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1. 发明授权

KR101288492B1 전자 소자 제조 중에 기판을 전달하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：在电子设备制造过程中传输基板的方法和装置
公开(公告)号：KR101288492B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020060106686
申请日：2006-10-31
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라이스,마이클 , 크레발호,니콜라스 , 브로딘,제프리에이.
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/68707
摘要： 일 양상에서, 전달 챔버와 처리 챔버 사이에서 기판을 전달시키도록 구성된 제 1 장치가 제공된다. 제 1 장치는 제 1 블레이드 및 제 1 블레이드로부터 이격되어 있는 제 2 블레이드, 및 적어도 제 1 아암에 의해 제 1 블레이드에 연결되며 적어도 제 2 아암에 의해 제 2 블레이드에 연결되는 중앙 허브를 갖는 로봇을 포함한다. (a) 로봇이 전달 챔버 내에 위치될 때 전달 챔버에 연결되는 처리 챔버로부터 전달 챔버를 분리시키는 슬릿 밸브를 통해 제 1 블레이드 및 제 2 블레이드가 동시에 연장되도록; 그리고 (b) 제 1 및 제 2 블레이드 또는 로봇을 상승 또는 하강시키지 아니하면서 제 1 및 제 2 블레이드가 처리 챔버로 기판을 전달하고 상기 챔버로부터 기판을 제거하도록; 제 1 블레이드 및 제 2 블레이드가 이격되어 있다. 다수의 다른 양상이 제공된다.

2. 发明授权

KR101227934B1 웨이퍼 운반 로봇을 교정하기 위한 시각화 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于校准携带机器人的波浪的视觉系统和方法
公开(公告)号：KR101227934B1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：KR1020127002748
申请日：2004-03-09
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 새딕히,이라즈 , 허드젠스,제프 , 라이스,마이클 , 위카,게리
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/677 , B25J13/08
CPC分类号： H01L21/67259 , B25J9/1692 , B25J9/1697 , G05B2219/45031 , H01L21/681
摘要： 처리 시스템 내에 배치된 로봇의 운동을 교정하기 위한 시각화 시스템 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 처리 시스템을 위한 시각화 시스템은 처리 시스템 내에 위치한 카메라와 교정 웨이퍼를 포함한다. 카메라는 로봇 상에 위치하고 처리 시스템의 미리 정의된 위치에 배치된 교정 웨이퍼의 이미지 데이터를 얻는다. 이미지 데이터는 로봇 운동을 교정하는데 이용된다.

3. 发明公开

KR1019980032998A 오버헤드 솔레노이드 안테나를 가지는 유도 결합된ＲＦ 플라즈마 반응기용 열제어 장치 无效
标题翻译：带有架空螺线管天线的电感耦合射频等离子体反应堆热控制装置
公开(公告)号：KR1019980032998A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019970053878
申请日：1997-10-21
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 콜린스,케네쓰 , 라이스,마이클 , 부크버거,더글라스 , 로더릭,크레이그 , 아스카리남,에릭
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 발명은 플라즈마 반응기 챔버와 처리동안 상기 챔버 내부에 제품을 홀딩하기 위한 제품 지지대를 포함하고, 상기 챔버는 상기 지지대에 대향하는 반응기 밀봉부를 가지고; 상기 반응기 밀봉부 위에 놓이는 냉각 바디; 상기 반응기 밀봉부와 상기 냉각 바디 사이의 플라즈마 전력 어플리케이터; 및 상기 냉각 바디와 상기 반응기 밀봉부사이에 접촉하고 있는 열도체를 포함하는 플라즈마 반응기로 구현된다. 상기 열도체와 상기 냉각 싱크는 그사이의 냉각 싱크 인터페이스를 한정하고, 상기 반응기는 바람직하게 상기 냉각 싱크 인터페이스에 걸친 열저항을 감소하기 위해 상기 냉각 싱크 인터페이스내에 열전도성 물질을 더 포함한다. 상기 열전도성 물질은 상기 냉각 바디 인터페이스를 채우는 열전도성 가스가 될 수 있다. 선택적으로, 상기 열전도성 물질은 열전도성 고체 재료가 될 수 있다. 상기 반응기는 열전도성 가스의 소스와 연통할 수 있는 상기 냉각 바디내에의 가스 매니폴드, 및 상기 가스 매니폴드로부터 상기 냉각 바디를 관통하여 상기 냉각 바디 인터페이스까지 개방되는 인렛을 포함할 수 있다. 상기 반응기는 상기 냉각 바디와 상기 열도체사이에 샌드위치되고 상기 냉각 바디로부터 상기 인렛과 연통하여 거의 미소한 두께의 상기 냉각 바디 인터페이스에 대한 가스 함유 볼륨을 한정하는 O-링 장치를 더 포함할 수 있다. 일반적으로, 상기 반응기는 열전도성 가스 또는 물질의 인터페이스내에 삽입에 의한 가열 및/또는 냉각 싱크와 상기 반응기 챔버 내부 환경에 노출된 어떤 부분, 이를테면 시일링, 벽 또는 폴리머-경화 선구물질 링 사이의 인터페이스에 걸친 열 전달의 용이성을 포함할 수 있다.

