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    • 2. 发明授权
    • 하전 입자빔 묘화 장치 및 다중 묘화용의 하전 입자빔의 조사 시간 배분 방법
    • 充电粒子束写入装置和分散方法对多个写字符的充电颗粒光束的辐射时间
    • KR101477557B1
    • 2014-12-30
    • KR1020130079669
    • 2013-07-08
    • 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
    • 야시마준안포아키히토카토야스오
    • H01L21/027G03F7/20
    • G06F17/5081B82Y10/00B82Y40/00H01J37/3026H01J37/3174H01J2237/31764H01J2237/31766
    • 본발명의일태양의하전입자빔묘화장치는, 동일위치에샷하는복수회의하전입자빔의총 조사시간(n)을위치를이동시키면서다중묘화를행하는복수의다중묘화단위영역의다중묘화단위영역수(m)와다중묘화단위영역마다의위치를이동시키지않고반복다중묘화를행하는반복수(r)를곱한값으로나눈정수값에반복수(r)를곱한값에, 복수의다중묘화단위영역중 미리설정된특정의다중묘화단위영역이아닌다중묘화단위영역으로서특정의다중묘화단위영역을제외한다중묘화단위영역번호가총 조사시간(n)을다중묘화단위영역수(m)와반복수(r)를곱한값으로나누었을경우의제1 나머지를반복수(r)로더 나눈값 이하인다중묘화단위영역의경우에는반복수(r)를가산한값을, 복수의다중묘화단위영역중 미리설정된특정의다중묘화단위영역이아닌다중묘화단위영역으로서특정의다중묘화단위영역을제외한다중묘화단위영역번호가제1 나머지를반복수(r)로나눈값 이하가아닌다중묘화단위영역의경우에는아무것도가산하지않은값을, 복수의다중묘화단위영역중 미리설정된특정의다중묘화단위영역의경우에는총 조사시간(n)을반복수(r)로나누었을경우의제2 나머지를가산한값을, 동일위치에샷하는복수회의하전입자빔중 당해다중묘화단위영역에서의하전입자빔의합계조사시간으로서산출하는합계조사시간산출부와다중묘화단위영역마다, 해당하는합계조사시간이되도록하전입자빔을조사하여시료에패턴을묘화하는묘화부를구비한것을특징으로한다.
    • 4. 发明公开
    • 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법
    • 多电荷粒子束写入装置和多重粒子束写入方法
    • KR1020130025348A
    • 2013-03-11
    • KR1020120096304
    • 2012-08-31
    • 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
    • 요시카와료이치오가사와라무네히로
    • H01L21/027G03F7/20
    • H01J37/3177B82Y10/00B82Y40/00H01J37/3026H01J37/3174H01J2237/31764H01J2237/31766H01L21/263H01L21/2633H01L21/3085H01L21/0275G03F7/2014G03F7/2026
    • PURPOSE: A multi-charged particle beam writing apparatus and a multi-charged particle beam writing method are provided to precisely write a pattern using a multi-beam by suppressing the change of a dimension or a shape of the pattern due to a multi-beam radiation dislocation. CONSTITUTION: An aperture member(203) includes an XY stage, an electron gun, and a plurality of holes, and generates a multi-beam. A blanking plate(204) performs a blanking deflection of a corresponding beam. A deflector(208) collects and deflects each beam on each radiation location of a sample. A writing process control unit(18) performs a writing process of a plurality of beams via different holes on the sample with a preset control grid interval. A radiation control unit(16) variably controls the radiation of the beam according to the amount of separated beams if an interval between written beams is out of the control grid interval. [Reference numerals] (10) Measuring unit; (110) Writing data processing unit; (12) Maximum radiation computing unit; (121) Memory; (130,132) Deflection controlling circuit; (138) Detector; (139) Stage position detector; (14) Radiation computing unit; (140) Writing data; (142) Deformation amount; (16) Radiation control unit; (18) Writing process control unit
    • 目的:提供多带电粒子束写入装置和多带电粒子束写入方法,通过抑制由于多光束而导致的图案的尺寸或形状的变化,使用多光束精确地写入图案 辐射脱位。 构成:孔部件(203)包括XY台,电子枪和多个孔,并产生多光束。 消隐板(204)执行相应光束的消隐偏转。 偏转器(208)收集并偏转样品的每个辐射位置上的每个光束。 写入处理控制单元(18)通过预设的控制网格间隔在样本上经由不同的孔执行多个波束的写入处理。 如果写入光束之间的间隔超出控制网格间隔,则辐射控制单元(16)根据分离光束的量可变地控制光束的辐射。 (附图标记)(10)测量单元; (110)写入数据处理单元; (12)最大辐射计算单位; (121)内存; (130,132)偏转控制电路; (138)检测器; (139)舞台位置检测器; (14)辐射计算单元; (140)写数据; (142)变形量; (16)辐射控制单元; (18)书写过程控制单元
    • 9. 发明公开
    • 양방향 더블 패스 멀티빔 기록
    • 双向双通道多波束写入
    • KR1020160113005A
    • 2016-09-28
    • KR1020160031822
    • 2016-03-17
    • 아이엠에스 나노패브릭케이션 아게
    • 플라츠굼머엘마
    • G03F1/44G03F1/20G03F7/20
    • H01J37/3026G03F7/70358G03F7/70425H01J37/20H01J37/3177H01J2237/202H01J2237/20221H01J2237/31766
    • 하전입자의빔으로타겟을조사하기위해, 화소로구성된패턴이미지를생성하는빔이타겟에형성되고이미지화된다. 이러한패턴이미지는노출되는영역(R2) 위로타겟위의경로를따라이동되고, 이러한이동은순차노출로상기영역(R2)을덮고각각의폭(y0, x0)을갖는다수의스트라이프(181-183, 187-189)를형성한다. 이러한다수의스트라이프는각각의일반적인방향(d1, d2)을각각갖지만상기일반적인방향은상이한스위프에대해상이한, 예를들어, 서로수직인적어도 2개의스위프로기록된다. 각각의스트라이프(181-183, 187-189)는정확히하나의스위프에속하고동일한스위프의다른스트라이프에거의평행하게, 즉, 각각의일반적인방향을따라달린다. 각각의스위프에대해, 하나의스위프의스트라이프의, 상기주 방향을따라측정된폭(y0, x0)은영역의전체폭(Ry, Rx)의커버로결합된다.
