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1. 发明授权

KR101923767B1 오목부를 충전하는 방법 및 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101923767B1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：KR1020160017331
申请日：2016-02-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 치바,요우이치로우 , 야마다,다쿠미 , 스즈키,다이스케
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L29/401 , C30B25/04 , C30B29/06 , H01L21/223 , H01L21/32055 , H01L21/32135 , H01L21/32155 , H01L21/3247
摘要： 피처리체의오목부를충전하는방법을제공한다. 일실시형태의방법에서는, 오목부를구획형성하는벽면을따라서반도체재료의제1 박막이형성된다. 계속해서제1 박막이기상도핑된다. 계속해서피처리체가용기내에서어닐됨으로써, 오목부를구획형성하는반도체기판의면을따라기상도핑된제1 박막을이동시키지않고제1 박막의반도체재료로부터반도체기판의결정에따른에피택셜영역이형성된다. 계속해서오목부를구획형성하는벽면을따라서반도체재료의제2 박막이형성된다. 계속해서피처리체가용기내에서어닐됨으로써, 오목부의바닥을향해서이동시킨제2 박막의반도체재료로부터에피택셜영역이더 형성된다.

2. 发明公开

KR20180042466A 전이 금속들을 포함하는 막들을 에칭시키는 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180042466A
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR20187010974
申请日：2014-03-13
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： ANTHIS JEFFREY W , SCHMIEGE BENJAMIN , THOMPSON DAVID
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F1/00 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01J37/32715 , H01J37/32862 , H01L21/32135
摘要： 전이금속들을포함하는막들을에칭시키는방법들이제공된다. 특정방법들은적어도하나의전이금속을포함하는기판표면을활성화시키되, 여기서기판표면의활성화가기판표면을열, 플라즈마, 산화환경, 또는할라이드전달제에노출시켜활성화된기판표면을제공하는것을포함하고; 활성화된기판표면을루이스염기또는 pi 산을포함하는시약에노출시켜시약으로부터의하나이상의리간드들에배위된전이금속중 하나이상의원자들을포함하는증기상배위착물을제공하는것을포함한다. 특정의다른방법들은 Co 층, Cu 층, 및 Ni 층중 둘이상을포함하는다층기판으로부터선택적인에칭을제공한다.

3. 发明授权

KR101836020B1 희생막 제거 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：一种去除牺牲膜和基板处理装置的方法
公开(公告)号：KR101836020B1
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：KR1020167013735
申请日：2014-10-27
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 , 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
发明人： 오쿠타니마나부 , 우메자키도모노리 , 기쿠치아키오우
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/3065 , H01L21/32134 , H01L21/32135 , H01L21/67028
摘要： 이발명은, 복수의지주와당해복수의지주의사이에매설된희생막이형성된기판의표면으로부터상기희생막을제거하는희생막제거방법으로서, 상기기판의표면에에칭액을공급함으로써, 상기희생막을도중깊이까지제거하는웨트에칭공정과, 상기웨트에칭공정후에상기기판의표면에린스액을공급함으로써, 상기기판의표면에부착되어있는잔류물을씻어내는린스공정과, 상기린스공정후에, 상기기판의표면의액 성분을제거하는건조공정과, 상기건조공정후에상기기판의표면에에칭가스를공급함으로써, 상기기판의표면에잔존하고있는희생막을제거하는드라이에칭공정을포함한다.
摘要翻译：麦名，多个支柱的和，通过施加蚀刻溶液到基片的表面上，中途去除所述牺牲膜的深度牺牲层去除现有技术的方法，以从形成有牺牲膜埋在多个将注意到牺牲膜之间的基板的表面除去漂洗步骤，在湿式蚀刻步骤之后，通过向衬底的表面供应漂洗液来漂洗附着于衬底表面的残留物; 以及干燥蚀刻步骤，通过在干燥步骤之后向基板的表面供应蚀刻气体来去除残留在基板表面上的牺牲膜。