4. 发明授权

KR100876244B1 디바이스 형성 방법 有权
标题翻译： 디바이스형성방법
公开(公告)号：KR100876244B1
公开(公告)日：2008-12-26
申请号：KR1020070135053
申请日：2007-12-21
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 페어베른,케빈 , 라이스,마이클 , 웨이드만,티모시 , 엔가이,크리스토퍼에스. , 래치포드,이안스코트 , 벤처,크리스토퍼데니스
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76829 , C23C16/26 , H01L21/0276 , H01L21/28035 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3146 , H01L21/31612 , H01L21/32137 , H01L21/76802 , H01L21/76807
摘要： A method of forming an integrated circuit using an amorphous carbon film. The amorphous carbon film is formed by thermally decomposing a gas mixture comprising a hydrocarbon compound and an inert gas. The amorphous carbon film is compatible with integrated circuit fabrication processes. In one integrated circuit fabrication process, the amorphous carbon film is used as a hardmask. In another integrated circuit fabrication process, the amorphous carbon film is an anti-reflective coating (ARC) for deep ultraviolet (DUV) lithography. In yet another integrated circuit fabrication process, a multi-layer amorphous carbon anti-reflective coating is used for DUV lithography.
摘要翻译：一种使用无定形碳膜形成集成电路的方法。无定形碳膜通过热分解包含烃化合物和惰性气体的气体混合物而形成。非晶碳膜与集成电路制造工艺兼容。在一个集成电路制造工艺中，无定形碳膜被用作硬掩模。在另一种集成电路制造工艺中，无定形碳膜是用于深紫外（DUV）光刻的抗反射涂层（ARC）。在又一集成电路制造工艺中，多层无定形碳减反射涂层用于DUV光刻。

5. 发明公开

KR1020070053610A 전자 소자 제조 중에 기판을 전달하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：在电子设备制造过程中传输基板的方法和装置
公开(公告)号：KR1020070053610A
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020060106686
申请日：2006-10-31
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라이스,마이클 , 크레발호,니콜라스 , 브로딘,제프리에이.
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/68707
摘要： 일 양상에서, 제 1 장치는 전달 챔버와 처리 챔버 사이에서 기판을 전달시키도록 제공된다. 제 1 장치는 제 1 블레이드 및 제 1 블레이드로부터 이격되어 있는 제 2 블레이드, 및 적어도 제 1 아암에 의해 제 1 블레이드에 연결되며, 적어도 제 2 아암에 의해 제 2 블레이드에 연결되는 중앙 허브를 갖는 로봇을 포함한다. 제 1 블레이드 및 제 2 블레이드는 (a) 두 개 모두의 블레이드가 로봇이 전달 챔버 내에 위치되는 경우에 전달 챔버에 연결되는 처리 챔버로부터 전달 챔버를 분리시키는 슬릿 밸브를 통해 동시에 연장시키며; (b) 제 1 및 제 2 블레이드가 제 1 및 제 2 블레이드 또는 로봇을 상승 또는 하강시키지 않고 처리 챔버로 기판을 전달하고 상기 챔버로부터 기판을 제거시키기 위해서 이격되어 있다. 다수의 다른 양상이 제공된다.

