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1. 发明授权

KR101411744B1 하프늄 함유층의 에칭 방법 및 플라즈마 처리 시스템 有权
标题翻译：用于蚀刻含铪层和等离子体处理系统的方法
公开(公告)号：KR101411744B1
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：KR1020097006371
申请日：2007-09-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 페르난데즈루이스이시드로 , 우라카와마사후미
IPC分类号： C09K13/00
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32697 , H01J2237/334
摘要： 삼염화붕소(BCl
3 )계 공정 화학물을 이용하여 하프늄 함유 재료를 에칭하기 위한 방법 및 시스템을 기술한다. 이산화하프늄(HfO
2 )층과 같은 하프늄 함유층을 가지는 기판은, O
2 와 같은 산소 함유 가스; 또는 N
2 와 같은 질소 함유 가스; 또는 CH
4 와 같은 탄화수소 가스(C
x H
y ); 또는 이들의 2 개 이상의 조합을 포함하는 첨가 가스 및 BCl
3 를 포함하는 건식 에칭 공정을 받는다.
플라즈마 처리 시스템

2. 发明公开

KR1020160129769A 에칭 방법 및 에칭 장치 审中-实审
标题翻译：蚀刻方法和蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020160129769A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020160052950
申请日：2016-04-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시모다가쿠 , 마루야마호타카 , 사토타카노리 , 우라카와마사후미 , 오가사와라마사히로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01J2237/3345 , H01J2237/3348 , H01L21/67109
摘要： 에칭형상을양호하게하는것을목적으로한다. 기판상에형성된실리콘막을에칭하는에칭방법으로서, 취화수소(HBr) 가스, 삼불화질소(NF) 가스및 산소(O) 가스를포함하는가스를챔버내로공급하고, 공급된가스로부터생성된플라즈마에의해실리콘막을에칭하는복수의공정을가지고, 상기복수의공정에서상기취화수소가스의유량을단계적으로감소시키고, 상기산소가스의유량을상기취화수소가스의감소에따라조정하는에칭방법이제공된다.
摘要翻译：用于蚀刻形成在基板上的硅膜的方法包括将HBr气体，NF 3气体和O 2气体供应到室中，并且利用由所提供的HBr气体，NF 3气体产生的等离子体对硅膜进行多次蚀刻处理， O2气体，在多次蚀刻工序中逐渐降低HBr气体的流量，根据HBr气体的还原来调节O 2气体的流量。

3. 发明公开

KR1020100099219A 플라즈마 에칭 시스템용 실리콘 카바이드 포커스 링 无效
标题翻译：用于等离子体蚀刻系统的碳化硅聚合物环
公开(公告)号：KR1020100099219A
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：KR1020107014279
申请日：2008-12-10
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우라카와마사후미 , 고아키테루
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32623
摘要： 본원에는, 플라즈마 에칭 시스템에 사용하는 고저항 실리콘 카바이드 포커스 링이 기술되어 있다. 포커스 링은 상면, 하면, 반경방향 내측 가장자리 및 반경방향 외측 가장자리를 포함하며, 플라즈마 처리 시스템에서 기판 홀더 상의 기판을 둘러싸도록 구성되어 있다. 포커스 링은, 저향율이 약 100 ohm-㎝이상인 고저항 실리콘 카바이드를 포함한다.

4. 发明公开

KR1020150055549A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：基板处理方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020150055549A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020140150004
申请日：2014-10-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우라카와마사후미 , 다카하시루이 , 오가사와라마사히로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32715 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 기판을정전척으로부터탈리하는것이가능한기판처리방법을제공한다. 내부에전극을갖는절연부재를포함하는정전척을갖고, 상기정전척상에탑재된기판에플라즈마처리를실시하는기판처리장치를이용한기판처리방법으로서, 상기기판을, 제 1 가스압을갖는처리가스의플라즈마에의해서플라즈마제전하면서, 상기기판의이면에제 2 가스압으로전열가스를공급하는, 제 1 공정을포함하는기판처리방법이다.
摘要翻译：提供了能够从静电卡盘脱离的基板处理方法。基板处理方法包括：静电卡盘，其包括在其内部具有电极的绝缘构件，并对装载在静电卡盘上的基板进行等离子体处理。基板处理方法还包括使用具有第一气体压力的处理气体的等离子体从基板去除静电并将第二气体压力的电加热气体提供给基板的另一表面的第一工艺。

5. 发明公开

KR1020150024307A 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：蚀刻方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020150024307A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020147031639
申请日：2013-05-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우라카와마사후미
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/3081 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67069 , H01L21/32136
摘要： 일실시예에서는, 다결정 실리콘을 포함하는 피에칭층을 에칭하는 방법을 제공한다. 이 방법은, (a) 피에칭층과 당해 피에칭층 상에 형성된 마스크를 가지는 피처리 기체를 준비하는 공정과, (b) 당해 마스크를 이용하여 피에칭층을 에칭하는 공정을 포함한다. 마스크는, 다결정 실리콘으로 구성된 제 1 마스크부, 및 상기 제 1 마스크부와 상기 피에칭층의 사이에 개재되어 있고 산화 실리콘으로 구성된 제 2 마스크부를 포함하고 있다. 피에칭층을 에칭하는 공정에서는, 피처리 기체를 수용한 처리 용기 내로, 피에칭층을 에칭하기 위한 제 1 가스, 마스크에 부착하는 퇴적물을 제거하기 위한 제 2 가스, 및 제 1 마스크부를 보호하기 위한 제 3 가스를 공급하여, 처리 용기 내에서 플라즈마를 생성한다.