4. 发明公开

KR1020170119183A 건식 에칭장치 有权
标题翻译：干法蚀刻设备
公开(公告)号：KR1020170119183A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160047031
申请日：2016-04-18
申请人： 최상준
发明人： 최상준 , 이경진
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/67069 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/67248
摘要： 본발명은재질에상관없이적용이가능한건식에칭장치에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따르면, 본발명의일 실시예에따르면, 애노드부, 시간에따라전압의극성이양의전압과음의전압을교번하는양방향전압전원이인가되며상기애노드부와이격되도록배치되는캐소드부, 상기캐소드부의애노드부와마주보는면에작업대상물을위치시키는거치부, 상기캐소드부에양방향전압전원을인가하는양방향전압전원공급부를포함하는건식에칭장치가개시된다.
摘要翻译：本发明涉及不论材料的一种干蚀刻装置是适用的，根据本发明的一个实施方案中，根据本发明，阳极单元，电压随时间的极化转移的电压过量饮酒的电压的一个实施例设置为与阳极部分间隔开的阴极部分，用于将工件放置在面对阴极部分的阳极部分的表面上的安装部分，双向电压公开了一种包括电源单元的干法蚀刻设备。

5. 发明公开

KR1020170088416A 기화 공급 장치 审中-实审
标题翻译：汽化进料器
公开(公告)号：KR1020170088416A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020177017535
申请日：2016-04-11
申请人： 가부시키가이샤 후지킨
发明人： 히다카아츠시 , 나가세마사아키 , 히라타카오루 , 스기타카츠유키 , 나카타니타카토시 , 야마시타사토루 , 니시노코우지 , 이케다노부카즈 , 히라오케이지
IPC分类号： B01J7/02 , C23C16/448 , C23C16/52 , B01J4/00 , H01L21/67
CPC分类号： B01J4/008 , B01J4/00 , B01J7/02 , C23C16/448 , C23C16/4485 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/32135 , H01L21/6708
摘要： (과제) 기화기내로부터유량제어장치로통하는가스유로안이액체로채워지는문제를해소할수 있는것에관한기화공급장치를제공한다. (해결수단) 액체(L)를가열하여기화시키는기화기(2)와, 기화기로부터송출되는가스의유량을제어하는유량제어장치(3)와, 기화기(2)로의액체의공급로(4)에개재된제 1 제어밸브(5)와, 기화기(2)에서기화되어유량제어장치(3)에보내지는가스의압력을검출하기위한압력검출기(6)와, 기화기(2) 내의소정량을초과하는액체의파라미터를측정하는액체검지부(7A)와, 압력검출기(6)가검출한압력값에의거하여기화기(2)에소정량의액체(L)를공급하도록제 1 제어밸브(5)를제어함과아울러, 액체검지부(7)가액체를검지했을때에는제 1 제어밸브(5)를닫도록제어하는제어장치(8)를구비한다.
摘要翻译：本发明提供一种能够解决从气化器向流量控制装置的气体流路充满液体的问题的气化供给装置。用于加热和汽化液体L的汽化器2;用于控制从汽化器送出的气体的流量的流量控制器3;以及用于向蒸发器2供应蒸汽的液体供应通道4 在气化器2中蒸发的压力检测器6检测在流量控制装置3中气化的气体或气体的压力，以及在气化器2中超过预定量的压力检测器6 用于测量液体参数的液体检测部分7A和用于控制第一控制阀5以基于由压力检测器6检测到的压力值向气化器2供应少量液体L的控制阀5 当液体检测单元7检测到液体时，控制单元8控制第一控制阀5打开。

