함한다. 각각의 평면형 열적 존은 열전기 요소로서 적어도 하나의 펠티에 디바이스를 사용한다. 상기 열적 플레이트가 합체된 기판 지지 어셈블리는 정전기적 클램핑 전극 층 및 온도 제어형 베이스 플레이트를 포함한다. 상기 열적 플레이트를 제조하는 방법은 평면형 열적 존을 갖는 세라믹 또는 폴리머 시트와, 양 전압 라인, 음 전압 라인 및 공통 라인과, 비아 (via) 를 포함한다.

5. 发明授权

KR101822318B1 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트 有权
公开(公告)号：KR101822318B1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：KR1020167020061
申请日：2012-09-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 개프키이스윌리암 , 커멘댄트키이스 , 리치앤서니
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/30
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
摘要： 반도체플라즈마처리장치내의기판지지어셈블리를위한열적플레이트는,스케일링가능한다중화층 내에배열된다중의독립적으로제어가능한평면형열적존과, 상기평면형열적존을독립적으로제어하고전력을공급하기위한전자기술을포함한다. 각각의평면형열적존은열전기엘리먼트로서적어도하나의펠티에디바이스를사용한다. 상기열적플레이트가합체된기판지지어셈블리는정전기적클램핑전극층 및온도제어형베이스플레이트를포함한다. 상기열적플레이트를제조하는방법은평면형열적존을갖는세라믹또는폴리머시트와, 양전압라인, 음전압라인및 공통라인과, 비아 (via) 를포함한다.

6. 发明公开

KR1020170100435A 극저온 웨이퍼 온도들을 활용하는 이온 빔 에칭 审中-实审
标题翻译：利用低温晶片温度的离子束蚀刻
公开(公告)号：KR1020170100435A
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020170023873
申请日：2017-02-23
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 릴토르스텐 , 베리3세이반엘. , 리치앤서니
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L43/12 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L43/08 , H01J37/32422 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L27/222 , H01L43/12
摘要： 본명세서의실시예들은반도체기판들에서피처들을에칭하기위한방법들및 장치에관한것이다. 다수의경우들에서, STT-RAM (spin-torque-transfer random access memory) 디바이스를형성하는동안피처들이에칭될수도있다. 다양한실시예들에서, 기판은특정한프로세싱단계들동안냉각된기판지지부를통해저온으로냉각될수도있다. 냉각된기판지지부는발생되는디바이스에서발산-관련손상도저감의면에서유리한영향들을가질수도있다. 또한, 특정한다른프로세싱단계들동안비냉각기판지지부의사용은특정한단계에따라, 발산-관련손상저감의면에서유사하게유리한영향들을가질수 있다. 일부구현예들에서, 냉각된기판지지부는프로세스에서기판의특정부분들상에재료 (일부경우들에서반응물질) 를우선적으로증착하도록사용될수도있다. 개시된실시예들은고품질이방성에칭결과들을달성하도록사용될수도있다.
摘要翻译：本公开的实施例涉及用于蚀刻半导体衬底中的特征的方法和装置。在很多情况下，特征可能被蚀刻，同时形成自旋转矩传输随机存取存储器（STT-RAM）器件。在各种实施例中，在某些处理步骤期间，衬底可以通过冷却衬底支撑件被冷却到低温。就降低所得装置中的发散相关损伤而言，冷却的基材支撑物也可具有有益效果。另外，根据特定的步骤，在某些其他处理步骤中使用非冷却器板可以在散度相关的损害消减方面具有类似的有益效果。在一些实施例中，冷却的衬底支撑件可用于优选地在工艺中的衬底的某些部分上沉积材料（在一些情况下，反应性材料）。所公开的实施例可以用于实现高质量的各向异性蚀刻结果。

7. 发明公开

KR1020140142177A 온도 제어형 기판 지지 어셈블리 审中-实审
标题翻译：温度控制基板支撑总成
公开(公告)号：KR1020140142177A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020140067723
申请日：2014-06-03
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리치앤서니 , 포볼니헨리
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32724 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , F25B21/04 , F25B2321/0212 , F25B2321/0252 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67109 , Y10T29/49117
摘要： 반도체 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 온도 제어형 기판 지지 어셈블리 (temperature controlled substrate support assembly) 가 개시된다. 온도 제어형 기판 지지 어셈블리는 기판을 지지하기 위한 상단 플레이트를 포함한다. 베이스 플레이트가 상단 플레이트 아래에 배치되며, 베이스 플레이트는 베이스 플레이트의 상부 표면 내에 캐비티 (cavity) 를 포함한다. 커버 플레이트가 상단 플레이트와 베이스 플레이트 간에 배치된다. 적어도 하나의 열전 모듈 (thermoeletric module) 이 베이스 플레이트의 상부 표면 내의 캐비티 내에 있으며, 적어도 하나의 열전 모듈 (thermoeletric module) 은 상단 플레이트와 베이스 플레이트와 열적 접촉하며 적어도 하나의 열전 모듈 (thermoeletric module) 은 대기 압력으로 유지된다.
摘要翻译：公开了一种用于半导体处理装置的真空室中的基板处理的温度控制的基板支撑组件。温度控制的基板支撑组件包括用于支撑基板的上板。基板设置在上板的下方，基板在基板的上表面具有空腔。盖板设置在上板和底板之间。一个或多个热电模块位于基板的上表面中的空腔中。一个或多个热电模块与上板和底板热接触。一个或多个热电模块保持在大气压。

8. 发明公开

KR1020130132384A 플라즈마 처리 챔버들에서 기생 플라즈마 방지 审中-实审
标题翻译：等离子体加工釜中的PARASITIC PLASMA PREVENTION
公开(公告)号：KR1020130132384A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020137002011
申请日：2011-07-18
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리치앤서니 , 울랄사우랍 , 마르티네즈래리
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32798 , H01L21/6833 , Y10T156/10 , H05H1/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
摘要： 플라즈마 처리 챔버의 부품에서 공극 공간들 내 기생 플라즈마는 슬리브와 함께 공극 공간들의 내부에 전기 전도성의 표면을 덮는 것에 의하여 제거될 수 있다. 공극 공간들은 상부 전극 및 기판 지지체와 같은 챔버 부품 내의 가스 홀들, 리프트 핀 홀들, 헬륨 통로들, 도관들 및/또는 플리넘일 수 있다.
摘要翻译：可以通过用套筒覆盖空隙内部的导电表面来消除等离子体处理室的部件中空隙中的寄生等离子体。空隙可以是诸如上电极和基板支撑件的室部件中的气孔，提升销孔，氦通道，导管和/或增压室。

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