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1. 发明公开

KR1020120076805A 원통형 자기부상 스테이지 有权
标题翻译：圆柱磁浮雕阶段
公开(公告)号：KR1020120076805A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100138525
申请日：2010-12-30
申请人： 한국전기연구원
发明人： 전정우 , 오현석 , 김종문 , 김현택 , 미티카카라이아니 , 이창린 , 정성일
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H02K7/09 , H02K16/00 , H02K21/12 , H02K41/031 , H02K2201/15 , H02K2201/18 , H01L21/682 , G03F7/70716 , G03F7/70775 , G03F9/7003 , H01L21/02027 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: A cylindrical magnetic levitation stage is provided to directly process a pattern of nanometer size on the cylinder surface of large size by actively controlling the location of a cylinder with an error of the nanometer size. CONSTITUTION: A cylinder movable unit is composed of a rotary cylinder movable unit(110b) and a linear transfer cylinder movable unit(110a). A base unit supports the cylinder movable unit which can be rotated without contact. The base unit comprises electromagnet arrangement bodies(122a, 123a, 122b, 123b). A horizontal magnetic levitation auxiliary unit(140) controls the horizontal direction location of a cylinder mold and the cylinder movable unit. The horizontal magnetic levitation auxiliary unit comprises an electromagnet arrangement body(141).
摘要翻译：目的：提供圆柱形磁悬浮台，通过主动控制圆柱体的位置，以纳米尺寸的误差直接处理大尺寸圆柱体表面的纳米尺寸图案。构成：缸体可动单元由旋转圆筒可动单元（110b）和直线传动滚筒活动单元（110a）构成。基座单元支撑可旋转而不接触的气缸可动单元。基座单元包括电磁铁排列体（122a，123a，122b，123b）。水平磁悬浮辅助单元（140）控制气缸模具和气缸活动单元的水平方向位置。水平磁悬浮辅助单元包括电磁体排列体（141）。

2. 发明授权

KR100227992B1 완전 원형 반도체 웨이퍼의 제조 방법 失效
标题翻译：完全圆形半导体波形的方法
公开(公告)号：KR100227992B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960050585
申请日：1996-10-31
申请人： 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 무라마쯔사또루
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02027 , B28D5/00 , B44B7/00 , H01L2223/54493
摘要： 완전 원형 웨이퍼를 제조하기위한 방법에 있어서, 실린더형 반도체 결정 부재(2)의 특정 결정 방위가 검출되며, 블레이드(6)는 검출된 특정 결정 방위에 따라 반도체 결정 부재 상에 장착된다. 다음으로, 인식 마크가 블레이드의 위치에 따라 반도체 결정 부재의 상부면 상에 마크된다. 다음으로, 반도체 결정 부재 및 블레이드가 반도체 웨이퍼(2a) 및 블레이드 조각(6a)을 형성하도록 절단된다. 마지막으로, 반도체 웨이퍼가 블레이드 조각으로부터 이격된다.

3. 发明授权

KR101703696B1 실리콘 기판의 제조방법 및 실리콘 기판 有权
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：KR101703696B1
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020137022421
申请日：2012-02-02
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,테츠야 , 에바라,코지 , 타카하시,슈지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/02027 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T428/24355
摘要： 본발명은, 쵸크랄스키법에의해육성한실리콘단결정잉곳으로부터잘려진실리콘기판에, 급속가열·급속냉각장치를이용하여, 1300℃보다높으면서실리콘융점이하의온도에서 1~60초유지하여급속열처리를실시한후, 600~800℃의범위의온도까지강온속도 5~150℃/sec로 1단계의강온공정을행하고, 그후, 냉각시간 X초와강온속도 Y℃/sec가, X
摘要翻译：一种硅基板的制造方法，其特征在于，包括：通过将所述硅基板保持在高于1300℃且不大于1300℃的温度，通过快速加热和快速冷却装置对硅基板进行快速热处理硅熔点为1〜60秒，硅基板由通过切克劳斯基法生长的硅单晶锭切片; 以5〜150℃/秒的降温速度进行600〜800℃的温度的第1降温处理。进行第二降温处理，使X秒的冷却时间和Y℃/秒的温度降低率满足Y＆lt; ll;当X <100并满足Y＆NlE时为0.15X-4.5;X≥100时为10 。

4. 发明公开

KR1020140021543A 실리콘 기판의 제조방법 및 실리콘 기판 有权
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：KR1020140021543A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020137022421
申请日：2012-02-02
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,테츠야 , 에바라,코지 , 타카하시,슈지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/02027 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T428/24355
摘要： 본 발명은, 쵸크랄스키법에 의해 육성한 실리콘 단결정 잉곳으로부터 잘려진 실리콘 기판에, 급속가열·급속냉각 장치를 이용하여, 1300℃보다 높으면서 실리콘 융점 이하의 온도에서 1~60초 유지하여 급속 열처리를 실시한 후, 600~800℃의 범위의 온도까지 강온속도 5~150℃/sec로 1단계의 강온공정을 행하고, 그 후, 냉각시간 X초와 강온속도 Y℃/sec가, X
摘要翻译：一种硅基板的制造方法，其特征在于，包括：通过将所述硅基板保持在高于1300℃且不大于1300℃的温度，通过快速加热和快速冷却装置对硅基板进行快速热处理硅熔点为1〜60秒，硅基板由通过切克劳斯基法生长的硅单晶锭切片; 以5〜150℃/秒的降温速度进行600〜800℃的温度的第1降温处理。进行第二降温处理，使X秒的冷却时间和Y℃/秒的温度降低率满足Y＆lt; ll;当X <100并满足Y＆NlE时为0.15X-4.5;X≥100时为10 。