6. 发明公开

KR1020170073627A 배리어층 제거 방법 및 반도체 구조체 형성 방법 审中-实审
标题翻译：去除阻挡层的方法和形成半导体结构的方法
公开(公告)号：KR1020170073627A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020177013235
申请日：2014-10-17
申请人： 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드
发明人： 지아,자오웨이 , 시아오,동펑 , 왕,지안 , 왕,후이
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/31116 , H01L21/32115 , H01L21/32125 , H01L21/3213 , H01L21/32134 , H01L21/32135 , H01L21/32138 , H01L21/76849 , H01L21/76865 , H01L21/324
摘要： 본발명은배리어층을제거하는방법을제공하며, 상기배리어층은루테늄또는코발트의적어도하나의층을포함하며, 상기방법은반도체구조체의비-리세스(non-recessed) 영역상에형성된루테늄또는코발트를포함하는배리어층을열류에칭(thermal flow etching)에의해제거하는단계를포함한다. 나아가, 본발명은반도체구조체를형성하는방법을추가로제공하며, 상기방법은유전체층, 상기유전체층상에형성된하드마스크층, 상기하드마스크층및 상기유전체층상에형성된리세스영역, 상기하드마스크층상에형성된적어도하나의루테늄또는코발트층, 상기리세스영역의측벽및 상기리세스영역의저부를포함하는배리어층, 상기배리어층상에형성되고상기리세스영역을채우는금속층을포함하는반도체구조체를제공하는단계; 비-리세스영역상에형성된상기금속층및 상기리세스영역내의상기금속을제거하고, 상기리세스영역에일정량의금속을잔류시키는단계; 상기비-리세스영역상에형성된루테늄또는코발트를포함하는상기배리어층및 상기하드마스크층을열류에칭으로제거하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供了去除所述阻挡层的方法，所述阻挡层是钌或包含所述钴中的至少一个层，该方法包括在半导体结构的比率 - 上的凹部钌或形成（非凹陷）区域并通过热流蚀刻去除包含钴的阻挡层。此外，本发明还提供了一种形成一种半导体结构，该方法的方法，包括：介电层，形成在介电层，所述硬掩模层上形成硬掩模层，并且所述凹进区域，形成于该电介质层上的硬掩模层提供的至少一种钌或包含侧壁和钴层，sanggiri存取区域的sanggiri存取区域的底部阻挡层，形成在所述阻挡层包括：提供半导体结构，其包括金属层，以填充所述凹部sanggiri区域; 去除金属层中的金属和形成在非凹陷区域上的凹陷区域，并在凹陷区域中留下一定量的金属; 并且通过热流蚀刻去除形成在非凹陷区域和硬掩模层上的包括钌或钴的阻挡层。

7. 发明公开

KR1020170017963A 텅스텐 막의 성막 방법 审中-实审
标题翻译： TUNGSTEN膜形成方法
公开(公告)号：KR1020170017963A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020170014437
申请日：2017-02-01
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 호타다카노부 , 아이바야스시
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/32135 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L21/205 , H01L21/0228 , H01L2924/01074 , H01L2924/00
摘要： 공정이번잡하게되는일이없고, 또한미세화에의해서도베이스에악영향을미치는일이없으며, 또한고 스루풋으로매립부분의보이드나시임을해소한텅스텐막을성막한다. 챔버내에홀을갖는웨이퍼를배치하고, WCl가스및 H가스를동시에또는교대로공급하며, 웨이퍼를가열하면서이들가스를반응시켜서, 홀내에텅스텐의매립부를형성하고(스텝 1), 이어서챔버내에 WCl가스를공급해서매립부의상부를에칭하여개구를형성하며(스텝 2), 이어서챔버내에 WCl가스및 환원가스를동시에또는교대로공급하고, 웨이퍼를가열하면서 WCl가스및 환원가스를반응시켜서, 개구가형성된매립부를갖는웨이퍼에대하여텅스텐막을성막한다(스텝 3).
摘要翻译：在钨膜形成方法中，在处理室中设置有具有凹部的基板，并且在基板上形成第一钨膜，以通过同时或交替地供给WCl 6气体作为钨源并且还原在处理室的减压气氛下，通过使WCl 6气体与还原气体反应同时加热基板。然后，通过向处理室中供给WCl 6气体并蚀刻钨的上部，在填充在凹部中的钨形成开口。此后，通过同时或交替地将WCl 6气体和还原气体供给到处理室中，并且通过在加热基板的同时使WCl 6气体与还原气体反应，在具有开口的基板上形成第二钨膜。