6. 发明授权

KR101315558B1 처리 시스템 有权
标题翻译：治疗系统
公开(公告)号：KR101315558B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020087026258
申请日：2007-01-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 에노모토다카시 , 하기하라마사아키 , 고아키테루 , 하마모토신지 , 우라카와마사후미 , 라플랭아서에이치쥬니어 , 헬러에드워드
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
摘要： 가스 주입 시스템은 프로세스 가스를 공정 챔버 내에 분배하는 디퓨저를 포함한다. 가스 주입 시스템은 부식성 프로세스 가스를 수반하는 폴리실리콘 에칭 시스템에서 이용될 수 있다.

7. 发明授权

KR102122205B1 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102122205B1
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：KR1020147031639
申请日：2013-05-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우라카와마사후미
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213

8. 发明公开

KR1020140103871A 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020140103871A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020140018594
申请日：2014-02-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우라카와마사후미
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32082 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H2001/4645
摘要： The objective of the present invention is to maintain uniformity of the object′s surface without requiring changing the configuration. A plasma processing method includes: a gas supply process, a power supply process, and an etching process. The gas supply process supplies process gas into a process chamber having the object. The power supply process supplies power to generate plasma which has a frequency of 100-150 MHz, and is to generate the plasma of the process gas supplied into the process chamber and power for bias which has a lower frequency when compared to the power to generate plasma. The etching process makes the power for bias which has a duty ratio of 10-70%, and has a frequency of 5-20 KHz by pulse modulation and etches the object by the plasma of the process gas.
摘要翻译：本发明的目的是保持物体表面的均匀性，而不需要改变构型。等离子体处理方法包括：气体供给处理，电源处理和蚀刻处理。气体供应过程将处理气体提供到具有该物体的处理室中。供电过程提供功率以产生频率为100-150MHz的等离子体，并且与产生的功率相比，产生提供给处理室的处理气体的等离子体和具有较低频率的偏压的功率等离子体。蚀刻工艺使占空比为10-70％的偏置电源，并通过脉冲调制具有5-20KHz的频率，并通过处理气体的等离子体蚀刻物体。

9. 发明公开

KR1020090067146A 하프늄 함유층의 에칭 방법 및 플라즈마 처리 시스템 有权
标题翻译：用于干腐蚀含铪材料的方法和系统
公开(公告)号：KR1020090067146A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020097006371
申请日：2007-09-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 페르난데즈루이스이시드로 , 우라카와마사후미
IPC分类号： C09K13/00
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32697 , H01J2237/334
摘要： A method and system for etching a hafnium containing material using a boron tri-chloride (BCI3) based process chemistry is described. A substrate having a hafnium containing layer, such as a layer of hafnium dioxide (HfO2) is subjected a dry etching process comprising BCI3 and an additive gas including: an oxygen-containing gas, such as O2; or a nitrogen-containing gas, such as N2; or a hydrocarbon gas (CxHy), such as CH4; or a combination of two or more thereof.
摘要翻译：描述了使用基于三氯化硼（BCI3）的工艺化学物质来蚀刻含铪材料的方法和系统。对具有含铪层（例如二氧化铪层（HfO 2））的基板进行包括BCI3和添加气体在内的干蚀刻工艺，所述添加气体包括：含氧气体，例如O 2; 或含氮气体，例如N 2; 或碳氢化合物气体（CxHy），如CH4; 或其两个或多个的组合。

10. 发明公开

KR1020160102892A 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020160102892A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020160017646
申请日：2016-02-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우라카와마사후미 , 나가미코이치
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01J37/32715
摘要： 플라즈마처리장치의처리용기내에인가되는복수의고주파전력의정재파의발생을방지하는것을목적으로한다. 처리용기와, 상기처리용기내에배치되는배치대와, 상기배치대에대향하여배치되는전극을구비하는플라즈마처리장치를이용하여상기배치대상의기판을플라즈마처리하는플라즈마처리방법으로서, 상기배치대에플라즈마생성용의고주파전력의펄스파를인가하고, 상기배치대에상기플라즈마생성용의고주파전력보다주파수가낮은바이어스용의고주파전력의펄스파를인가하는공정과, 상기플라즈마생성용의고주파전력의펄스파및 상기바이어스용의고주파전력의펄스파사이에정해진위상차가발생하도록제어하고, 상기플라즈마생성용의고주파전력의듀티비는상기바이어스용의고주파전력의듀티비이상이되도록제어하는공정을포함하는플라즈마처리방법이제공된다.
摘要翻译：本发明的目的是防止施加到等离子体处理装置的处理容器内部的高频功率的多个驻波产生。等离子体处理方法技术领域本发明涉及一种等离子体处理方法，其通过使用包括处理容器，布置在处理容器中的排列列和布置成面对布置列的电极的等离子体处理装置等离子体处理排列列上的基板。本发明提供了一种等离子体处理方法，其特征在于，包括以下处理：将高频电力用于产生等离子体的脉冲波施加到排列列，并对频率低于该频率的偏置施加高频功率脉冲波将等离子体产生到排列列的频率波; 并且控制在用于产生等离子体的高频功率的脉冲波和用于偏压的高频功率的脉冲波之间产生的相位差，以及将用于产生等离子体的高频功率的占空比控制为大于用于偏置的高频功率的占空比。

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