6. 发明授权

KR100515122B1 폴리머-경화프리커서의가열된소스를가진플라즈마반응기 失效
标题翻译：具有加热源的聚合物前体材料的等离子体反应器
公开(公告)号：KR100515122B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1019970054308
申请日：1997-10-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 콜린스,케네쓰 , 라이스,마이클 , 인,제럴드,제야오 , 몬,존 , 버치버거,더글라스 , 왕,제리 , 케스위크,피터 , 그로겔,데이비드 , 로더릭,크레이그 , 양,찬-론 , 마크스,제프리
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명의 일반적인 방법은 탄화 불소 또는 탄화수소-불소 가스로서 에칭 처리 동안에 상기 반응기 챔버내에서 (실리콘, 탄소, 실리콘 탄소 또는 실리콘 질화물, 그러나 바람직하게 실리콘과 같은) 폴리머-경화 프리커서 피이스를 제공하고, 산화물에 대한 실리콘 에칭 선택성에서 바람직한 증가를 충분히 이룩하기 위하여 상기 폴리머화 온도 이상에서 상기 폴리머-경화 프리커서 피이스를 가열하는 것이다. 일반적으로, 이러한 폴리머-경화 프리커서 또는 실리콘 피이스는 상기 반응기 챔버 벽 및/또는 실링의 통합된 부분 또는 분리되고 연장가능하고 빨리 제거가능한 피이스의 통합된 부분일 수 있고, 상기 가열/냉각 장치는 상기 실리콘 피이스를 도전적으로 또는 원격으로 가열하는 장치를 포함하는 어떤 적절한 형태일 수 있다.

7. 发明授权

KR100498585B1 플라즈마반응기챔버내의반도체공작물을처리하기위한방법 失效
标题翻译：在等离子体反应器室中加工半导体工件的方法
公开(公告)号：KR100498585B1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：KR1019970053880
申请日：1997-10-21
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 그로이첼,데이비드 , 헝,레이몬드 , 인,제럴드,제야오 , 콜린스,케네쓰 , 라이스,마이클 , 딩,쟝 , 키,천시
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 본 발명은 플라즈마 반응기 챔버내의 반도체 공작물을 처리하기 위한 방법을 구체화한 것으로서, 이는 20mT 이하의 저압 범위에서 상기 챔버내의 가스압을 유지시키기에 충분한 제 1 흐름 속도에서 상기 챔버 내부로 적어도 탄소 및 불소를 함유하는 중합체와 식각제 전조 가스를 공급하는 단계와, 20mT 이상의 고압 범위에서 상기 챔버내의 가스압을 유지시키기에 충분한 제 2 흐름 속도에서 상기 전조 가스의 제 1 흐름 속도와 결합하여 상기 챔버 내부로 비반응성 가스를 공급하는 단계와, 10
10 ions/㎤를 초과하는 이온 밀도를 갖는 고이온 밀도 플라즈마를 형성하기 위해 상기 챔버 내부로 플라즈마 전력 공급원을 인가시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 하나의 응용예에서, 상기 공작물은 상기 공정에 의해 에칭되어질 산소 함유 상부층과 에칭으로부터 보호되어질 비 산소 함유 하부층을 포함하고 있으며, 상기 전조 가스는 상기 플라즈마를 상기 산소 함유 층을 에칭시키는 불소 함유 식각제 반응물과 상기 비 산소 함유 하부층 위로 축적되는 탄소 함유 중합체 반응물로 분리한다. 또한, 고압 범위는 유도성 안테나와 공작물 사이의 간극의 1/10을 초과하는 유도장의 표면 깊이에서의 압력으로 정의된다.

