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1. 发明授权

KR100369720B1 오버헤드솔레노이드안테나및모듈식플라즈마구속자석라이너를가지는유도결합된RF플라즈마반응기 失效
公开(公告)号：KR100369720B1
公开(公告)日：2003-03-17
申请号：KR1019980027562
申请日：1998-07-09
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 콜린스,케네쓰 , 라이스,마이클 , 버치버거,더글라스 , 로더릭,크레이그 , 아스카리남,에릭 , 슈나이더,게르하르트 , 트로우,존 , 추이,조슈아 , 그리마드,데니스 , 인,제럴드 , 우,로버트
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32522 , C23C16/517 , H01F2029/143 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32458 , H01J37/32467 , H01J37/32688 , H01J37/32706 , H01J37/32871 , H01J2237/3343 , H01J2237/3345 , H01J2237/3346 , H01L21/31116 , H01L21/6831
摘要： A plasma reactor has a chamber (50) for containing a plasma and a passageway (60) communicating with the chamber is enhanced with a first removable plasma confinement magnet module placed adjacent the passageway including a first module housing (20,10) and a first plasma confinement magnet (80) inside the housing. It may further include a second removable plasma confinement magnet module placed adjacent the passageway including a second module housing (20,20), and a second plasma confinement magnet (82). Preferably, the first and second modules are located on opposite sides of the passageway. Moreover, the first and second plasma confinement magnets have magnetic orientations which tend to oppose plasma transport or leakage through the passageway. Preferably, the module housing includes a relatively non-magnetic thermal conductor such as aluminum and is in thermal contact with said chamber body. Cooling apparatus can be thermally coupled to the chamber body, whereby to maintain the first plasma confinement magnet below its Curie temperature. If the reactor includes a pumping annulus adjacent to a periphery of the chamber, then the passageway can be one which communicates between the chamber and the pumping annulus. Also, the passageway can be a wafer slit valve or a gas feed inlet. Such a gas feed inlet can be a center gas feed through a ceiling of the chamber. The module housing (20,20) can rest upon the chamber side wall and the chamber ceiling (52) can rest upon the module housing.
摘要翻译：等离子体反应器具有用于容纳等离子体的腔室（50），与腔室连通的通道（60）通过邻近通道放置的第一可移除等离子体约束磁体模块得到增强，所述第一可移除等离子体约束磁体模块包括第一模块壳体（20,10）和第一模块壳体等离子体约束磁体（80）。它还可以包括邻近通道放置的第二可移除等离子体约束磁体模块，第二等离子体约束磁体模块包括第二模块壳体（20,20）和第二等离子体约束磁体（82）。优选地，第一和第二模块位于通道的相对侧上。此外，第一和第二等离子体约束磁体具有倾向于阻止等离子体传输或通过通道泄漏的磁性取向。优选地，模块壳体包括诸如铝的相对非磁性的热导体并且与所述腔室主体热接触。冷却设备可热耦合到腔室主体，由此将第一等离子体约束磁体保持在其居里温度以下。如果反应器包括邻近腔室外围的泵送环形空间，则通道可以是在腔室和泵送环形空间之间连通的通道。而且，通道可以是晶片狭缝阀或气体供给入口。这种气体供给入口可以是通过腔室顶部的中心气体供给。模块壳体（20,20）可以搁置在腔室侧壁上并且腔室天花板（52）可以搁置在模块壳体上。＆lt;图像＆GT;

2. 发明公开

KR1020150022975A 이온빔 처리 방법 및 이온빔 처리 장치 有权
标题翻译：离子束处理方法和离子束处理装置
公开(公告)号：KR1020150022975A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：KR1020157000131
申请日：2013-03-14
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 고다이라요시미츠 , 다케우치이사오 , 나카무라미호코
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/302 , G21K5/04 , H05H1/46 , H01L43/12
CPC分类号： H01J37/3056 , H01J37/32357 , H01J2237/3345 , H01J2237/3347 , H01L21/68764 , H01L23/544 , H01L43/12 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , G21K5/04 , H01J2237/334 , H01L21/302 , H05H1/46
摘要： 본 발명은, 미세한 패턴에 대해서도 재부착막의 퇴적을 억제할 수 있는 처리 방법 및 이온빔 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 일 실시형태에서는, 기판 위에 형성된 패턴홈이 연장되는 방향측에서 입사하는 이온빔에 의한 에칭량이, 다른 방향측에서 입사하는 이온빔에 의한 에칭량보다 커지도록 이온빔 처리를 행한다. 이에 따라, 미세 패턴홈의 바닥에 재부착막이 퇴적되는 것을 억제하면서 미세 패턴을 가공하는 것이 가능해진다.