    • 产生包括像素的图案图像的光束被形成并在目标上成像以用带电粒子束照射目标。 这样的图案图像沿着目标上的路径移动到暴露区域(R2)上,并且这种移动通过顺序曝光覆盖区域(R2),并且形成具有每个宽度(y0)的多个条纹(181-183,187-189) ,x0)。 每个条纹具有一般的方向(d1,d2),但是对于不同的扫描,一般方向被写为不同的扫描,例如彼此垂直的至少两个扫描。 每个条纹(181-183,187-189)精确地属于一个扫描,并且沿着基本平行于另一个条纹的每个大体方向以相同的扫描方向延伸。 对于每个扫描,沿着主方向测量的一次扫描的条纹的宽度(y0,x0)以该区域的整个宽度(Ry,Rx)的盖的形式耦合。
    • 10. 发明公开
    • 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치
    • 多重粒子束写入方法和多重粒子束写入装置
    • KR1020150139463A
    • 2015-12-11
    • KR1020150078148
    • 2015-06-02
    • 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
    • 마츠모토히로시
    • H01L21/027H01L21/033
    • H01J37/1472G11B9/10H01J37/06H01J37/20H01J37/3023H01J37/3174H01J37/3177H01J2237/30483H01J2237/31762H01J2237/31766
    • 본발명의일태양의멀티하전입자빔묘화방법은, 멀티하전입자빔의각 빔의묘화위치를모아서함께스테이지의이동에추종하도록빔 편향에의한트래킹제어를개시하여, 트래킹제어를행하면서, 각빔의묘화위치에멀티하전입자빔중 ON 빔의각각대응하는빔을조사하는공정과, 트래킹제어를계속하면서, 트래킹제어를위한빔 편향과는별도로, 멀티하전입자빔을편향함으로써각 빔의묘화위치를다음의각 빔의묘화위치에시프트하는공정과, 트래킹제어를계속하면서, 시프트된각 빔의묘화위치에멀티하전입자빔중 ON 빔의각각대응하는빔을조사하는공정과, 트래킹제어를계속하면서적어도 1 회이상시프트된후의각 빔의묘화위치에각각대응하는빔을조사한후, 트래킹제어용의빔 편향을리셋함으로써, 트래킹위치를스테이지이동방향과역방향으로되돌리는공정을구비하고, 트래킹제어의개시부터리셋까지의이러한각 공정을 1 개의조로하여, 조를사전에설정된횟수반복함으로써, 소정영역의묘화를완료시키고, 이러한횟수의조 중, 적어도 1 회의조에있어서의트래킹개시부터리셋까지의트래킹시간이다른조에있어서의트래킹시간보다길어지는것을특징으로한다.
    • 本发明的实施例的多电荷粒子束写入方法包括以下处理:收集多个带电粒子束的每个光束的写入位置,以通过光束偏转开始跟踪控制,以跟踪a 执行跟踪控制,并且在每个光束的写入位置从多个带电粒子束中照射与ON光束对应的光束; 继续执行跟踪控制以使跟踪控制的光束偏转分开地使多带电粒子束偏转,并将每个光束的写入位置移动到每个光束的写入的下一个位置; 继续执行跟踪控制,以在每个光束移动的写入位置处从多个带电粒子束中照射对应于ON光束的光束; 并且继续执行跟踪控制以在移动至少一次之后对与每个光束的写入位置相对应的光束进行照射,以重新设定用于跟踪控制的光束偏转,并且将跟踪位置返回到 舞台的运动方向。 从跟踪控制开始到复位的过程被制成一个组,并且重复该组以预设的频率来完成某个区域的写入。 从频率开始的至少第一次的组中的跟踪开始到重置的跟踪时间变得比另一组的跟踪时间长。