8. 发明授权

KR100841495B1 디바이스 형성 방법 有权
标题翻译：形成装置的方法
公开(公告)号：KR100841495B1
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020010007741
申请日：2001-02-16
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 페어베른,케빈 , 라이스,마이클 , 웨이드만,티모시 , 엔가이,크리스토퍼에스. , 래치포드,이안스코트 , 벤처,크리스토퍼데니스
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76829 , C23C16/26 , H01L21/0276 , H01L21/28035 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3146 , H01L21/31612 , H01L21/32137 , H01L21/76802 , H01L21/76807
摘要： 본 발명은 비정질 탄소막을 이용하여 집적회로는 형성하는 방법에 관한 것이다. 비정질 탄소막은 탄화수소 화합물 및 불활성 가스를 포함하는 가스 혼합물을 열적으로 분해함으로써 형성된다. 비정질 탄소막은 집적 회로 제조 공정들과 호환적이다. 한 집적 회로 제조 공정에서, 비정질 탄소막은 하드마스크로서 이용된다. 또다른 집적 회로 제조 공정에 있어서, 비정질 탄소막은 DUV 리소그라픽을 위한 무반사 코팅(ARC)이다. 또 다른 집적 회로 제조 공정에서, 다층 비정질 탄소 무반사 코팅이 DUV 리소그라픽을 위해 사용된다.

9. 发明公开

KR1020080006515A 디바이스 형성 방법 有权
标题翻译：形成装置的方法
公开(公告)号：KR1020080006515A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020070135053
申请日：2007-12-21
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 페어베른,케빈 , 라이스,마이클 , 웨이드만,티모시 , 엔가이,크리스토퍼에스. , 래치포드,이안스코트 , 벤처,크리스토퍼데니스
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76829 , C23C16/26 , H01L21/0276 , H01L21/28035 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3146 , H01L21/31612 , H01L21/32137 , H01L21/76802 , H01L21/76807
摘要： A method of forming a device is provided to produce an integrated circuit with a high etching selectivity to an oxide by using an amorphous carbon film. A method of forming a device includes the steps of: forming one or more amorphous carbon films(204) on a substrate(200) by placing the substrate inside a deposition chamber, supplying a gas mixture including one or more hydrocarbon compounds and inert gas to the deposition chamber, and heating the gas mixture such that the hydrocarbon compound in the gas mixture is thermally decomposed to form the amorphous carbon films on the substrate; forming a pattern in at least one region of the one or more amorphous carbon films; and transferring the pattern formed in at least one region of the one or more amorphous carbon film to the substrate by using the one or more amorphous carbon films as a mask.
摘要翻译：提供一种形成器件的方法，以通过使用无定形碳膜制造具有对氧化物的高蚀刻选择性的集成电路。一种形成器件的方法包括以下步骤：通过将衬底放置在沉积室内，在衬底（200）上形成一个或多个无定形碳膜（204），将包含一种或多种烃化合物和惰性气体的气体混合物供应到沉积室，并加热气体混合物，使得气体混合物中的烃化合物被热分解以在基底上形成无定形碳膜; 在一个或多个无定形碳膜的至少一个区域中形成图案; 并且通过使用一种或多种非晶碳膜作为掩模将形成在所述一个或多个非晶碳膜的至少一个区域中的图案转印到所述基板上。

10. 发明公开

KR1020050105517A 웨이퍼 운반 로봇을 교정하기 위한 시각화 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于校准携带机器人的波浪的视觉系统和方法
公开(公告)号：KR1020050105517A
公开(公告)日：2005-11-04
申请号：KR1020057016867
申请日：2004-03-09
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 새딕히,이라즈 , 허드젠스,제프 , 라이스,마이클 , 위카,게리
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67259 , B25J9/1692 , B25J9/1697 , G05B2219/45031 , H01L21/681
摘要： A vision system and method for calibrating motion of a robot disposed in a processing system is provided. In one embodiment, a vision system for a processing system includes a camera and a calibration wafer that are positioned in a processing system. The camera is positioned on the robot and is adapted to obtain image data of the calibration wafer disposed in a predefined location within the processing system. The image data is utilized to calibrate the robots motion.
摘要翻译：提供了一种用于校准设置在处理系统中的机器人的运动的视觉系统和方法。在一个实施例中，用于处理系统的视觉系统包括位于处理系统中的相机和校准晶片。相机位于机器人上，并且适于获得设置在处理系统内的预定位置的校准晶片的图像数据。图像数据用于校准机器人运动。

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