3. 发明公开

KR1020120085654A 플라즈마 쉬스 공학을 사용한 개선된 식각 및 증착 프로파일 제어 有权
标题翻译：使用等离子体工程的增强蚀刻和沉积型材控制
公开(公告)号：KR1020120085654A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：KR1020117025218
申请日：2010-04-02
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 고뎃,루도빅 , 밀러,티모시,제이. , 파파소울리오티스,조지,디. , 싱,비크람
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
摘要： A plasma processing tool is used to deposit material on a workpiece. For example, a method for conformal deposition of material is disclosed. In this embodiment, the plasma sheath shape is modified to allow material to impact the workpiece at a range of incident angles. By varying this range of incident angles over time, a variety of different features can be deposited onto. In another embodiment, a plasma processing tool is used to etch a workpiece. In this embodiment, the plasma sheath shape is altered to allow ions to impact the workpiece at a range of incident angles. By varying this range of incident angles over time, a variety of differently shaped features can be created.

4. 发明授权

KR1019930007100B1 디바이스제조방법 失效
标题翻译：依赖等离子体生成的方法
公开(公告)号：KR1019930007100B1
公开(公告)日：1993-07-29
申请号：KR1019890019595
申请日：1989-12-27
申请人： 아메리칸텔리폰텔레그라프캄파니
发明人： 다니엘로렌스플램 , 데일에드워드아이봇슨 , 웨인리죤슨
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H05H1/30 , H01J37/321 , H01J2237/3345 , H05H1/46 , Y10S438/949
摘要： 내용없음.

5. 发明公开

KR1020160129769A 에칭 방법 및 에칭 장치 审中-实审
标题翻译：蚀刻方法和蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020160129769A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020160052950
申请日：2016-04-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시모다가쿠 , 마루야마호타카 , 사토타카노리 , 우라카와마사후미 , 오가사와라마사히로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01J2237/3345 , H01J2237/3348 , H01L21/67109
摘要： 에칭형상을양호하게하는것을목적으로한다. 기판상에형성된실리콘막을에칭하는에칭방법으로서, 취화수소(HBr) 가스, 삼불화질소(NF) 가스및 산소(O) 가스를포함하는가스를챔버내로공급하고, 공급된가스로부터생성된플라즈마에의해실리콘막을에칭하는복수의공정을가지고, 상기복수의공정에서상기취화수소가스의유량을단계적으로감소시키고, 상기산소가스의유량을상기취화수소가스의감소에따라조정하는에칭방법이제공된다.
摘要翻译：用于蚀刻形成在基板上的硅膜的方法包括将HBr气体，NF 3气体和O 2气体供应到室中，并且利用由所提供的HBr气体，NF 3气体产生的等离子体对硅膜进行多次蚀刻处理， O2气体，在多次蚀刻工序中逐渐降低HBr气体的流量，根据HBr气体的还原来调节O 2气体的流量。

6. 发明授权

KR101654661B1 이온빔 처리 방법 및 이온빔 처리 장치 有权
标题翻译：离子束处理方法和离子束处理装置
公开(公告)号：KR101654661B1
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：KR1020157000131
申请日：2013-03-14
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 고다이라요시미츠 , 다케우치이사오 , 나카무라미호코
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/302 , G21K5/04 , H05H1/46 , H01L43/12
CPC分类号： H01J37/3056 , H01J37/32357 , H01J2237/3345 , H01J2237/3347 , H01L21/68764 , H01L23/544 , H01L43/12 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은, 미세한패턴에대해서도재부착막의퇴적을억제할수 있는처리방법및 이온빔처리장치를제공하는것을목적으로한다. 본발명의일 실시형태에서는, 기판위에형성된패턴홈이연장되는방향측에서입사하는이온빔에의한에칭량이, 다른방향측에서입사하는이온빔에의한에칭량보다커지도록이온빔처리를행한다. 이에따라, 미세패턴홈의바닥에재부착막이퇴적되는것을억제하면서미세패턴을가공하는것이가능해진다.