5. 发明授权

KR100913401B1 다이아몬드 반도체소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：金刚石半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100913401B1
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：KR1020077009125
申请日：2006-06-20
申请人： 니폰 덴신 덴와 가부시끼가이샤
发明人： 카스마코토 , 마키모토토시키 , 우에다켄지 , 야마우치요시하루
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/812 , C23C16/27
CPC分类号： H01L21/324 , C23C16/274 , C23C16/278 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02013 , H01L21/02027 , H01L21/02376 , H01L21/02433 , H01L21/02527 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/0405 , H01L21/0415 , H01L29/045 , H01L29/1602 , H01L29/45 , H01L29/66037 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/66856 , H01L29/732 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/812 , H01L33/0054 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 종래의 다이아몬드 반도체는 결정 결함밀도가 높고, 다이아몬드 특유의 고열전도율, 고절연파괴전계강도, 고주파특성 등의 물리적인 특성을 트랜지스터 특성에 반영시키는 것은 불가능했다.
본 발명은 다이아몬드 기판의 면방위를 [001]방향에서 조금 바꾸는 것으로도, 다이아몬드 특유의 결정 결함를 큰 폭으로 줄이는 것이 가능하다. 단결정 다이아몬드 박막과 채널 면방위를 [001]방면에서 조금 바꾸는 것에 의해서도 같은 효과를 얻을 수 있다. 종래의 면방위로 제조한 트랜지스터와 비교해서 매우 높은 상호컨덕턴스를 얻을 수가 있다.

6. 发明公开

KR1020070102426A 도포 현상 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체 有权
标题翻译：涂装与开发系统，基板加工方法及其中介
公开(公告)号：KR1020070102426A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020070036386
申请日：2007-04-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 마츠오카노부아키 , 하야시다야스시 , 하야시신이치
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67745 , H01L21/67178 , H01L21/02027 , G03F1/60 , G03F1/84 , H01L21/0274
摘要： A coating and developing system, a substrate processing method and a recording medium are provided to prevent a substrate inspection unit from being protruded to an outside from a main body. A coating and developing system includes a carrier block(S1), a process block(S2), an interface block(S3), and an exposure device(S4). The carrier block includes a plurality of carriers(20). The plurality of carriers receive a plurality of substrates. The process block includes four parts(B2) and a linear carrier. The four parts and the linear carrier are installed to move along a lengthwise direction of the system. The interface block is connected to the exposure device.
摘要翻译：提供涂布显影系统，基板处理方法和记录介质，以防止基板检查单元从主体突出到外部。涂覆和显影系统包括载体块（S1），处理块（S2），界面块（S3）和曝光装置（S4）。载体块包括多个载体（20）。多个载体接收多个基板。处理块包括四个部分（B2）和一个线性载体。安装四个部件和线性载体沿着系统的长度方向移动。接口块连接到曝光装置。

7. 发明公开

KR1020160027588A 반도체 발광소자 有权
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160027588A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140115574
申请日：2014-09-01
申请人： 주식회사 세미콘라이트
发明人： 전수근
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/02 , H01L21/0201 , H01L21/02027 , H01L33/10 , H01L33/20
摘要： 본개시는반도체발광소자에있어서, 복수의반도체층, 반사층, 제1 전극및 제2 전극; 그리고, 복수의반도체층을기준으로반사층의반대측에구비되며, 육면체형상을가지는성장기판;으로서, 복수의반도체층이형성되는하면(a lower face), 하면과대향하는상면(an upper face), 하면과상면을이어주는일면(a face), 하면과상면을이어주는타면(another face), 일면의대향면(an opposite face to the face), 및타면의대향면(another opposite face to the another face)을가지며, 타면은일면보다길고, 타면은성장기판의결정면들중 하나와나란하게절단된면이고, 일면은결정면들과나란하지않게절단된면이며, 일면및 일면의대향면으로부터각각인접한복수의반도체층의측면까지의거리의합은타면및 타면의대향면으로부터각각인접합복수의반도체층의측면까지의거리의합과같거나큰 것을특징으로하는반도체발광소자에관한것이다.
摘要翻译：本公开涉及半导体发光器件。半导体发光器件包括多个半导体层，反射层，第一电极，第二电极和生长衬底，该衬底包括在反射层相对于多个半导体层的相对侧并且具有六面体形状。半导体发光器件包括其上形成有多个半导体层的下表面，面向下表面的上表面，用于连接下表面和上表面的表面，以及用于连接下表面和上表面，表面的相对表面和另一表面的另一相对表面。另一个表面比表面长。与生长基底的晶体表面中的一个平行地切割另一个表面。切割表面不与晶体表面平行。与表面和相对表面分别相邻的表面与表面的相对表面与半导体层的侧表面的距离的总和等于或大于与另一表面的距离之和另一表面的表面与半导体层的与另一个表面的另一个表面和另一个表面的另一相对表面独立相邻的侧表面。