8. 发明公开

KR1020170017827A 산화물 에칭 선택성 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：氧化物选择性系统和方法
公开(公告)号：KR1020170017827A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020160100103
申请日：2016-08-05
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 수,린 , 첸,즈쥔 , 왕,안촨 , 응우엔,손티.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069
摘要： 본기술의실시예들은기판을에칭하는방법을포함할수 있다. 이방법은플라즈마영역에서플라즈마방전을발생시키는단계를포함할수 있다. 이방법은불소함유전구체를플라즈마영역내로유입시켜플라즈마배출물을형성하는단계를또한포함할수 있다. 플라즈마배출물은혼합영역내로유입될수 있다. 이방법은수소-및-산소함유화합물을플라즈마영역내로먼저통과시키지않고수소-및-산소함유화합물을혼합영역내로도입하는단계를더 포함할수 있다. 추가적으로, 이방법은수소-및-산소함유화합물과플라즈마배출물을혼합영역에서반응시켜반응생성물들을형성하는단계를포함할수 있다. 이반응생성물들은파티션내의복수의개구를통하여기판처리영역으로유입될수 있다. 이방법은기판처리영역에서반응생성물들을이용해기판을에칭하는단계를또한포함할수 있다.
摘要翻译：本技术的实施例可以包括蚀刻衬底的方法。该方法可以包括在等离子体区域中击打等离子体放电。该方法还可以包括将含氟前体流入等离子体区域以形成等离子体流出物。等离子体流出物可能流入混合区域。该方法可以进一步包括将含氢和氧的化合物引入混合区域，而不首先使含氢氧化合物进入等离子体区域。此外，该方法可以包括使含氢和氧的化合物与混合区域中的等离子体流出物反应以形成反应产物。反应产物可以流过分隔件中的多个开口到基底处理区域。该方法还可以包括在衬底处理区域中用反应产物蚀刻衬底。

9. 发明公开

KR1020160078405A 희생막 제거 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜去除方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020160078405A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020167013735
申请日：2014-10-27
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 , 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
发明人： 오쿠타니마나부 , 우메자키도모노리 , 기쿠치아키오우
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/3065 , H01L21/32134 , H01L21/32135 , H01L21/67028 , H01L21/02052 , H01L21/31116
摘要： 이발명은, 복수의지주와당해복수의지주의사이에매설된희생막이형성된기판의표면으로부터상기희생막을제거하는희생막제거방법으로서, 상기기판의표면에에칭액을공급함으로써, 상기희생막을도중깊이까지제거하는웨트에칭공정과, 상기웨트에칭공정후에상기기판의표면에린스액을공급함으로써, 상기기판의표면에부착되어있는잔류물을씻어내는린스공정과, 상기린스공정후에, 상기기판의표면의액 성분을제거하는건조공정과, 상기건조공정후에상기기판의표면에에칭가스를공급함으로써, 상기기판의표면에잔존하고있는희생막을제거하는드라이에칭공정을포함한다.

10. 发明公开

KR1020160032596A 반도체 소자 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160032596A
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：KR1020140122939
申请日：2014-09-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배진우 , 권병호 , 박종혁 , 박혜성 , 이준석 , 임기빈 , 전희숙 , 황인석
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11573 , C09G1/02 , H01L21/31 , H01L21/31053 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/32051 , H01L21/32135 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L27/11582 , H01L29/66833
摘要： 본발명의기술적사상에의한반도체소자제조방법은, 셀(cell) 영역및 주변(peri) 영역을가지는기판을준비하는단계, 셀영역에제1 방향으로배치된제1 그루브에의해서로이격되고제1 방향으로연장되며제1 방향과수직한제2 방향으로서로떨어져있는복수개의비트라인구조체를형성하고, 주변영역에비트라인구조체와동일한물질로이루어진복수개의게이트구조체를형성하는단계, 비트라인구조체및 게이트구조체의양쪽측벽에스페이서를형성하는단계, 제1 그루브를매립하고게이트구조체상면을덮는탄소를함유하는희생막을형성하는단계및 희생막을화학적기계적연마하여비트라인구조체및 게이트구조체의상면에서연마정지하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明的技术思想，一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备具有单元区域和周边区域的衬底; 形成多个位线结构，所述多个位线结构通过沿着与所述第一方向正交的第二方向在所述第一方向上延伸并且在与所述第一方向正交的第二方向上彼此间隔开的在单元区域中沿第一方向布置的第一槽彼此分离，并且形成多个栅极结构，由与周边区域中的位线结构相同的材料构成; 在位线结构和栅极结构的两个侧壁上形成间隔物; 形成包含填充所述第一槽并覆盖所述栅极结构的上表面的碳的牺牲层; 并通过对牺牲层进行化学和机械抛光来抛光位线结构和栅极结构的上表面。

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