7. 发明公开

KR1020160024914A 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：基板处理装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160024914A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020167000861
申请日：2013-07-26
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 츠보타야스토시 , 와다유이치 , 카메다켄지 , 히야마신
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/32135 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01J2237/3345 , H01J2237/3346 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L27/10852
摘要： 본발명은기판의면내에서높은선택성을가지는에칭을실현한다. 상기과제를해결하기위해서적어도실리콘을함유하는제1 막과상기제1 막보다실리콘함유율이적은제2 막이형성된기판이재치되는재치부; 상기재치부가설치된처리용기; 상기기판에에칭가스를공급하는가스공급계; 상기에칭가스를상기기판과접촉하는동안, 상기제2 막의에칭속도보다상기제1 막의에칭속도가높아지도록상기기판의온도를제어하는온도제어부; 및상기처리용기내의분위기를배기하는배기계;를포함하는기판처리장치를제공한다.

8. 发明授权

KR101585519B1 플라즈마 쉬스 공학을 사용한 개선된 식각 및 증착 프로파일 제어 有权
标题翻译：使用等离子体工程的增强蚀刻和沉积型材控制
公开(公告)号：KR101585519B1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：KR1020117025218
申请日：2010-04-02
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 고뎃,루도빅 , 밀러,티모시,제이. , 파파소울리오티스,조지,디. , 싱,비크람
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
摘要： 플라즈마처리장치는워크피스상에물질을증착시키기위해사용된다. 예를들면, 물질의컨포멀증착을위한방법이개시되고, 본실시예에있어서, 상기플라즈마쉬스형상은변경되어물질이일정범위의입사각도들로상기워크피스에충돌하도록허용한다. 시간에따라이러한입사각도들의범위를변화시킴으로써, 다양한형상들이증착될수 있다. 다른실시예에있어서, 플라즈마처리장치는워크피스를식각하기위해사용된다. 본실시예에있어서, 상기플라즈마쉬스형상은변경되어이온들이일정범위의입사각도들로상기워크피스에충돌하도록허용한다. 시간에따라이러한입사각도들의범위를변화시킴으로써, 다양한형태의형상들이형성될수 있다.

9. 发明公开

KR1020040026847A 자장이 인가된 내장형 선형 안테나를 구비하는 대면적처리용 유도 결합 플라즈마 소오스 失效
标题翻译：具有应用于磁场的内部线性天线的大面积加工的电感耦合等离子体源
公开(公告)号：KR1020040026847A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：KR1020020058456
申请日：2002-09-26
申请人： 학교법인 성균관대학
发明人： 염근영 , 이영준 , 김경남 , 송병관
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3266 , H01J2237/3345
摘要： PURPOSE: An ICP(Inductively Coupled Plasma) source for large area processing having an internal linear antenna applied with magnetic field is provided to be capable of improving plasma characteristics. CONSTITUTION: An ICP source for large area processing is provided with a reaction chamber(10), and a plurality of linear antennas(32) spaced apart from each other at the inner portion of the reaction chamber and electrically connected with each other. The ICP source further includes at least one magnet(42) installed adjacent to the plurality of linear antennas for promoting the spiral motion of electrons by generating magnetic field orthogonal to the electric field generated from the plurality of linear antennas. Preferably, each linear antenna is enclosed with an antenna protection pipe(30) made of quartz.
摘要翻译：目的：提供具有施加磁场的内部线性天线的用于大面积处理的ICP（电感耦合等离子体）源，以能够改善等离子体特性。构成：用于大面积加工的ICP源设置有反应室（10）和在反应室的内部彼此间隔开并彼此电连接的多个线性天线（32）。 ICP源还包括与多个线性天线相邻安装的至少一个磁体（42），用于通过产生与从多个线性天线产生的电场正交的磁场来促进电子的螺旋运动。优选地，每个线性天线用由石英制成的天线保护管（30）包围。

10. 发明授权

KR100238623B1 기판처리장치 및 기판처리방법 失效
标题翻译：用于处理基板的装置和方法
公开(公告)号：KR100238623B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019910021425
申请日：1991-11-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 아메미야유타카 , 도다아키히토
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32623 , H01J2237/3345 , H01J2237/3348 , H01L21/31116
摘要： 기판 처리장치는 반도체 웨이퍼를 처리하는 처리부 및 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부를 가지는 챔버와, 플라즈마 생성부내에 (O
2 +CF
4 ) 혼합가스를 공급하는 가스 공급기구와, 이 가스를 플라즈마화 시키는 고주파 전극과, 플라즈마 중의 이온 트랩하고 중성의 라디칼을 처리부에 통과시키는 이온트랩과, 처리부내를 배기하는 배기기구를 가진다.

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