8. 发明授权

KR101030455B1 실리콘 반도체 기판 및 그 제조방법 有权
标题翻译：硅半导体衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR101030455B1
公开(公告)日：2011-04-25
申请号：KR1020057012728
申请日：2004-01-29
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 , 오미 다다히로
发明人： 야마나카히데키 , 데미즈키요시 , 오미다다히로 , 테라모토아키노부 , 스가와시게토시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/78 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/28167 , H01L21/02008 , H01L21/02027 , H01L21/02381 , H01L21/02428 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L29/045
摘要： 본 발명은 {110}면의 캐리어 이동도, 특히 n형 FET의 캐리어인 전자의 이동도가 보다 높은 값을 나타내는 반도체 집적회로 소자용 실리콘 반도체 기판을 제조하기 위한 것으로, 특별한 세정을 사용하지 않고 종래의 RCA 세정을 사용하였으며 또한, 래디칼 산화를 실시하는 일 없이 원자 레벨에서 표면이 평탄화되어 표면의 거칠기가 감소된 실리콘 반도체 기판 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 {110}면 또는 {110}면을 기울인 면을 주면(主面)으로 하는 실리콘 반도체 기판으로서, 그 표면에 평균적으로 방향을 따르는 원자 레벨의 스텝을 가지게 했다.
실리콘, 반도체, 기판, 스텝, 테라스, 경면연마

9. 发明公开

KR1020080006446A 3족 질화물 기판의 제조 방법 및 3족 질화물 기판 无效
标题翻译：生产3组氮化物衬底波纹和3组氮化物衬底波纹的方法
公开(公告)号：KR1020080006446A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020070043610
申请日：2007-05-04
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 이시바시게이지 , 이리쿠라마사토 , 나카하타세이지
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02013 , B24B37/042 , H01L21/02027 , H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L29/0657 , H01L2221/6834 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A group 3 nitride substrate wafer and a manufacturing method thereof are provided to decrease surface roughness of the substrate wafer by arranging a surface slant of a substrate to be smaller than 200 mum in a horizontal direction and 100 mum in a vertical direction. Plural group 3 nitride substrate wafers having an OF(Orientation Flat) with a length between 2 and 30 mm and a diameter greater than 40 mm are attached to a polishing plate by using a wax with a thickness smaller than 10 mum. The OF is polished to face a front, rear, or inner portion with respect to a rotation direction. A surface slant of the substrate is smaller than 200 mum in a horizontal direction and smaller than 100 mum in a vertical direction.
摘要翻译：提供第3族氮化物衬底晶片及其制造方法，通过将衬底的表面倾斜度在水平方向上设置为小于200μm，在垂直方向上设置为100μm，来降低衬底晶片的表面粗糙度。通过使用厚度小于10um的蜡将具有长度为2至30mm且直径大于40mm的OF（取向平面）的多组3氮化物衬底晶片附接到抛光板。 OF被抛光以相对于旋转方向面对前，后或内部。基板的表面倾斜在水平方向上小于200μm，在垂直方向上小于100μm。

10. 发明公开

KR1020070091245A Ⅲ족 질화물 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：制备III类氮化物基板的方法
公开(公告)号：KR1020070091245A
公开(公告)日：2007-09-10
申请号：KR1020067013173
申请日：2005-12-27
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 마츠모토나오키
IPC分类号： H01L21/304 , B28D5/04 , B24B27/06 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02027 , B28D5/045 , C09G1/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/302 , H01L29/2003 , Y10T83/9292
摘要： Ingot (3) consisting of a hexagonal group III nitride crystal is cut with the use of wire row (21) composed of wire (22). In this stage, cutting of the ingot (3) is carried out by effecting the cutting while feeding at least one of the ingot (3) and wire (22) in the direction orthogonal to the direction (B) of wire (22) stretching and while supplying an abrasive fluid. In the cutting of the ingot (3), the direction (B) of wire (22) stretching is sloped by >= 3° against the {1-100} face of the ingot (3).
摘要翻译：使用由导线（22）构成的导线列（21）切断由六方晶III族氮化物晶体构成的锭（3）。在该阶段中，通过在与钢丝（22）的方向（B）正交的方向上进给锭（3）和线（22）中的至少一个的方向进行切割来进行切割（3）并且同时供应磨料流体。在锭（3）的切割中，线（22）拉伸的方向（B）相对于锭（3）的{1-100}面倾斜> = 3°。

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